专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热处理装置热处理方法-CN201910857731.0有效
  • 中村卓弘;铁林宽昭;上田刚志 - 光洋热系统股份有限公司
  • 2019-09-09 - 2021-10-29 - C23C8/22
  • 提供热处理装置热处理方法,在对金属制的被处理物实施基于加热的热处理时,减少被处理物的各部分的温度上升的偏差,从而进一步减少因热处理产生的应变。加热器(22、23)是为了对作为加热处理对象的金属制的被处理物(10)进行加热而设置的。在热处理室(21)中配置有加热器(22、23)和被处理物(10)。遮蔽部件(24、25)在热处理室(21)内配置在加热器(22、23)与被处理物(10)之间,设置为能够遮蔽从加热器(22、23)向被处理物(10)的辐射热的放射。
  • 热处理装置方法
  • [发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN200610007750.7无效
  • 川瀬文俊;柴田聪 - 松下电器产业株式会社
  • 2006-02-20 - 2006-08-23 - H01L21/26
  • 本发明提供一种热处理方法及热处理装置,其不依赖于在晶片上形成的回路图案的面积、图案的设置以及构成回路的膜的材料等,可以在大致相同的热处理条件下进行热处理。将晶片(10)导入利用加热装置(4)在容器(2)内形成的处于放射平衡状态的温度空间(8)的下部低温区域(垂直方向位置B)并对其进行保持,使基板温度缓慢上升至750℃~800℃。然后,将晶片导入温度空间(8)的高温区域(垂直方向位置C)并对其进行保持,使基板温度上升至热处理温度,并且,实施规定时间的热处理。从而,可以不依赖于晶片(10)的状态(氮化硅膜、多晶硅膜的基板覆盖面积比例),来进行均匀的热处理
  • 热处理方法以及装置

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