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[发明专利]塑料件涂装前的处理方法-CN200710029397.7无效
发明人：胡文龙 -专利权人：佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
申请日： 2007-07-27 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： B05D1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种塑料件涂装前的处理方法，其中，该处理方法主要包括以下步骤：首先针对塑料件上存在结合线、气痕及模痕等缺陷状况配制相应强度的消痕水；然后对塑料件上存在缺陷的喷涂面进行整体喷涂消痕水；最后对塑料件喷涂油漆本发明所述之塑料件涂装前的处理方法，在喷涂油漆前进行消痕水喷涂，且所述消痕水的主要成分为白电油及稀释剂。本发明有效的处理了塑料件上的结合线、气痕等状况，避免了人工打磨造成的塑料件间的外观差异，且增加了油漆在塑料件上的附着力。
塑料件涂装前处理方法

[发明专利]湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置和方法-CN201911387369.1在审
发明人：刘宁;宋振伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的装置，湿法清洗机台包括：晶圆传输手臂，晶圆容器，湿法清洗腔。晶圆传输手臂包括多个晶圆抓。各晶圆抓设置在手臂杆上且各晶圆抓的开口向下。在晶圆传输手臂上还设置有气体管路，气体管路中设置有吹气孔；当晶圆传输手臂抓取一批次的晶圆时，吹气孔位于各晶圆的上方并对晶圆表面吹气，利用惰性气体或氮气保护晶圆表面，避免晶圆长时间暴露在空气中，产生水痕缺陷本发明还提供一种湿法清洗机台中改善水痕缺陷的方法。本发明能改善水痕缺陷，提高产品良率。
湿法清洗机台改善缺陷装置方法

[发明专利]评估半导体制程的方法-CN200310122955.6有效
发明人：廖奇泊;汪国兴;傅焕松 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：而后，观察该多晶硅层与该隔离层间是否存在水痕缺陷，并计算水痕缺陷的数量，再根据该水痕缺陷的数量判断该半导体制程的优劣程度。
评估半导体方法

[发明专利]一种有效减少水痕缺陷的方法-CN201110265322.5有效
发明人：徐友峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种有效减少水痕缺陷的方法，用于晶片在形成双多晶硅栅的过程中的清洗工艺，当晶片退火（anneal）之后，在进行钨金属硅化物的淀积之前先进行所述清洗工艺，其特征在于，所述清洗工艺包括如下步骤：将所述晶片送入湿式蚀刻清洗系统中；湿法蚀刻所述晶片以去除有机物和微粒子，再对所述晶片进行干燥处理，使所述晶片表面为亲水性表面，以降低水痕缺陷的形成；干法蚀刻去除所述晶体表面的氧化层，以避免水痕残留。
一种有效减少缺陷方法

[发明专利]减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法-CN201110255768.X无效
发明人：徐友峰;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少水痕缺陷的晶片清洗方法，包括：采用氢氟酸溶液清洗晶片；采用去离子水清洗所述晶片；对所述晶片进行干燥处理；其中，所述氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂。本发明在氢氟酸溶液和/或去离子水中添加了表面活性剂，由于表面活性剂能改善晶片表面的斥水性状况，减少了水痕缺陷产生的几率。
减少缺陷晶片清洗方法半导体器件制造

[实用新型]一种缺陷磁痕测量系统-CN202020740161.5有效
发明人：陈新波;李小丽;汪占彬;李春 -专利权人：中国人民解放军海军航空大学青岛校区;秦皇岛市盛通无损检测有限责任公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G01N27/84 文献下载
摘要：本申请涉及一种缺陷磁痕测量系统，该系统包括：采集单元，用于采集磁化后的被检件的图像信息；识别单元，用于判断图像信息中是否存在缺陷磁痕，获取缺陷磁痕检测结果；控制器，用于根据缺陷磁痕检测结果，确定缺陷磁痕的长度本申请提供的技术方案，实现了缺陷磁痕测量的自动化，提高了缺陷磁痕测量的可靠性和准确性。
一种缺陷测量系统

[发明专利]一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法-CN201110183448.8无效
发明人：徐友峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法，用于外延硅或者外延锗硅生长之前的晶片的清洗，其中，包括：步骤S1：在化学槽一中用SC1溶液清洗晶片；步骤S2：在化学槽二中用去离子水清洗晶片表面残留的SC1溶液；步骤S3：在化学槽三中用SC2溶液清洗晶片；步骤S4：在化学槽四中用去离子水清洗晶片表面残留的SC2溶液；步骤S5：在化学槽五中，首先用氢氟酸处理晶片，然后用去离子水溢流方式清除晶片表面残留的氢氟酸溶液本发明的一种有效减少水痕缺陷的晶片清洗方法，可有效避免将晶片从水溶液中取出后再放入溶液以及在传送过程中所造成的水痕缺陷的形成，工艺过程简单易控制。
一种有效减少缺陷晶片清洗方法

[发明专利]基于深度学习的磁痕缺陷识别方法及系统-CN202310500718.6在审
发明人：薛帅;刘俊志;许伟;孙康;张静;沈洋;谢小荣 -专利权人：北京理工大学珠海学院
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及无损检测技术领域，公开了基于深度学习的磁痕缺陷识别方法及系统，该方法包括：步骤1：在光照条件下采集磁化后的待检件的图像；步骤2：对采集图像进行图像处理，获取二值化处理结果和RGB数值；步骤3：将二值化处理结果和RGB数值分别与磁痕缺陷模型数据库中的数据进行比对；步骤4：基于比对结果生成待检件的磁痕缺陷识别结果；步骤5：将具有磁痕缺陷的待检件的图像和磁痕缺陷识别结果作为训练样本进行深度学习，并将深度学习结果输入磁痕缺陷模型数据库该系统适用该基于深度学习的磁痕缺陷识别方法。本申请的基于深度学习的磁痕缺陷识别方法及系统，检测流程自动化程度较高，检测结果的准确度高、可靠性高。
基于深度学习缺陷识别方法系统

[发明专利]一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质-CN202310894768.7在审
发明人：刘伟 -专利权人：山西东明光伏科技有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取单晶硅片图像，单晶硅片图像中包括多条线痕；对单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；判断偏离值是否不大于预设偏离值；若是，则确定单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定单晶硅片存在线痕缺陷。本申请有效提高了单晶硅片线痕缺陷检测的准确度。
一种单晶硅缺陷检测方法装置电子设备介质

[发明专利]一种柔性IC基板凹凸痕缺陷的精密视觉检测系统及方法-CN201710775649.4有效
发明人：胡跃明;李翼 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：发明公开了一种柔性IC基板凹凸痕缺陷的精密视觉检测系统及方法，该系统包括激光测距系统、凹凸痕智能检测模块及凹凸痕智能分析模块组成。该方法包括如下步骤：1）对激光测距系统进行标定2）激光测距系统高速移动激光扫描基板，并最终返回包括基板在内的测量范围内的点距离数据集；3）获得IC基板的完整密集点云数据；4）凹凸痕智能检测模块分割提取IC基板上凹凸痕缺陷的候选点云区域；5）将一块块点云区送至凹凸痕智能分析模块，分析该区域是否属于凹凸痕缺陷；6）若是，进行统计，将统计结果与国家标准要求进行比对，返回该判断结果。本发明能较好地避免旋转、平移、缩放等引起的缺陷误报，对凹凸痕缺陷及其他缺陷有较好的识别能力。
一种柔性 ic 凹凸缺陷精密视觉检测系统方法

[发明专利]汽车零件镀锌工艺中的表面羽痕控制方法及装置-CN202211010675.5有效
发明人：王冲 -专利权人：南通浩盛汽车科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及控制、调节技术领域，具体涉及一种汽车零件镀锌工艺中的表面羽痕控制方法及装置，该方法是一种可用于集成电的自动控制器的方法，具体为：对镀锌板的表面图像进行滤波、聚类等处理，得到差异明显区域和差异不明显区域；分别计算各差异明显区域和差异不明显区域特征相似度，获取大于预设阈值对应的差异不明显区域为缺陷不明显区域；根据缺陷不明显区域和差异明显区域的分割结果得到羽痕缺陷区域，根据羽痕缺陷区域对相应位置的轧制力进行调整，能够完整的检测出羽痕缺陷，能够实现对羽痕缺陷的控制，并减少羽痕缺陷出现的概率。
汽车零件镀锌工艺中的表面控制方法装置

[发明专利]使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法-CN200610151549.6无效
发明人：郑载昌;文承灿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法，其包括在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前，以至少大约40℃的水预先处理晶片，藉以有效地减少水痕缺陷。
使用浸没光刻法制半导体装置方法

[发明专利]一种塑件表面波流痕的缺陷检测方法-CN202310994999.5有效
发明人：唐衍超;赵辉 -专利权人：山东华航高分子材料有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，具体涉及一种塑件表面波流痕的缺陷检测方法。该方法包括：采集塑件表面的待检测图像，对待检测图像进行边缘检测，以确定待检测图像中的疑似波流痕区域；对疑似波流痕区域进行骨架提取，得到第一疑似波流痕曲线；获取第一疑似波流痕曲线的延展程度，根据延展程度，获取第一疑似波流痕曲线与其他疑似波流痕曲线之间的延展相似度；根据延展相似度，从第一疑似波流痕曲线中确定第二疑似波流痕曲线；获取第二疑似波流痕曲线的周期程度，根据周期程度判断第二疑似波流痕曲线是否为波流痕曲线，得到判断结果；根据判断结果，对塑件表面进行缺陷检测，得到检测结果。本发明提高了塑件表面波流痕缺陷检测的准确性。
一种表面波流缺陷检测方法

[发明专利]一种缺陷磁痕自动识别系统、方法和可读存储介质-CN202010348826.2在审
发明人：骆国防;冯选明;周海;汪占彬 -专利权人：秦皇岛市盛通无损检测有限责任公司;国网上海市电力公司电力科学研究院;冯选明;汪占彬
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种缺陷磁痕自动识别系统、方法和可读存储介质，该系统包括：磁化单元，用于对被检件进行磁化；图像采集单元，用于采集磁化后的被检件的图像信息；控制器，用于根据磁化后的被检件的图像信息对被检件进行磁痕识别本申请提供的技术方案，实现了识别缺陷磁痕的自动化，提高了缺陷磁痕识别的效率、可靠性和准确性。
一种缺陷自动识别系统方法可读存储介质

[发明专利]基于机器视觉的注塑件表面缺陷分析方法与系统-CN202210476946.X有效
发明人：黄克文 -专利权人：武汉华塑亿美工贸有限公司
申请日： 2022-05-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及机器视觉技术领域，具体涉及一种基于机器视觉的注塑件表面缺陷分析方法与系统，该方法包括：获取注塑件的表面灰度图像，对表面灰度图像进行特征提取得到缺陷区域，并对注塑件的浇口所在位置进行标记；计算缺陷区域内各像素点的梯度值和梯度方向，分别获取缺陷区域内各像素点与注塑件的浇口所在位置的连线，并获取缺陷区域内各像素点梯度方向与连线的夹角，记为气痕延伸角；统计缺陷区域内各像素点的梯度值和气痕延伸角构成的二元组，得到缺陷评价值；基于缺陷评价值计算缺陷分类系数；根据缺陷分类系数与设定范围进行缺陷区域的缺陷类型判断。本发明能够准确分析出产生气痕缺陷的原因，使工人能够有针对性的处理具有气痕缺陷的注塑件。
基于机器视觉注塑表面缺陷分析方法系统

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