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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种氮化铝混合电路管壳-CN201921021632.0有效
发明人：黄剑;张倩;周赛;汪力;苏碧云;王文珍 -专利权人：西安石油大学
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H05K5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝混合电路管壳，包括氮化铝壳体，氮化铝壳体的上下两侧对称设置有多个可伐合金引线，可伐合金引线外部设置有封接玻璃，多个可伐合金引线依次间隔贯穿设置在氮化铝壳体上。本实用新型氮化铝混合电路管壳可以更广泛的应用到电子元器件封装领域，使得其寿命大大提升。
一种氮化混合电路管壳

[发明专利]氮化铝烧结体的接合方法及氮化铝接合体-CN200780012378.1无效
发明人：金近幸博;东正信;安冈正喜;渡利広司 -专利权人：德山株式会社;独立行政法人产业技术总合研究所
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明提供可以高效且牢固地将氮化铝烧结体相互接合的接合方法。本发明的氮化铝烧结体的接合方法的特征在于，在一个氮化铝烧结体的接合面和另一个氮化铝烧结体的接合面之间配置含有烧结助剂的中介物，通过电磁波照射加热所述中介物来使所述氮化铝烧结体相互接合。
氮化烧结接合方法

[发明专利]高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201611140041.6在审
发明人：金荣善 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法，该高迁移率氮化镓半导体器件包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。上述氮化镓半导体器件能改善氮化镓功率器件的电子迁移率特性，可以改善使用un‑GaN/InGaN/AlGaN layer的2DEG的效果。
迁移率氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]高迁移率氮化镓半导体器件-CN201621363837.3有效
发明人：金荣善 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件，该高迁移率氮化镓半导体器件包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。上述氮化镓半导体器件能改善氮化镓功率器件的电子迁移率特性，可以改善使用un‑GaN/InGaN/AlGaN layer的2DEG的效果。
迁移率氮化半导体器件

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910788603.5在审
发明人：许祐铭;王裕齐;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一氮化铝镓层，一氮化镓层设置于氮化铝镓层下方，一氧化锌层设置于氮化镓层下方，一源极电极和一漏极电极设置于氮化铝镓层之上以及一栅极电极设置于氮化铝镓层上并且位于源极电极与漏极电极
电子迁移率晶体管

[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管-CN202211215531.3在审
发明人：李孟泽;刘杰;黄汇钦 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请适用于晶体管技术领域，提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管。氮化镓高电子迁移率晶体管包括衬底、氮化铝成核层、铝镓氮势垒层及钝化层；钝化层中设置有与铝镓氮势垒层相接触的源极、漏极及栅极；氮化镓高电子迁移率晶体管还包括氮化铝缓冲层和N‑1个浮空场环，其中，氮化铝缓冲层位于氮化铝成核层与氮化镓缓冲层之间，氮化铝缓冲层与氮化铝成核层相接触，且氮化铝缓冲层与氮化镓缓冲层的接触面为包括N个阶梯的阶梯式结构；N‑1个浮空场环设置在钝化层中远离铝镓氮势垒层的一侧，且每个浮空场环位于一个阶梯在所述钝化层的映射区内这种氮化镓高电子迁移率晶体管的泄露电流小、电场分布均匀，因此击穿电压较高，适用范围较大。
一种氮化电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法-CN201910553143.8在审
发明人：李凯霖;李志成;陈威任 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管和调整二维电子气体电子密度的方法，其中高电子迁移率晶体管包含一氮化镓层，一氮化铝镓层设置于氮化镓层上，氮化铝镓层具有一伸张应力，一源极电极以及一漏极电极设置于氮化铝镓层之上，一栅极电极设置于源极电极与漏极电极之间的氮化铝镓层上，至少一个氧化硅层埋入于氮化铝镓层中，其中氧化硅层是利用流动式化学气相沉积所制作，氧化硅层提升氮化铝镓层中的伸张应力。
电子迁移率晶体管调整二维气体电子密度方法

[发明专利]一种纳米氮化铝改性熔盐及其制备方法-CN201510652955.X在审
发明人：郑叶芳 -专利权人：郑叶芳
申请日： 2015-10-11 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种改性熔盐，特别涉及一种纳米氮化铝改性熔盐及其制备方法。一种纳米氮化铝改性熔盐，该纳米氮化铝改性熔盐由熔盐和纳米氮化铝组成，所述的纳米氮化铝与熔盐的质量比为0.1～15：100。利用复合技术将纳米氮化铝应用于三元硝酸熔盐的改性，可提高其热传导性能及改善其他热物性，扩大其应用范围，为实现熔盐传热蓄热材料的高性能化提供了一种新的途径。
一种纳米氮化改性及其制备方法

[发明专利]一种以乙酰丙酮钇为烧结助剂的氮化铝陶瓷的制备方法-CN202310654590.9在审
发明人：李美娟;王传一;王传彬;沈强 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用乙酰丙酮钇作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷的方法，乙酰丙酮钇粉末与有机溶剂混合并加热后，加入一定质量比的氮化铝粉末，然后进行混合并球磨，得到混合粉末；所得混合粉末进行等离子活化烧结，得到氮化铝陶瓷块体材料本发明开发了乙酰丙酮钇作为氮化铝烧结助剂的新用途，将其作为烧结助剂制备氮化铝陶瓷有效解决了氮化铝粉体烧结中因氧杂质含量较高导致热导率降低的问题。
一种乙酰丙酮烧结助剂氮化陶瓷制备方法

[发明专利]氮化铝陶瓷的制备方法及采用该方法制备的氮化铝陶瓷-CN200910190563.0有效
发明人：朱淑丽;林信平;林勇钊;周龙飞 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化铝陶瓷的制备方法及采用该方法制备的氮化铝陶瓷，通过该方法制备的氮化铝陶瓷包括氮化铝、烧结助剂，其中，烧结助剂为稀土金属氧化物、碱土金属氧化物、金属氟化物中的一种或多种，该氮化铝陶瓷的密度为3.35-3.39g/cm3，导热率为160-180K/m.k，与现有技术相比，本发明所提供的方法制得的氮化铝基片同时具备致密度高、导热性能好的特点。
氮化陶瓷制备方法采用

[发明专利]一种氮化铝陶瓷覆铜板及其制备方法-CN201710317008.4有效
发明人：宋忠孝;唐宁 -专利权人：昆山昊盛泰纳米科技有限公司
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板，该覆铜板依次由氮化铝陶瓷基底、NiCr结合过渡层、脉冲磁控溅射Cu层结构组成，本发明还公开了该种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，步骤如下：A、对氮化铝陶瓷基底进行清洗；B、使用磁控溅射沉积NiCr结合过渡层；C、NiCr结合过渡层上利用脉冲磁控溅射铜层；得到氮化铝陶瓷覆铜板。本发明相比一般氮化铝陶瓷金属化的结构，具有制备过程无污染，膜层质量高，结合强度大，工艺兼容性强等优点。
一种氮化陶瓷铜板及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法-CN202011492204.3有效
发明人：田无边;杨勇;刘乔丹 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷表面快速覆铜方法，包括以下步骤：步骤一：将氮化铝陶瓷基片置于水溶液中进行水解处理，使氮化铝陶瓷片表面形成一层用于结合Cu的AlOOH或Al(OH)3薄膜产物；步骤二：将Cu与水解处理后氮化铝陶瓷片表面相对贴合，在低于Cu熔点温度下烧结，得到表面覆铜的氮化铝陶瓷基板。本发明在高温烧结时可一步达成水解产物分解、Cu表面氧化及氮化铝表面覆铜的方法，快速高效。
一种氮化陶瓷表面快速方法

[发明专利]包含由氮化铝烧结体构成的部件和高熔点金属部件的接合体的制造方法-CN200780039758.4无效
发明人：金近幸博;东正信 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2007-10-22 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明其特征在于，其为制造包含由氮化铝烧结体构成的部件和高熔点金属部件的接合体的方法，其中，该方法包括以下工序：工序(I)，在前述由氮化铝烧结体构成的部件的接合预定面上形成氮化铝的多孔质层；工序(II)，将含有氮化铝和高熔点金属的混合糊剂，于前述氮化铝的多孔质层和前述高熔点金属部件的接合预定面之间，以含浸于该多孔质层的状态夹设，并将该混合糊剂中的氮化铝和高熔点金属烧结。
包含氮化烧结构成部件熔点金属接合制造方法

[发明专利]氮化镓晶体管及其制作方法-CN201610178228.9在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，尤其涉及一种氮化镓晶体管及其制作方法。其中，氮化镓晶体管，包括硅衬底层；氮化镓缓冲层，所述氮化镓缓冲层制作于所述硅衬底层表面；氮化铝镓势垒层，所述氮化铝镓势垒层制作于所述氮化镓缓冲层表面；氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层制作于所述氮化铝镓势垒层表面；所述氮化硅钝化层上分别设置有源极、漏极及栅极，所述源极、所述漏极及所述栅极穿透所述氮化硅钝化层并延伸至所述氮化铝镓势垒层表面；其中，所述栅极与所述氮化铝镓势垒层之间设置有用于和氧相关陷阱结合的金属薄层本发明实施例的氮化镓晶体管及其制作方法，能够改善氮化镓晶体管的电流崩塌效应。
氮化晶体管及其制作方法

[发明专利]一种氮化铝粉体及其制备方法和包括氮化铝粉体的覆铜板-CN202210827113.3有效
发明人：杨斌;陈功田 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝粉体，所述氮化铝粉体的平均粒径为0.5‑1.5微米，并且所述氮化铝粉体还掺杂有0.3‑0.5at%的铌。本发明还提供了一种所述氮化铝粉体的制备方法，包括如下步骤：将可溶性铝盐和可溶性铌盐溶于水后调节pH值至中性，得到氢氧化铝和氢氧化铌沉淀，将氢氧化铝和氢氧化铌沉淀与碳混合，于氮气气氛下进行加热，当加热至1400‑1800℃时，得到所述氮化铝粉体。本发明还提供了一种包括所述氮化铝粉体的覆铜板。
一种氮化铝粉体及其制备方法包括铜板

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