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[发明专利]非易失性存储器装置-CN202310049804.X在审
发明人： 赵栢衡;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种非易失性存储器装置包括：第一半导体层，其包括设置在第一单元区上的第一存储器单元阵列、设置在第二单元区上的第二存储器单元阵列、以及第一金属焊盘。非易失性存储器装置还包括：第二半导体层，其包括设置在第一区上并且耦接至第一存储器单元阵列的第一外围电路、设置在第二区上并且耦接至第二存储器单元阵列的第二外围电路、以及第二金属焊盘。第一区包括在竖直方向上与第一单元区重叠的第一外围电路区和在竖直方向上不与第一单元区重叠的第二外围电路区，并且第二区在竖直方向上与第二单元区重叠。
非易失性存储器装置

[发明专利]非易失性存储器件-CN202310087213.1在审
发明人： 赵栢衡;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括栅电极、沟道结构、多个单元接触插塞、线性金属图案和多个上接合焊盘。所述第二半导体芯片包括多个下接合焊盘、与所述沟道结构交叠的第一外围电路元件、与所述多个单元接触插塞交叠的第二外围电路元件以及与所述多个单元接触插塞交叠的第三外围电路元件。所述外围电路元件耦接到对应的单元接触插塞。所述第二上接合焊盘和所述第三上接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同，并且所述第二下接合焊盘和所述第三下接合焊盘在所述第一方向上的宽度彼此不同。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器件-CN202310059220.0在审
发明人： 赵栢衡;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括存储单元阵列、第一上接合焊盘、第二上接合焊盘以及位于所述第一上接合焊盘与所述第二上接合焊盘之间的上虚设接合焊盘。所述第二半导体芯片在垂直方向上耦接到所述第一半导体芯片，并且包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘、下虚设接合焊盘以及耦接到所述第一下接合焊盘和所述第二下接合焊盘的外围电路。所述第一接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第一电压。所述第二接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第二电压。
非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法-CN202210126135.7在审
发明人：李明雨;金胜渊;申东夏;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：多条位线，与多个单元串连接；共源极线，与所述多个单元串连接；至少一条虚设位线，设置在共源极线与所述多条位线之间；控制逻辑电路，响应于来自外部装置的命令而生成至少一个虚设位线驱动信号；以及虚设位线驱动器，响应于所述虚设位线驱动信号选择性地向所述至少一条虚设位线提供第一电压。
非易失性存储器装置及其操作方法

[发明专利]使用可变电阻元件的非易失性存储器设备-CN200810131440.5有效
发明人：崔炳吉;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括多个存储器组，每个存储器组包括多个非易失性存储器单元。每个单元包括可变电阻元件，所述可变电阻元件具有根据存储的数据而变化的电阻。包括多个全局位线，每个全局位线被多个存储器组共享。多个主字线对应于多个存储器组中的一个排列。
使用可变电阻元件非易失性存储器设备

[发明专利]半导体存储器件和字线接触部的布局结构-CN200710110328.9无效
发明人：朴埈民;崔炳吉;金杜应;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构，其中，所述半导体存储器件包括：有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上，并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上，并且每一个均由一个可变电阻器件和一个二极管器件组成。在字线接触部中，在各单元之间设置至少一个字线接触部，其中每一个单元均由有源区上的预定数目的存储单元构成。可以防止或大大减少诸如相邻字线之间的短路之类的桥接效应。
半导体存储器件接触布局结构

[发明专利]用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件-CN200710104174.2有效
发明人：郑椙旭;孔晙赫;李智惠;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件。根据一个实施例，包括第一晶相的至少部分相变材料被转变为晶相和非晶相之一。与第一晶相相比，第二晶相更容易转变为非晶相。例如，第一晶相可以是六边形闭合密集结构，以及第一晶相可以是面心立方结构。
用于减小重置相变存储器件单元中的部分材料电流方法

[发明专利]相变存储器装置与编程方法-CN200710092124.7无效
发明人：崔炳吉;金杜应;鲁有桓;崔俊龙;赵佑荣;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：公开了一种相变存储器装置。其包括：存储单元阵列，包括关于相变材料编程的多个存储单元；以及写入驱动器电路，被配置为向选定存储单元提供置位电流与复位电流。该写入驱动器电路包含被配置为提供置位电流的置位电流驱动器以及被配置为提供复位电流的复位电流驱动器。
相变存储器装置编程方法

[发明专利]相变存储器件及其编程方法-CN200610064301.6有效
发明人： 赵栢衡;徐钟洙;李元奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-11 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种相变存储器件包括：具有相变材料的存储单元；将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器，其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值；和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。
相变存储器件及其编程方法

[发明专利]相变随机存取存储器器件-CN200610094100.0有效
发明人： 赵栢衡;李光振;朴茂熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-06-22 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
相变随机存取存储器器件

[发明专利]有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备-CN200610071461.3有效
发明人： 赵栢衡;金杜应;郭忠根;赵佑荣;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-03-24 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，其包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
增强驱动能力非易失性存储器设备

[发明专利]使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法-CN200610009594.8有效
发明人：赵佑荣;金杜应;辛允承;卞贤根;姜尚范;赵栢衡;郭忠根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单元二极管的相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：第一导电型的半导体衬底；设置在半导体衬底上的多条平行字线，所述字线具有不同于第一导电型的第二导电型并且具有基本平的顶表面；沿各条字线的字线长度方向一维排列的多个第一半导体图案，第一半导体图案具有第一导电型或第二导电型；堆叠在第一半导体图案上的具有第一导电型的第二半导体图案；提供于具有第二半导体图案的衬底上的绝缘层，所述绝缘层填充字线之间的间隙区、第一半导体图案间的间隙区和第二半导体图案之间的间隙区；以及二维排列于绝缘层上多个相变材料图案，并且所述相变材料图案分别电连接到第二半导体图案。
使用单元二极管相变存储器件及其制造方法

[发明专利]存储单元阵列偏置方法以及半导体存储器件-CN200610005029.4有效
发明人： 赵栢衡;金杜应;郭忠根;姜尚范;赵佑荣;吴泂录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11C11/4197 文献下载
摘要：提供了一种在数据写入操作期间偏置存储单元阵列的方法和一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元，其中，存储单元的第一端连接到多条第一线中的对应第一线，且存储单元的第二端连接到多条第二线中的对应第二线；以及偏置电路，用于将选择的第二线偏置到第一电压，并且将未被选择的第二线偏置到第二电压。
存储单元阵列偏置方法以及半导体器件

[发明专利]相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法-CN200510077929.5有效
发明人： 赵栢衡;金杜应;赵佑茔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变存储器设备，其包含多个相变存储器单元和被配置为输出多个连续复位脉冲的复位脉冲生成电路。每个连续复位脉冲被输出到多条复位线中的相应一条。多个写驱动器电路连接到相应的相变存储器单元以及复位脉冲生成电路中的一条相应复位线。本发明还提供了一种使用连续复位控制信号编程相变存储器设备的方法。
相变存储器使用连续复位控制编程方法

[发明专利]编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路-CN200510071683.0有效
发明人：崔炳吉;金杜应;郭忠根;赵栢衡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-03-07 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种编程相变型存储器阵列的方法和一种相变型存储器件的电路，所述阵列和存储器件都具有多个相变型存储单元，该方法和器件可以使其中所有的相变型存储单元被改变或者设置为置位电阻状态，并且可以减少将该相变型存储器阵列改变为置位电阻状态所需的时间。在这个方法中，可以将具有第一到第n等级的置位电流脉冲施加于该阵列的单元以将这些单元改变为置位电阻状态。按任何等级的施加于相变型存储单元的置位电流脉冲的最小电流电平可以高于该阵列的单元的基准电流电平。置位电流脉冲的指定电流电平可以按顺序逐个等级减小。
编程相变存储器阵列到置位状态方法存储器件电路

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