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[发明专利]一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法-CN201610318292.2有效
发明人：王雪文;苏星星;吴朝科;李婷婷;翟春雪;赵武;张志勇;胡峰 -专利权人：西北大学
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在Si(100)衬底上制备不同晶相择优生长InN的方法，包括采用磁控溅射法在Si(100)衬底上进行(100)晶相InN、(002)晶相InN及(101)晶相InN的生长；所述的(100)晶相InN为三棱柱结构，(002)晶相InN为正六棱柱结构，(101)晶相InN为正方体结构。从微观结构上看，InN的排列致密，均一性好，根据不同的取向和微观形貌可以用作不同需求的传感器材料。(100)晶相InN与衬底的应力大小为0。
一种 si 100 衬底制备不同择优生长 inn 方法

[发明专利]一种晶相结构的判断方法及晶相标定模板-CN202110198203.6在审
发明人：吴诗嫣;刘军 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶相结构的判断方法，所述方法包括：提供晶相标定模板，所述晶相标定模板包括N个同心的晶相标定圆，不同所述晶相标定圆用于标定不同晶面间距的晶相结构；其中，N为大于或等于1的正整数；获取待判断样品的晶格衍射图像；将所述晶相标定模板放置在所述待判断样品的晶格衍射图像上，并使所述N个同心的晶相标定圆的圆心与所述晶格衍射图像的中心重合；基于所述晶格衍射图像中的衍射光斑与所述晶相标定圆的相对位置关系，确定所述待判断样品的晶相结构
一种结构判断方法标定模板

[发明专利]用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件-CN200710104174.2有效
发明人：郑椙旭;孔晙赫;李智惠;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
用于减小重置相变存储器件单元中的部分材料电流方法

[发明专利]一种具有纳微结构的铜合金及其制备方法-CN202210873556.6在审
发明人：陈凯旋;王自东;庞晓露;陈晓华;朱谕至;石荣建;李宗烜;申江旭 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C22F1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有纳微结构的铜合金及其制备方法，属于铜合金制备技术领域。该具有纳微结构的铜合金，具有纳米相‑细晶结构心部和纳米相‑纳米晶结构表层。其制备方法，包括(1)通过铜合金熔铸过程中微合金元素的加入，获得整体具有纳米相‑细晶结构的铜合金铸锭；(2)在200～400℃之间对具有纳米相‑细晶结构的铜合金铸锭进行0.5h～1h的退火处理；(3)采用表面纳米化技术将具有纳米相‑细晶结构的铜合金铸锭表层的微米级细晶转变为纳米晶，获得纳米相‑纳米晶结构表层，而心部仍保持纳米相‑细晶结构，制备出具有纳微结构的铜合金。本发明提供的具有纳微结构的铜合金，具有优异整体性能(高强韧)和突破性(超强耐磨)表层性能。
一种具有微结构铜合金及其制备方法

[发明专利]陶瓷复合材料和多孔陶瓷材料-CN97101200.8无效
发明人：和久芳春;中川成人;清水和敏;大坪英树;若本卓视;神德泰彦 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 1997-06-28 - 公布日： 1998-01-28 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：一种由两种或多种晶相的不同组分组成的陶瓷复合材料,每种晶相具有不规则的形状,所说的晶相具有相互交织的三维连续结构,至少一种晶相是单晶。而且,从此陶瓷复合材料中除去至少一种晶相,提供一种由至少一种晶相和气孔组成的多孔陶瓷材料,所说的晶相和气孔具有不规则的形状和三维连续以及相互交织的结构。
陶瓷复合材料多孔陶瓷材料

[发明专利]晶相稳定结构-CN201110036294.X无效
发明人：五十岚信行;成广充 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明提供一种晶相稳定结构。可以通过形成其中仅第一界面层中的一小部分Ni原子由Pt原子置换的结构，从而降低界面能量同时将NiSi和NiSi/Si界面的特性的变化抑制到最小程度来实现上述的界面结构稳定。因此，能够通过NiSi的晶相的稳定有助于元件的成品率的提高或者可靠性的提高。例如，NiSi形成在晶体管中的源漏的表面层上。
稳定结构

[发明专利]界面错配度计算方法及装置-CN202010724765.5在审
发明人：张志波;温丽涛 -专利权人：广东省材料与加工研究所
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种界面错配度计算方法及装置，该方法包括：建立两相晶体结构模型；根据两相晶体结构模型选取两相晶面；根据两相晶面选取两相晶向；根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角本发明通过选取两相晶体的晶面和晶向，获取对应晶向原子间距和对应晶向原子夹角，计算界面错配度，从而判断界面关系。
界面错配度计算方法装置

[发明专利]界面错配度计算方法及装置-CN202010728258.9在审
发明人：张志波;温丽涛 -专利权人：广东省材料与加工研究所
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种界面错配度计算方法及装置，该方法包括：建立两相晶体结构模型；根据两相晶体结构模型选取两相晶面；根据两相晶面选取两相晶向；根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角本发明通过选取两相晶体的晶面和晶向，获取对应晶向原子间距和对应晶向原子夹角，计算界面错配度，从而判断界面关系。
界面错配度计算方法装置

[发明专利]一种非晶合金复合材料的制备方法-CN202111592695.3在审
发明人：王成勇;唐梓敏;吴丹丹;郑李娟 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金材料制备技术领域，公开了一种非晶合金复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1：设定非晶合金复合材料中基体相和介质增强相；S2：制备S1中设定的基体相结构；S3：将介质增强相添加进S2中已制备好的基体相结构中，得到待连接非晶合金复合材料；S4：将待连接非晶合金复合材料升温至非晶合金的过冷液相区，通过能场处理实现基体相和介质增强相的连接，完成非晶合金复合材料的制备。其有益效果在于：利用非晶合金在其过冷液相区的超塑性流动性质，实现非晶合金和其他材料的复合，以提高非晶合金材料的性能。
一种合金复合材料制备方法

[发明专利]一种稀土永磁材料及其制备方法-CN202010584648.3有效
发明人：邓小霞;郭强 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本公开涉及一种稀土永磁材料及其制备方法，所述稀土永磁材料包括主相和晶界相，所述晶界相隔离和/或包覆所述主相；所述主相具有核壳结构，所述核壳结构包括核和壳层，所述壳层为位于主相表面的富稀土相。本公开的稀土永磁材料包括晶界相和具有核壳结构的主相，晶界相隔离和/或包覆主相，主相的壳层为位于主相表面的富稀土相；晶界相将相邻的主相隔离开，避免了相邻主相之间磁交换耦合作用导致的矫顽力下降，而且主相的核壳结构进一步增强了相邻主相之间的磁隔离效果，同时增强了主相和晶界相结合处的各向异性，能够抑制反磁化畴的生成，从而提高磁体的矫顽力和耐热性。
一种稀土永磁材料及其制备方法

[发明专利]一种高致密复相合金材料及其制备方法-CN201911424635.3有效
发明人：叶永权;徐曼平;何新英 -专利权人：广州航海学院
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C22C33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高致密复相合金材料及其制备方法，所述包括以下步骤：将纳米晶铁基粉末和芯/壳结构微米晶铁基粉末充分混合，进行放电等离子烧结，即得到所述高致密复相合金材料；其中，所述纳米晶铁基粉末含有抑制晶粒长大的合金元素或第二相粒子；所述芯/壳结构微米晶铁基粉末为表面为纳米晶结构，芯部为微米晶结构的粉末。本发明方法可在较低烧结温度下完成纳米晶粉末和微米晶粉末共同致密化烧结，烧结时间短，实施方便；只需改变纳米晶粉末和芯/壳结构微米晶粉末的配比，就能精确调整复相铁基合金材料中高强度铁素体相和高塑性亚稳奥氏体相的数量比例，特别适用于高致密复相铁基合金材料的制备。
一种致密相合材料及其制备方法

[发明专利]一种双尺度等轴结构的钛合金及其制备方法与应用-CN202210702077.8在审
发明人：杨超;陈涛;屈盛官 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种双尺度等轴结构的钛合金及其制备方法与应用。该钛合金微观结构包括10‑30μm的等轴结构区域及其边界1‑2μm宽、7‑40μm长的连续微米晶β‑Ti板条相。其中，10‑30μm的等轴结构区域包括100‑400nm的等轴超细晶α‑Ti相，及其晶界100‑150nm宽、280‑900nm长的超细晶β‑Ti板条相。所述连续微米晶β‑Ti板条相和超细晶β‑Ti板条相构成双尺度结构，等轴超细晶α‑Ti相及其组成的微米级等轴结构区域构成等轴结构。本发明方法所得钛合金的力学性能较传统无压烧结钛合金具有极大提升，相比现有制备双尺度结构钛合金方法具有工艺简单、成本低和制品尺寸、结构自由度高等优势。
一种尺度结构钛合金及其制备方法应用

[发明专利]一种硅铝催化材料及其制备方法-CN201710894379.9有效
发明人：郑金玉;王成强;罗一斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B01J29/08 文献下载
摘要：一种硅铝催化材料，其特征在于含氧化硅25～65重％，氧化铝25～70重％，XRD谱图中同时含有FAU晶相结构和拟薄水铝石非晶相结构，且拟薄水铝石的非晶相结构沿FAU晶相结构的边缘延伸生长，两种结构连接在一起，FAU晶相结构分子筛晶粒表面生长出褶皱状的拟薄水铝石结构，并将FAU晶相结构分子筛包覆其中；拉曼(Raman)光谱中，a/b＝1.5～10，其中a代表位移为500cm‑1结构规整程度更高。
一种催化材料及其制备方法

[发明专利]石榴结构的复合材料及其制备方法-CN202110807830.5有效
发明人：吴沙鸥;肖升;钟丽萍;贺鹏华;李毅 -专利权人：深圳陶陶科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石榴结构的复合材料，包括晶粒相，在所述晶粒相之间包覆有隔膜状的晶界相，所述晶粒相与晶界相之间的质量比为：(2～12)：1。还提供一种石榴结构的复合材料的制备方法，包括以下步骤：将晶粒相粉体和晶界相粉体进行混合、成型后形成上述的石榴结构的复合材料；所述述晶粒相粉体，包括无机粉体、工程树脂粉体、金属粉体；所述晶界相粉体，包括工程树脂粉体、金属粉体或无机粉体；所述晶粒相粉体的熔点高于所述晶界相粉体的熔点；所述晶粒相粉体和晶界相粉体的质量比为(2～12)：1。本发明的石榴结构的复合材料的制备方法步骤简单，制备的石榴结构的复合材料具有良好的表面硬度、可抛光性及良好的抗摔性能。
石榴结构复合材料及其制备方法

[发明专利]一种烧结R-Fe-B永磁体及其制备方法和应用-CN202210962847.2在审
发明人：李伟;安仲鑫;宿云婷;刘磊;姜云瑛;刘仲玉 -专利权人：南通正海磁材有限公司;烟台正海磁性材料股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：所述永磁体至少包括晶界和复合主相晶粒；所述晶界包括富RH相，所述富RH相呈团块状分布在复合主相晶粒之间的晶界内，优选在任意相邻的三个或三个以上的复合主相晶粒的交隅处；所述富RH相呈薄层带状沿晶界连续分布；所述晶界中RH的含量大于主相晶粒中RH的含量；所述复合主相晶粒具有核壳结构，所述核壳结构包括具有R‑T‑B型相结构的核结构，和在所述核结构外层的壳结构；所述核结构包括富Ce的主相晶粒和贫Ce的主相晶粒
一种烧结 fe 永磁体及其制备方法应用

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