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[发明专利]一种小球藻-光合菌-硅藻共生体系及小球藻激活扩培方法-CN202310837314.6在审
发明人：张金燕;蔡阳富;冯子翡;陈彦兴 -专利权人：广东绿百多生物开发有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C12N1/12 文献下载
摘要：本申请设计微生物的领域，更具体地说，它涉及一种小球藻‑光合菌‑硅藻共生体系及小球藻激活扩培方法。该方法包括如下步骤：S1、准备海水培养基或人工海水培养基，添加小球藻、光合菌和硅藻必需的无机盐、有机物和微量元素；S2、将活化完毕的光合菌单一菌株接种至上述培养基中，得到菌培养液；S3、将硅藻、小球藻的单一菌株接种至上述培养基中，控制温度为20～25℃，pH为7.5～9，以50～200μmol/(m2.s)的光照照射培养；得到硅藻、小球藻、光合菌的共生体系；本申请的硅藻、小球藻和光合菌相互依存、相互促进，共同构建了一个相对稳定的系统，弥补了小球藻和光合菌二者的共生系统的不足，对小球藻的扩培起到促进作用，从而对海洋中岩石的生成起到促进作用。
一种小球藻光合硅藻共生体系激活方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201810035934.7有效
发明人：丁煦;林猷颖;陈彦兴;陈俊仁;游峻伟;林耿任;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法。半导体装置包括半导体基底、隔离结构、包覆层与栅极结构。半导体基底包括多个鳍状结构。隔离结构设置于多个鳍状结构之间。各鳍状结构包括第一部分与第二部分。第一部分设置于隔离结构的上表面之上。第二部分设置于第一部分上。第二部分的宽度小于第一部分的宽度。包覆层设置于各鳍状结构的第一部分与第二部分上，且包覆层具有一曲面。栅极结构跨设于多个鳍状结构上。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202010081665.5有效
发明人：许祐铭;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包括基底、P型III‑V族化合物层、栅极电极以及含碳层。该P型III‑V族化合物层设置于该基底上，且该栅极电极设置于该P型III‑V族化合物层上。该含碳层设置于该P型III‑V族化合物层下方，作为一扩散阻挡层以阻挡该P型III‑V族化合物层内的掺质在退火时扩散至下方的堆叠层中。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]超晶格结构-CN202110447002.5在审
发明人：许祐铭;郭俊良;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种超晶格结构，其包含一基底，一第一超晶格堆叠层设置在基底上，第一超晶格堆叠层包含一第一超晶格层、一第二超晶格层和一第三超晶格层由下至上依序堆叠，三个应力松弛层分别设置在第一超晶格层和第二超晶格层之间、第二超晶格层和第三超晶格层之间以及第三超晶格上，各个应力松弛层各自包含一III‑V族材料层，应力松弛层的厚度需大于松弛临界厚度。
晶格结构

[发明专利]半导体结构-CN202011620433.9在审
发明人： 陈彦兴;许祐铭;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构，包括一基底，其包括一元件区、一周边区围绕着该元件区，以及一过渡区位于该周边区及该元件区之间。一外延层位于该元件区、该周边区及该过渡区上，其中该外延层位于该过渡区上的一第一部分包括多晶结构。
半导体结构

[发明专利]一种用于商砼的混合砂及其制备方法-CN201910717288.7有效
发明人：王晓东;丛成河;李伟;盛军翔;陈彦兴;马俊俊;陈海波;李成林 -专利权人：荣成市顺达建材有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C04B18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于商砼的混合砂及其制备方法，包括山砂、石屑、海砂，其中山砂、石屑、海砂的质量比为4‑5：3‑4：1‑2。本发明利用各品种砂的优势进行互补解决单一品种的砂某些性能指标不良和不符合要求的问题，使最终产品砼物理性能和力学性能有显著的提高，起到保证砼及砂浆生产质量，降低成本的作用。
一种用于混合及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN202011015488.7在审
发明人： 陈彦兴;许祐铭;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含一基底；一通道层，设于所述基底上；一氮化铝镓层，设于所述通道层上；以及一P型氮化镓栅，设于所述氮化铝镓层上，其中，所述氮化铝镓层包含一第一区域和一第二区域，又其中，所述第一区域的组成不同于所述第二区域的组成。
电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管-CN201911125485.6在审
发明人： 陈彦兴;许祐铭;王裕齐;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一缓冲层设于基底上，其中缓冲层包含一第一缓冲层以及一第二缓冲层，第一缓冲层细部包含第一缓冲层的第一层设于基底上以及第一缓冲层的第二层设于第一缓冲层的第一层上，其中第一缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlyGa1‑yN)且第一缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlxGa1‑xN)。第二缓冲层则包含第二缓冲层的第一层设于第一缓冲层上及第二缓冲层的第二层设于第二缓冲层的第一层上，其中第二缓冲层的第一层包含氮化铝镓(AlwGa1‑wN)，第二缓冲层的第二层包含氮化铝镓(AlzGa1‑zN)且xzyw。
一种电子迁移率晶体管

[发明专利]具有应力松弛层的半导体元件-CN201911042514.2在审
发明人：许祐铭;王裕齐;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种具有应力松弛层的半导体元件，该半导体元件包含一外延基板，外延基板包含一基底，一应力松弛层覆盖并接触基底，一III‑V族堆叠层覆盖并接触应力松弛层，其中III‑V族堆叠层包含氮化铝或氮化铝镓，或包含氮化铝和氮化铝镓两者，III‑V族堆叠层为多层外延结构。
具有应力松弛半导体元件

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910788603.5在审
发明人：许祐铭;王裕齐;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一氮化铝镓层，一氮化镓层设置于氮化铝镓层下方，一氧化锌层设置于氮化镓层下方，一源极电极和一漏极电极设置于氮化铝镓层之上以及一栅极电极设置于氮化铝镓层上并且位于源极电极与漏极电极。
电子迁移率晶体管

[实用新型]一种混凝土物料下料系统-CN201921721781.8有效
发明人：盛军翔;丛成河;韩涛;王晓东;陈彦兴;李成林;马俊俊 -专利权人：荣成市顺达建材有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B28C7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种混凝土物料下料系统，包括下料仓、安装在下料仓上的振动电机，还包括安装在下料仓外壁上的空气锤，所述空气锤为多个，且在下料仓的一对相对侧上，相对侧的各侧上均设置有空气锤。所述下料方法基于所述下料系统，采用本下料系统，不仅能够方便的实现传统的砂下料，同时能够方便的实现锯石粉下料，以方便实现锯石粉回收利用。
一种混凝土物料系统

[发明专利]一种混凝土物料下料系统及下料方法-CN201910974516.9在审
发明人：盛军翔;丛成河;韩涛;王晓东;陈彦兴;李成林;马俊俊 -专利权人：荣成市顺达建材有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B28C7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种混凝土物料下料系统及下料方法，包括下料仓、安装在下料仓上的振动电机，还包括安装在下料仓外壁上的空气锤，所述空气锤为多个，且在下料仓的一对相对侧上，相对侧的各侧上均设置有空气锤。所述下料方法基于所述下料系统，采用本下料系统，不仅能够方便的实现传统的砂石下料，同时能够方便的实现锯石粉下料，以方便实现锯石粉回收利用。
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