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[发明专利]巨量转移装置及巨量转移方法-CN202110594371.7在审
发明人：范春林;萧俊龙;蔡明达;王斌;汪庆 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种巨量转移装置及巨量转移方法，巨量转移装置包括：承载平台、第一调节组件和第二调节组件，承载平台用于放置正对设置的生长基板和暂态基板，且生长基板和暂态基板均与承载平台垂直。第一调节组件位于生长基板背向暂态基板的一侧，并推动生长基板朝向暂态基板移动，第二调节组件位于暂态基板背向生长基板的一侧，并推动暂态基板朝向生长基板移动。通过在巨量转移装置中设置第一调节组件和第二调节组件推动生长基板和暂态基板相对移动，由于第一调节组件和第二调节组件在移动过程中能够保持移动路径的稳定，以使生长基板和暂态基板始终保持正对状态，达到了键合时能够精准对位的目的
巨量转移装置方法

[发明专利]一种转移方法及显示背板-CN202010436578.7有效
发明人：蒲洋;洪温振 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及一种转移方法及显示背板，所述转移方法包括：将生长基板上的微发光二极管转移至设有支撑孔的第一暂态基板上；将表面具有刚性凸起的第二暂态基板的刚性凸起插入所述第一暂态基板的所述支撑孔内，并将所述微发光二极管与所述第二暂态基板的表面粘附；控制所述第二暂态基板发生膨胀带动所述第一暂态基版发生形变，进行扩晶；剥离所述第一暂态基板，使所述微发光二极管转移至所述第二暂态基板；将所述第二暂态基板上的所述微发光二极管转移至背板上。本发明所采用的转移方法，通过转移过程中使暂态基板发生形变来实现对微发光二极管的排列间距的调整，制备方法简单，且在制备过程中不需要另购置大型精密仪器以及贵重原料，制备成本较低。
一种转移方法显示背板

[发明专利]暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法-CN202310699089.4在审
发明人：黄安 -专利权人：天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法。其中，暂态基板组件包括暂态基板以及位于暂态基板一侧的牺牲层、激光释放层和多个发光器件，牺牲层上形成有多个通槽，多个通槽和多个发光器件对应设置，激光释放层位于通槽中，发光器件与对应的通槽中的激光释放层键合连接本发明实施例提供的暂态基板组件及其制备方法、发光器件的转移方法，剥离生长基板产生的异物会附着到牺牲层上，后续在将暂态基板组件上的至少部分发光器件由暂态基板释放转移时，附着在牺牲层上的异物可随牺牲层一起被去除，从而在后续将部分发光器件由暂态基板转移时，发光器件不会受到残留的激光释放层影响而无法被正常释放，提高了激光释放良率。
暂态基板组件及其制备方法发光器件转移

[发明专利]转移方法、显示面板和暂态基板-CN202310357817.3在审
发明人：蒲洋;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种转移方法、显示面板和暂态基板。其中，转移方法包括：提供生长基板和暂态基板，其中，生长基板的表面形成有阳极图案和阴极图案，暂态基板包括有机层；将生长基板和暂态基板对置，阳极图案和阴极图案同时转印至有机层上，在有机层上形成对应的阳极槽和阴极槽；分离生长基板和暂态基板，并在阳极槽内设置第一导电层，在阴极槽内设置第二导电层；将生长基板转移至暂态基板；剥离生长基板，向第一导电层导入正极信号，向第二导电层导入负极信号，检测发光二极管；采用转移基板将正常发光二极管转移至驱动背板
转移方法显示面板暂态基板

[发明专利]巨量转移方法和用于巨量转移的功能膜及其制作方法-CN202110638570.3在审
发明人：翟峰;萧俊龙;蔡明达 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及一种巨量转移方法和用于巨量转移的功能膜及其制作方法，巨量转移方法包括：将功能膜贴合到暂态基板上，在第一表面上涂覆热解胶，热解胶在多个第一微结构的限制下流动，使热解胶固化；将暂态基板与临时基板上的LED贴合，使得热解胶与临时基板上的LED胶接，热解胶与LED的粘接力大于临时基板上的第一胶层与LED的粘接力，剥离临时基板；以及将暂态基板上的LED与电路背板键合，使LED与电路背板焊接，加热使热解胶熔化，以使LED与电路背板的焊接力大于LED与热解胶的粘接力，剥离暂态基板，能够使用普通的热解胶实现巨量转移中剥离临时基板和暂态基板时不会带走LED，保证LED的转移，提高良率。
巨量转移方法用于功能及其制作方法

[发明专利]一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法及暂态基板-CN202011226706.1有效
发明人：蒲洋;顾强;李勋 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种暂态基板上LED芯片的压合深度检测方法及暂态基板，其中，所述暂态基板包括第一胶层和第一显色层；所述检测方法包括：提供一带有标识层的LED芯片；将所述LED芯片从所述第一胶层背离所述第一显色层的一侧压合到所述暂态基板上；若所述LED芯片压合时穿透所述第一胶层，且所述第一显色层在与所述标识层接触时产生颜色变化，则确定所述LED芯片在所述暂态基板上的压合深度超过第一厚度值。在将LED芯片压合到暂态基板上时，通过直接观察第一显色层的颜色变化，可以直观地检测到LED芯片的压合深度是否超标，检测结果容易确定，方便即使调整LED芯片的压合深度，避免压入过深。
一种暂态基板上 led 芯片深度检测方法暂态基板

[发明专利]一种Micro LED的检测方法-CN202210643377.3在审
发明人：钟明达 -专利权人：紫旸升光电科技（淄博）有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro LED的检测方法，包括以下步骤：对Si‑COMS驱动基板进行加工，得到暂态驱动基板；对氮化镓外延片晶圆进行加工，得到共阴极架构Micro LED阵列基板；实现暂态驱动基板与共阴极架构Micro LED阵列基板的贴合；暂态驱动基板给电，进行基于自动光学检查的视觉检测；测试完毕，分离暂态驱动基板及共阴极架构Micro LED阵列基板。通过将Si‑COMS驱动基板的阳极接触点用金属材料连接形成共阳极结构，搭配原有的共阴架构再与LED阵列贴合，经过Si‑COMS驱动基板画素阵列均匀给电，确保LED阵列上的每颗Micro LED接收到均匀的电流
一种 micro led 检测方法

[发明专利]暂态电压抑制集成电路-CN201610454117.6有效
发明人：陈志豪 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种暂态电压抑制集成电路，包括输入输出引脚、接地引脚、基板、第一暂态电压抑制晶粒以及第二暂态电压抑制晶粒。基板提供共同总线。第一暂态电压抑制晶粒配置在基板上，且包括第一输入输出端与第一参考接地端。第二暂态电压抑制晶粒配置在基板上，且包括第二输入输出端与第二参考接地端。
电压抑制集成电路

[发明专利]弱化结构的制作方法、微器件的转移方法-CN202010846835.4有效
发明人：邓霞;许时渊;崔丽君;唐彪 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：弱化结构的制作方法包括以下步骤：提供粘附有多个微器件的第一暂态基板；在微器件的表面及第一暂态基板粘附微器件的一侧表面沉积牺牲层；图案化牺牲层，以露出微器件的部分表面；在残余的牺牲层及微器件的部分表面上沉积脆性材料连接层；将脆性材料连接层与第二暂态基板的一侧表面粘附；去除第一暂态基板和残余的牺牲层，使微器件通过脆性材料固定在第二暂态基板上，形成弱化结构。
弱化结构制作方法器件转移方法

[发明专利]芯片转移方法和显示面板-CN202111148487.4在审
发明人：詹蕊绮;萧俊龙;蔡明达;汪楷伦;汪庆 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该芯片转移方法包括：提供暂态基板，所述暂态基板的表面形成有芯片；提供背板，于所述背板的表面形成牺牲层；将所述暂态基板形成有所述芯片的表面朝向所述牺牲层；将待转移的所述芯片与所述暂态基板分离，以使待转移的所述芯片垂直掉落至所述牺牲层远离所述背板的表面该芯片转移方法通过使芯片先掉落在牺牲层的表面，能够固定芯片，将芯片限制在固定位置，避免传统芯片转移技术中，待转移的芯片与暂态基板分离后直接掉入背板的过程中可能会出现的偏斜，提升芯片转移时芯片角度的一致性
芯片转移方法显示面板

[发明专利]激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法-CN201310337996.0有效
发明人：岩坪佑磨;五十川久司;长友正平;中谷郁祥;木山直哉 -专利权人：三星钻石工业股份有限公司
申请日： 2013-08-02 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法。以藉由单位脉冲光而形成在具有图案的基板的加工痕沿加工预定线位于离散处的方式照射激光，使龟裂从各个加工痕伸展的龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时的加工条件设定方法，具备：对具有图案的基板的一部分位置进行作为暂态加工的龟裂伸展加工的步骤；以及根据从在使焦点对准于具有图案的基板表面的状态下拍摄暂态加工执行位置而取得的第1摄影影像特定的从藉由暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与从在使焦点对准于暂态加工时的激光的焦点位置的状态下拍摄暂态加工的执行位置而取得的第2摄影影像特定的暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，特定激光的照射位置的偏置方向。
激光加工装置具有图案条件设定方法

[发明专利]芯片转移方法-CN202111358629.X在审
发明人：戴广超;马非凡;曹进;张雪梅;王子川 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：该芯片转移方法包括以下步骤：提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；在暂态基板上形成连接LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道；向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板。采用本申请的上述芯片转移方法，利用LED芯片自身的重力实现了向目标基板的转移，能够大大提高芯片转移良率；并且，利用本申请上述芯片转移工艺，通过将贯穿通道的位置与预修复的目标位置对应，通过向LED芯片施加作用力
芯片转移方法

[发明专利]芯片转移方法和显示面板-CN202111083055.X在审
发明人：李欣曈;洪温振;蔡明达 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：该芯片转移方法包括：提供暂态基板，所述暂态基板包括基板本体及条状导电结构，所述条状导电结构镶嵌于所述基板本体内，且间隔排布；所述条状导电结构受热膨胀；于所述暂态基板的表面形成芯片，所述芯片在所述暂态基板表面正投影的宽度大于或等于所述条状导电结构的宽度
芯片转移方法显示面板

[发明专利]LED芯片组件、显示面板及制备方法-CN202011170615.0有效
发明人：齐扬扬;颜家煌;郑绍谷;胡颖;王会苹 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：其中LED芯片组件包括基板以及位于该基板上的多颗LED芯片、至少两个标记基础件，该标记基础件与LED芯片在同一生长基板上形成，可以随着LED芯片一起被转移到暂态基板上，用于在LED芯片转移过程中起定位作用，该LED芯片组件提供了一种在暂态基板上设置对位标记的新方案，该方案中LED芯片与标记基础件的转移过程可以一同实现，避免了在生长基板以外的衬底上设置标记基础件后，需要分别转移标记基础件与LED芯片到暂态基板的问题，提升了暂态基板上对位标记的设置效率，有利于提升巨量转移效率。
led 芯片组件显示面板制备方法

[发明专利]一种巨量转移方法及巨量转移设备-CN202010373269.X有效
发明人：李欣曈;洪温振 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨量转移方法及巨量转移设备，通过设置多个过滤筛板，每个所述过滤筛板上具有多个相同的过滤孔，不同所述过滤筛板间的所述过滤孔的形状不同；设置一具有多个安装槽的第一暂态基板，所述安装槽的形状包括所述过滤孔的所有形状；让不同形状的半导体芯片穿过所述过滤筛板的所述过滤孔后转移至所述第一暂态基板上；拾取位于所述第一暂态基板上的所有半导体芯片，并将所述半导体芯片转移至第二暂态基板上；将所述第二暂态基板上的所述半导体芯片与目标背板键合
一种巨量转移方法设备

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