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[发明专利]一种氮化铝粉体及其制备方法和包括氮化铝粉体的覆铜板-CN202210827113.3有效
发明人：杨斌;陈功田 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B21/072 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝粉体，所述氮化铝粉体的平均粒径为0.5‑1.5微米，并且所述氮化铝粉体还掺杂有0.3‑0.5at%的铌。本发明还提供了一种所述氮化铝粉体的制备方法，包括如下步骤：将可溶性铝盐和可溶性铌盐溶于水后调节pH值至中性，得到氢氧化铝和氢氧化铌沉淀，将氢氧化铝和氢氧化铌沉淀与碳混合，于氮气气氛下进行加热，当加热至1400‑1800℃时，得到所述氮化铝粉体。本发明还提供了一种包括所述氮化铝粉体的覆铜板。
一种氮化铝粉体及其制备方法包括铜板

[发明专利]一种应用于高密度互联基材的树脂组合物-CN202110603721.1有效
发明人： 陈功田;李海林;李铎;胡文彬;张桢;廖海娟 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种应用于高密度互联基材的树脂组合物，包括有以下质量份组分：改性聚苯醚20‑100份，改性聚丁二烯20‑80份，聚对苯甲酰胺10‑50份，活性酯1‑5份，氰酸酯15‑70份，双马来酰亚胺10‑50份，紫外线吸收剂1‑2份,填充剂1‑50份，固化促进剂1‑5份，引发剂1‑5份,分散剂1‑5份。应用本发明的配方所获得树脂组合物制得的基板具有更高的玻璃化转变温度、更低的热膨胀系数、更高的韧性、更低的吸水率、优良的耐湿性以及优良的阻燃性。本发明的树脂组合物可用于层压板、集成电路封装、基材的高密度互联及高密度互联网等领域，具有广阔的应用前景。
一种应用于高密度基材树脂组合

[发明专利]一种高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板及制备方法-CN202110579176.7有效
发明人： 陈功田;陈建;李海林;彭灿 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板及制备方法，包括有以下质量份的组分：陶瓷粉体30‑75份、聚四氟乙烯分散树脂粉25‑70份、溶剂油15‑25份、无水乙醇5‑10份；通过将陶瓷粉体填充聚四氟乙烯分散树脂粉，配以烷烃类溶剂油、适量无水乙醇，经配料、气流热混、片状挤出、轧模成片、低温烘焙和高温真空成型等工序后，获得具有超低介质损耗、稳定可调的介电常数、优良的尺寸稳定性及耐候性，并且能够满足高频的高频超低介质损耗微波陶瓷覆铜板。本发明工艺简单、环保以及可大批量工业化生产，产品性能优越具有超低介质损耗、稳定的介电常数、优良的尺寸稳定性及耐候特性等，非常适合应用于无线毫米波通信等相关设备。
一种高频介质损耗微波陶瓷铜板制备方法

[发明专利]一种氮化铝薄膜及其制备方法和应用-CN202211617733.0在审
发明人：杨斌;杨雪倩;陈功田 -专利权人：湖南大学;高斯贝尔数码科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜包括多晶氮化铝；所述多晶氮化铝掺杂有6.5‑7.5at.％的钽；所述多晶氮化铝的晶面取向为(002)；所述多晶氮化铝的晶胞参数中的c值为0.512nm。本发明还提供了一种所述的氮化铝薄膜的制备方法，具体包括在常温下采用AlTa合金靶于惰性气体与氮气的混合气氛下向基板进行磁控溅射，从而得到所述氮化铝薄膜。本发明还提供了一种所述氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器领域的应用。
一种氮化薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法和应用-CN202211208175.2在审
发明人： 陈功田;邓万能;李秋均;吴娟英;廖海娟 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电常数的微波介质陶瓷，所述微波介质陶瓷的分子式为BaxSryBizCuSi2O6；其中0.89≤x≤0.93；0.01≤y≤0.04；0.02≤z≤0.08。本发明还提供了所述微波介质陶瓷的制备方法和应用。本发明提供的微波介质陶瓷具有较低的烧结温度，在800‑940℃/3h就能排胶与烧结一次完成。同时本发明提供的微波介质陶瓷还具有节能环保、低介电常数，较高的机械强度、较好的热稳定性，较高的品质因数Q值和接近零的谐振频率的温度系数。本发明提供的微波介质陶瓷不含重金属等有害元素，符合国际电子联盟ROHS要求。
一种介电常数微波介质陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]5G通信基站用陶瓷滤波器材料及其制备方法-CN202010637371.6有效
发明人：李秋均;肖练平;陈功田;吴娟英;何坚兵 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明公开一种5G通信基站用陶瓷滤波器材料及其制备方法，材料包括有以下重量百分比原料：二氧化钛54％～58％；碳酸钙4％～6％；氧化镁28％～32％；氧化锌5％～7％；氧化锆1％～2％；微量添加物：氧化锰0.1％～0.3％；碳酸锂0.05％～0.1％。采用本发明配方和方法制备得到的材料，其介电常为20.5±0.1，Q.f值高达90000GHz以上，谐振频率温度系数接近零PPm/℃，性能上得到了很大的提升，本发明材料可作为环保微波用滤波器和振荡器等电子元器件的关键核心材料使用，而广泛应用于移动通信、卫星通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLA)等现代通信行业，具有重要工业应用价值。
通信基站陶瓷滤波器材料及其制备方法

[发明专利]FBAR谐振器组合结构、FBAR滤波器提升带宽结构及其制造方法-CN202211392290.X在审
发明人：杨斌;陈功田 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种FBAR谐振器组合结构、FBAR滤波器提升带宽结构及其制造方法，其包括第一谐振单元及第二谐振单元，所述第一谐振单元与第二谐振单元连接，所述第一谐振单元并联连接有第一电感，所述第一电感串联连接有第一电容；和/或所述第二谐振单元串联连接有第二电感，所述第二电感并联连接有第二电容。本发明通过在第一谐振单元上并联连接第一电感，配合第一电感串联连接第一电容，和/或在第二谐振单元上串联第一电感，配合第二电感并联连接第二电容，可成倍的增加了第一谐振单元及第二谐振单元组合的FBAR滤波器的有效带宽，而且，还能与第一谐振单元及第二谐振单元组合形成的FBAR滤波器的性能一致。
fbar 谐振器组合结构滤波器提升带宽及其制造方法

[发明专利]一种高速低损耗树脂组合物及其应用-CN202211138765.2在审
发明人：邓万能;陈功田;李海林;张桢;桂鹏;陈建 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速低损耗树脂组合物，包括树脂化合物、苯并环丁烯化合物及其衍生物中的至少一种、促进剂和填料混合物；树脂化合物含有至少一个如式(1)所示的结构式：式(1)中，R1‑R4各自独立的选自氢原子、烷基、烯基、炔基或卤代烃。本发明还公开了一种高速低损耗树脂组合物在制备预浸料、带树脂的膜、带树脂的金属箔、覆金属箔层压板和布线板中的应用。本发明树脂组合物的固化物具有优异的耐热湿性，较高的玻璃砖变化温度，较低的介电常数，较低的介质损耗，较低的膨胀系数，以及优秀的耐热能力，同时具有良好的加工性，能充分满足高性能印刷电路板对高频和高速的需求。
一种高速损耗树脂组合及其应用

[发明专利]一种含苯并环丁烯树脂的高速低耗树脂组合物及其应用-CN202211139385.0在审
发明人：邓万能;陈功田;李海林;张桢;桂鹏;文经豪 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种含苯并环丁烯树脂的高速低耗树脂组合物，包括：树脂化合物A，苯并环丁烯化合物及其衍生物B和促进剂C；其中，所述树脂化合物A分子结构中至少含有说明书中式(1)所示结构：该树脂组合物的固化物具有低介电常数、低介质损耗以及优秀的耐热能力，同时具有良好的加工性等优点。此外本发明的目的还在于提供一种含上述树脂组合物所得到的预浸料、膜、金属箔、层压板和布线板。
一种丁烯树脂高速低耗组合及其应用

[发明专利]低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法、电子元器件-CN202110134952.2有效
发明人： 陈功田;李秋均;吴娟英;肖练平;何坚兵 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温共烧微波介质陶瓷材料及其制备方法、电子元器件，包括有以下质量百分比的原料：碳酸钙48%‑52%；氧化镁6%‑8%；二氧化钛6%‑8%；二氧化硅36%‑38%；氧化锰0.1%‑0.2%；氧化锂0.5%‑1%；氧化铋1%‑3%。将上述组分经过配料、一次球磨、煅烧、二次球磨、造粒、成型、装钵烧结的液相反应工序烧结成的共烧微波介质陶瓷材料，介电常数低，品质因数Q值高，并且谐振频率温度系数接近0；其次，氧化锰在高温条件下会产生液相，促进烧结，降低烧结温度，减少能源的消耗；再者，此制备方法在制备过程中不产生污染。
低温微波介质陶瓷材料及其制备方法电子元器件

[发明专利]一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器-CN202210076682.9有效
发明人：杨斌;陈功田;孙景 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪；所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%‑8.7%；所述氮化铝薄膜的晶面取向为（002）；所述氮化铝薄膜的制备方法包括如下步骤：S1于惰性气体下向Si表面溅射沉积Mo过渡层得到基底；S2在包括氮气和氩气的混合气体环境下，采用铝靶、钪靶和锗靶同时向所述基底表面溅射沉积氮化铝。本发明还提供了一种薄膜体声波滤波器。本发明提供的掺杂钪和锗的氮化铝薄膜，其在较低的钪掺杂量的情况下仍具有较高机电耦合系数。本发明提供的氮化铝薄膜的机电耦合系数高达8.7%。
一种氮化薄膜及其制备方法声波滤波器

[发明专利]低温烧结黑色氧化铝陶瓷-CN202111417128.4在审
发明人： 陈功田 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温烧结黑色氧化铝陶瓷。其制备的封装管壳、基片、基板、LED显示屏等产品应用于遮光用的电子集成电路中。该陶瓷材料的制造原料含有：氧化铝、氧化钴、二氧化钛，二氧化硅、氧化锰、碳酸锂、氧化铋、五氧化二矾等组分；将上述组分经过配料、一次球磨、造粒、成型、装钵烧结的固相反应工序烧结成黑色氧化铝陶瓷。本发明具有较低的烧结温度在1280‑1320℃/3h就能致密烧结、节能环保、低介电常数，高机械强度，特别不含重金属等有害元素，符合国际电子联盟ROHS要求。
低温烧结黑色氧化铝陶瓷

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板-CN202111242796.8在审
发明人： 陈功田 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板，由氮化铝粉体、烧结助剂、抗弯复合材料、有机溶剂、消泡剂组成，其组分按重量份数计为：氮化铝粉体70‑90份、烧结助剂2‑6份、抗弯复合材料8‑12份、有机溶剂1‑3份、消泡剂3‑7份；本发明的有益效果是：通过抗弯复合材料进行改性，增强了氮化铝陶瓷基板的抗弯强度方面的性能，增加了氮化铝陶瓷基板的应用范围；单片坯体的正反两面分别喷砂粗化处理，喷砂粗化处理，有助于进一步增加坯体的强度。
一种氮化陶瓷

[发明专利]一种固态型体声波谐振器-CN202111300715.5在审
发明人： 陈功田;肖练平;李秋均 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态型体声波谐振器，包括Si基底层、Ti反射层、Mo反射层、Mo底电极层、MgxZn1‑xO薄膜和Au上电极，所述Si基底层的顶部设置有布喇格反射层，所述布喇格反射层的顶部设置有压电层，所述布喇格反射层包括交替设置的三层Ti反射层和两层Mo反射层；通过采用直流磁控的溅射法,以Ti/Mo为布喇格反射层高低声阻抗材料，优化了溅射功率、衬底温度和溅射气压，从而优化了布喇格反射层表面粗糙度，优化了声波在反射层的反射，同时采用磁控溅射法沉积并以优化制备参数制得MgxZn1‑xO薄膜，可增加压电薄膜的电阻率，并减少高频响应损坏，使得本发明的固态型体声波谐振器具有尺寸小、功耗低、机械度强和可靠性高等优点。
一种固态声波谐振器

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板金属化方法-CN202111415150.5在审
发明人： 陈功田 -专利权人：郴州功田电子陶瓷技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板金属化方法，由氮化铝陶瓷板、高纯度金属银浆料、锡银铜金属浆料、铜箔组成，其组成按工艺流程进行：1)氮化铝陶瓷基板表面处理；2)氮化铝陶瓷基板表面真空镀银；3)银浆高温烧结；4)银层表面处理；5)锡银铜金属浆料印刷；6)重叠铜箔；7)真空炉焊接；本发明的有益效果是：通过一种氮化铝陶瓷基板金属化方法对氮化铝陶瓷基板金属化操作方法简单，焊接温度低，生产制作效率高成本低，附着力强度大。
一种氮化陶瓷金属化方法

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