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[实用新型]一种耦合型沟槽波导结构-CN201822046035.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州雷目电子科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种耦合型沟槽波导结构，该波导结构包括波导层和衬底，波导层包括薄膜和在薄膜上的沟槽波导，该波导结构还包括在沟槽波导底部、与沟槽波导隔离的调控腔，调控腔内填充调控材料。引入了调控腔，通过沟槽中的表面等离激元与调控腔的耦合，进一步将表面等离激元限制在沟槽波导的底部，减小了波导中表面等离激元的模式面积；在调控腔中引入调控材料，特别是热敏材料，通过改变温度，改变调控材料的折射率，调控波导中传播的表面等离激元与调控腔的耦合，从而调控沟槽波导中的模式，实现了沟槽波导中表面等离激元模式的动态可调。
沟槽波导调控表面等离激元波导结构耦合波导层耦合型波导薄膜本实用新型动态可调腔内填充热敏材料折射率引入衬底减小隔离传播

[发明专利]具有平面波导和快门致动器的光学开关-CN00818460.7无效
发明人： K·阿尔海梅亚里;R·D·琼斯;J·L·希门尼斯 -专利权人： L3光学公司
申请日： 2000-11-22 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：一种光学开关,具有一个输入波导和两个输出波导,被沟槽分开并位于沟槽周围。输入波导和第一输出波导具有其各自的芯所限定的各自光路；这些光路(和芯)彼此同轴。这些波导也被沟槽分开,所述沟槽中具有折射率与波导折射率不同的介质。输入波导和第一输出波导被分开一段由所述沟槽限定的距离,该距离不足以影响从输入波导传播到第一输出波导的光信号的传输特性,即使光信号穿过所述沟槽从输入波导到第一输出波导传播时经过不同的折射率。输入波导和第二输出波导通常设置在所述沟槽的同一侧以便从输入波导传播到第二输出波导的光信号不完全穿过所述沟槽。这样,即使光信号从输入波导到第一或者第二输出波导之一传播时经过不同的折射率,光信号在波导之间必须通过的距离足够小,以致于不会影响所述信号的光学传输特性。
具有平面波导快门致动器光学开关

[发明专利]光波导和光波导设计方法-CN202310705250.4有效
发明人：王启超;余辉;张强;尹坤 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：本申请提供一种光波导和光波导设计方法。光波导包括衬底层、包层、弯曲波导层和沟槽。包层设于衬底层上方。弯曲波导层设于包层内。沟槽刻蚀于包层，沟槽自包层的外表面向衬底层的方向凹陷，在衬底层的延伸方向上，沟槽位于弯曲波导层的外侧。本申请提供的光波导通过在弯曲波导层的外侧的包层上刻蚀沟槽，可以补偿局部波前相速度，扩大辐射焦散半径，有效降低光波导的弯曲损耗，且制作工艺简单，成本较低。
波导设计方法

[发明专利]波导结构的制造-CN201980033689.9有效
发明人：弗兰克·佐格;乔舒亚·韦恩·帕克斯 -专利权人：弗卢库斯有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种制造波导结构以从波导层形成固体芯波导的方法可以包括：向波导层中蚀刻流体通道；向波导层中蚀刻第一空气间隙和第二空气间隙，其中，蚀刻第一空气间隙和第二空气间隙创建了在波导层中的在第一空气间隙与第二空气间隙之间的固体芯波导一种用于制造波导结构以形成固体芯波导的方法可以包括：在衬底层中形成第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；以及在机械加工的衬底层上沉积波导层，其中，沉积波导层在与第一沟槽对应的位置处创建流体通道的中空芯，并且在波导层中与第二沟槽与第三沟槽之间的区域对应的位置处创建固体芯波导部分
波导结构制造

[发明专利]用于激光雷达的由窄沟槽实现的大功率单模半导体激光器-CN202211314944.7在审
发明人：王玉洁;汪语潇;雷云 -专利权人：南宇芯光（南京）科技有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明公开了用于激光雷达的由窄沟槽实现的大功率单模半导体激光器，包括外延结构，其由下至上包括：负电极、基底层、高折射率层、下限制层、有源层、上限制层、腐蚀防止层、光栅层、波导层、欧姆接触层、正电极；腐蚀防止层、光栅层、波导层、欧姆接触层、正电极形成五层波导结构的波导层；波导层设有两条平行分布的沟槽；两条沟槽之间形成脊波导，脊波导和沟槽以及沟槽外侧未刻蚀区域形成平板波导；通过增大沟槽距离来增加脊波导宽度以提高激光器的饱和功率；通过减小沟槽宽度来利用平板波导滤去由于宽脊波导而产生的高阶模。
用于激光雷达沟槽实现大功率单模半导体激光器

[发明专利]集成平面光波导和快门-CN00818483.6无效
发明人： K·阿尔海梅亚里;R·D·琼斯;J·L·希门尼斯 -专利权人： LNL技术公司
申请日： 2000-11-22 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：一种光学开关，具有一个输入波导和两个输出波导，被沟槽分开并位于沟槽周围。输入波导和第一输出波导具有它们各自的芯限定的各自光路；这些光路(和芯)彼此对准或者同轴。这些波导也被沟槽分开，所述沟槽中具有折射率与波导的折射率不同的介质。输入波导和第一输出波导被分开一段距离，该距离不足以影响从输入波导传播到第一输出波导的光信号的传输特性，即使光信号从输入波导到第一输出波导传播时经过不同的折射率。输入波导和第二输出波导通常设置在所述沟槽的同一侧以便从输入波导传播到第二输出波导的光信号不完全穿过所述沟槽。这样，即使光信号从输入波导到第一或者第二输出波导之一传播时经过不同的折射率，光信号在波导之间必须通过的距离足够小，从而不会影响所述信号的光学传输特性。
集成平面波导快门

[实用新型]一种沟槽形并行波导结构-CN201822045595.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州雷目电子科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽形并行波导结构，包括波导层和衬底，波导层中有并行排列的沟槽形波导，相邻沟槽波形导间设置隔离块。隔离块隔离了相邻波导中传播的信号，减少了相邻波导间的串扰，从而减少了波导尺寸，更有利于集成。
沟槽形波导结构相邻波导波导层隔离块波导并行本实用新型并行排列相邻沟槽衬底串扰隔离传播

[发明专利]一种带有偏移和沟槽的S形弯曲波导-CN202110690109.2在审
发明人：尚玉玲;郭文杰;何翔;李春泉;王佳奇;赵雅敏;周谨卓;谢文强 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明提出一种带有偏移和沟槽的S弯曲波导结构，其包括输入直波导、两段曲率相反且半径相同的弯曲波导、输出直波导、各波导连接处的偏移和填充有低折射率介质的沟槽。其特征是所述带有偏移和沟槽的S弯曲光波导结构在S形波导中输入直波导和第一段弯曲波导段连接处、曲率相反半径相同的弯曲波导段连接处和第二弯曲波导段与输出直波导段连接处分别引入一定的偏移，在两个弯曲弧段外侧分别加入两个形状相同的沟槽，沟槽内填充空气，波导芯宽一致，波导芯层和包层折射率存在较小差值。具有较小折射率差的S形波导在较小弯曲半径下会产生显著的弯曲损耗，通过引入合适尺寸的偏移和沟槽可以相应得减少S弯曲波导中存在的过渡损耗和辐射损耗，从而达到S形弯曲波导的低损耗传输。
一种带有偏移沟槽弯曲波导

[发明专利]利用预成形玻璃光导线制造芯片到芯片光学接口的引线接合方法-CN202210548077.7在审
发明人： A·克里切夫斯基;B·谢 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光子集成电路(PIC)封装，包括第一管芯，第一管芯包括第一光波导和从第一管芯的第一边缘延伸到第一光波导的第一沟槽。第一沟槽与第一光波导对准。第二管芯包括第二光波导和从第二管芯的第二边缘延伸到第二光波导的第二沟槽。第二沟槽与第二光波导对准。包括未包覆玻璃光纤的光导线包括在第一沟槽内延伸的第一端子部分和在第二沟槽内延伸的第二端子部分。第一端子部分与第一光波导对准并且第二端子部分与第二光波导对准。
利用成形玻璃导线制造芯片光学接口引线接合方法

[实用新型]一种动态可调的沟槽形波导结构-CN201822045602.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州雷目电子科技有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种动态可调的沟槽形波导结构，包括波导层和衬底，波导层中有沟槽波导，沟槽波导中覆盖有低折射率介质层，低折射率介质层上覆盖有调控层，调控层为热致折射率改变的材料。通过调节调控层温度，改变调控层折射率，从而实现了沟槽形波导结构中的传播的电磁波模式。该结构具有调控方法简单、电磁波模式面积小等优点。
调控层波导结构沟槽形低折射率介质层电磁波模式动态可调沟槽波导波导层折射率本实用新型衬底覆盖调控传播

[发明专利]一种具有调制器的激光芯片、准备方法及光模块-CN202110726600.6在审
发明人：李静思;陈骁 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供的具有调制器的激光芯片、准备方法及光模块，包括：N电极层、N型半导体材料层、有源层、上波导层、P型半导体材料层；还包括：第一脊波导沟槽，贯穿至N型半导体材料层；第二脊波导沟槽，贯穿至N型半导体材料层，与第一脊波导沟槽之间设置有脊波导；第一钝化层，覆盖设置在脊波导一侧的P型半导体材料层的上方以及第一脊波导沟槽内；第二钝化层，覆盖设置在脊波导另一侧P型半导体材料层的上方以及第二脊波导沟槽内；第一P电极层，设置在P型半导体材料层上方的第二钝化层上；第二P电极层，设置在脊波导上；悬浮电极，悬空设置在第二脊波导沟槽上，电连接第一P电极层和第二P电极层。
一种具有调制器激光芯片准备方法模块

[发明专利]硅光芯片与平面波导阵列的封装方法及其封装结构-CN202111045226.X在审
发明人：贾连希 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种硅光芯片与平面波导阵列的封装结构及其制备方法，该封装结构包括：硅光芯片，包括多条并排设置的第一光波导；平面波导阵列包括多条并排设置的第二光波导，且多条第一光波导与多条第二光波导一一对应对接耦合；对接耦合结构，包括刻蚀硅光芯片一端表面至硅衬底中形成的第一端沟槽及刻蚀平面波导阵列的基底层一端形成的第二端沟槽，第二端沟槽反向套嵌于第一端沟槽的上方；匹配粘合层，粘合硅光芯片、平面波导阵列及对接耦合结构通过设置对接耦合结构，可使硅光芯片与平面波导阵列通过第一端沟槽及第二端沟槽实现两者端面之间的直接接触耦合，有效降低封装结构的耦合损耗，且通过匹配粘合层固定，结构牢固可靠。
芯片平面波导阵列封装方法及其结构

[发明专利]一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导-CN201811273441.3有效
发明人：惠战强;杨敏 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种1530nm到1580nm波段范围内的双槽型大负色散波导，所述大负色散波导以二氧化硅为衬底，在衬底上左右两侧分别分布一个垂直型沟槽波导。其中左侧沟槽波导包括高材料折射率的氮化硅夹板层和低材料折射率的空气槽芯，右侧沟槽波导包括高材料折射率的硅夹板层和低材料折射率的二氧化硅槽芯。本发明利用沟槽波导实现对光波模场强有力地束缚，光波能量能在左右两侧的沟槽波导之间相互转移，实现负极值色散特性，一方面避免使用条形波导存在的模场发散问题，另一方面利用沟槽波导的多几何参数特性，使得色散特性灵活可调，同时使用大负色散波导对光纤通信系统的色散累积量进行补偿，避免了传统色散补偿光纤存在的物理尺寸过大问题。
一种 1530 nm 1580 波段范围内双槽型大负色散波导

[实用新型]一种单纵模F-P激光器的沟槽结构-CN202122326283.7有效
发明人：姚中辉;张子旸;陈红梅;蒋成;王洪培 -专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单纵模F‑P激光器的沟槽结构，包括基片以及脊型波导，所述脊型波导位于所述基片的顶部，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置沟槽位于基片中，能够在基片各层的外延生长过程中采用紫外光刻机光刻形成沟槽，相较于直接在脊型波导上刻蚀，无需增加刻蚀深度，简化了工艺而且提高了成品率；而且掩埋结构的沟槽制备在更加接近有源区的位置，极大的提高了耦合效率
一种单纵模激光器沟槽结构

[发明专利]大截面脊波导基横模大功率半导体激光器-CN202310224441.9在审
发明人：刘尚军;张靖;李志伟;骆小顺;刘刚明;冯琛;孟钰淋;朱长林 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种大截面脊波导基横模大功率半导体激光器，包括衬底以及依次设置在所述衬底上的缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱有源层、P波导层、P限制层和P接触层；所述P接触层通过刻蚀形成有贯穿P接触层和P限制层并伸入P波导层的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽平行设置，在所述第一沟槽和第二沟槽之间的未刻蚀部分形成脊波导。本发明中，N波导层的厚度大于P波导层，使得光场被拉向N掺杂区域，从而减小光损耗，可以在增大脊波导宽度的情况下使脊部结构有效折射率与两侧有效折射率差仍小于0.5％，在实现基横模输出保持良好的光束质量的同时
截面波导基横模大功率半导体激光器

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