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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]增加半导体的介电材质的粘附性质的方法-CN00130911.0有效
发明人：蔡正原;林经祥;杨名声 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-11-21 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：然后，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于阻挡层上以形成一第一中间层，其中，粘附促进剂系为一有机材料，例如甲基三丙酮硅氧烷(methyltriacetoxysilane；MTAS)。其次，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于第一介电层上以形成一第二中间层。之后，覆盖形成一蚀刻终止层于第二中间层上。随后，藉由化学气相沉积法(CVD)将粘附促进剂沉积于蚀刻终止层上以形成一第三中间层。然后，覆盖形成一第二介电层于第三中间层上。
增加半导体材质粘附性质方法

[发明专利]有机金属化学气相沉积法用溶液原料及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜-CN200580026949.8无效
发明人：柳泽明男;斋笃;曾山信幸 -专利权人：三菱麻铁里亚尔株式会社
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供具有高成膜特性和优异的梯度被覆性的有机金属化学气相沉积法用溶液原料以及使用该原料制作的复合氧化物类电介质薄膜。其是将1种或2种以上有机金属化合物溶解于有机溶剂而得到的有机金属化学气相沉积法用溶液原料的改进，其特征在于，有机溶剂是1，3－二氧戊环，也可以是第1溶剂与第2溶剂混合而成的混合溶剂，所述第1溶剂含有1，
有机金属化学沉积溶液料及使用原料制作复合氧化物类电介质薄膜

[发明专利]高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件-CN202310234865.3在审
发明人：钟绵增;袁乐;徐子杰;李嘉晨;束传存;夏庆林;何军 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：采用化学气相输运法直接生长镉磷硫晶体；或采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机源化学气相沉积法直接在绝缘衬底上生长镉磷硫晶体。
介电常数镉磷硫晶体制备方法应用电子器件

[发明专利]一种厚氧化薄膜的制作方法-CN201110267088.X无效
发明人：成鑫华;陈立鸣;李琳松;姚嫦娲 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚氧化薄膜的制作方法，该厚氧化薄膜的厚度为4-7微米，该方法包括如下步骤：第一步，采用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法交替沉积氧化薄膜；第二步，退火处理。本发明通过用亚常压化学气相沉积法和等离子辅助化学气相沉积法的交替沉积，并辅助以退火处理调节两种膜质的刻蚀速率，实现了厚氧化膜的制作和满足器件要求的刻蚀形貌。
一种氧化薄膜制作方法

[发明专利]一种多层结构高阻隔薄膜的制备方法-CN201310319310.5有效
发明人：黄尚鸿;陈强;李丽;吴常良;孟涛;曹海燕 -专利权人：中国乐凯集团有限公司
申请日： 2013-07-27 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种多层结构高阻隔薄膜制作的制备方法，它包括以下步骤：a.在透明基材上用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；b.在1～80Pa真空状态下，利用具有刻蚀性能的气体放电形成等离子体对沉积的无机镀层进行刻蚀；c.在上述被刻蚀的无机镀层表面用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层无机镀层；重复上述步骤，得到多层结构高阻隔薄膜。本发明方法工艺简单，设备投入低，得到的高阻隔膜表面平整，阻隔效果好，可以应用于制作高档食品、药品包装材料，也可用于有机太阳能电池或有机电致发光元件等。
一种多层结构阻隔薄膜制备方法

[发明专利]一种聚酰亚胺基板的铜金属化方法-CN02104076.1无效
发明人：梁彤祥;刘杨秋;倪晓军;符晓铭;付志强 -专利权人：清华大学
申请日： 2002-03-08 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明的特征是以乙酰丙酮铜有机金属化合物为前驱体,采用化学气相沉积法进行铜金属化。其制备方法为首先将聚酰亚胺基板表面进行抛光清洗;利用溅射镀膜法在上述处理后的基板表面沉积TiN非晶层;以N2为载气,其流量170－350ml/min,以H2为反应气体,其流量为400－700ml/min,利用化学气相沉积法在TiN非晶层上制备Cu膜,沉积反应温度为220－280℃,前驱体挥发温度为180－270℃。
一种聚酰亚胺金属化方法

[发明专利]一种具有包覆层结构的导热片-CN202010939719.7在审
发明人：任泽明;王号 -专利权人：广东思泉新材料股份有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有包覆层结构的导热片，该导热片表面依次沉积无机层、有机层、无机层，所述的无机层是利用等离子体增强化学气相沉积法沉积，具有导热性和气体阻隔性；有机层为常规化学气相沉积的聚合物层，经热熔处理
一种具有覆层结构导热

[发明专利]含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件-CN200380104449.2有效
发明人：原大治;吉田圭介 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2003-11-28 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供适合于半导体器件用的层间绝缘膜材料的利用化学气相沉积法形成的绝缘膜用材料，由这些材料形成的绝缘膜和使用了该绝缘膜的半导体器件。一种绝缘膜用材料，包含仲烃基和链烯基与硅原子直接连接，或链烯基与硅原子直接连接的有机硅烷化合物，仲烃基和/或链烯基与硅原子直接连接的有机硅氧烷化合物的任一个组成的通式(1)～(4)所示的有机硅化合物，绝缘膜是利用该有机硅化合物的化学气相沉积法形成的
含有有机硅烷有机硅化合物形成绝缘用材制造方法半导体器件

[发明专利]一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法-CN202210141528.5在审
发明人：林潇雄;曹玉飞;褚志强;黄文光;王帅 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种提升LED芯片光取出效率的芯片制造方法，包括：在蓝宝石衬底上通过等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化物层，对氧化物层光刻和腐蚀，得到图形化蓝宝石衬底。之后再通过金属有机化合物化学气相沉积法，生长出LED芯片外延片，通过电感耦合等离子体法在LED芯片外延片上刻蚀出来N型氮化镓。蓝宝石衬底通过等离子增强化学气相沉积法，沉积氧化硅，对LED芯片外延片采用激光切割的方式后，形成隔离槽。采用酸性溶液对隔离槽一次或多次腐蚀，形成预设形状。
一种提升 led 芯片取出效率制造方法

[发明专利]有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置和电子设备-CN202010013626.1在审
发明人：深川刚史;赤川卓;野泽陵一 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：有机电致发光装置的制造方法、有机电致发光装置和电子设备。可抑制质量可靠性的下降。有机电致发光装置的制造方法具有以下工序：在基板上形成有机电致发光元件；利用使用等离子体的化学气相沉积法在所述有机电致发光元件上形成以包括氮的硅类无机材料为主体的第1层；以及利用使用等离子体的原子层沉积法在所述第
有机电致发光装置制造方法电子设备

[发明专利]一种有序有机半导体单晶阵列薄膜的制备方法-CN201410013952.7有效
发明人：阳军亮;周聪华;张翼;杨兵初;高永立;黄文龙;刘方梅;李正元 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有序有机半导体单晶薄膜阵列的制备方法；制备方法是先通过温度梯度法气相沉积或气相传输沉积经过可控生长制备出大尺寸、高长宽比的棒状单晶；再通过溶液超声分散、离心处理、漂浮分散、挤压排列、拉模，制备出大面积、有序排列的有机半导体单晶阵列薄膜；该方法制备的有机半导体单晶阵列薄膜可潜在应用于制备高性能的有机光电子器件。
一种有序有机半导体阵列薄膜制备方法

[发明专利]化学气相沉积用原料及使用了该原料的含硅薄膜形成方法-CN201080004703.1有效
发明人：佐藤宏树;水尾克英;斋藤昭夫;上山润二 -专利权人：株式会社艾迪科
申请日： 2010-02-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。
化学沉积料及使用原料薄膜形成方法

[发明专利]一种OLED的复合柔性衬底结构的制备方法-CN202310775086.4在审
发明人：林啟维 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10K77/10 文献下载
摘要：一种OLED的复合柔性衬底结构的制备方法，包括：通过喷墨印刷、丝网印刷或狭缝涂布的方法形成高分子有机衬底层；通过化学气相沉积或原子沉积的方法制备无机缓冲层；采用化学气相沉积法、磁控溅射沉积法、或脉冲激光沉积法方法制备无机缓冲层可以修饰高分子有机衬底表面，为后续成膜提供平坦表面，而且无机膜较致密，可提高衬底的阻隔水氧性能；VO2薄膜具有较低的相变温度，可吸收后续TFT制造过程中释放的热量，发生相变后，材料的热导率能够提高60％，避免最底下的高分子有机衬底受热变形翘曲，同时VO2薄膜较致密，能进一步提高衬底的阻隔水氧性能。
一种 oled 复合柔性衬底结构制备方法

[发明专利]一种OLED的复合柔性衬底结构的制备方法-CN202310772827.3在审
发明人：林啟维 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K77/10 文献下载
摘要：一种OLED的复合柔性衬底结构的制备方法，包括：通过喷墨印刷、丝网印刷或狭缝涂布的方法形成高分子有机衬底层；通过化学气相沉积或原子沉积的方法制备无机缓冲层；采用等离子体增强化学气相沉积法、磁控溅射沉积法、或脉冲激光沉积法方法制备类金刚石导热层。无机缓冲层，为氮化硅、氧化硅或氧化铝，可以修饰高分子有机衬底表面，为后续成膜提供平坦表面，而且无机膜较致密，可提高衬底的阻隔水氧性能类金刚石膜具有优良的导热性能，可将后续TFT制造过程中的热量横向传导至外界，避免底下的高分子有机衬底受热变形翘曲，而且类金刚石膜具有良好的阻隔水氧性能，可进一步提高衬底的阻隔水氧性能，延长器件的寿命。
一种 oled 复合柔性衬底结构制备方法

[发明专利]半导体元件避免钨插塞损失阻挡层的制造方法-CN98115641.X有效
发明人：何文郁;李森楠;谢松均;陈慧伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 1998-07-03 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一大长径比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨
半导体元件避免钨插塞损失阻挡制造方法

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