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- [发明专利]一种减少晶圆厚度的方法-CN201910071611.8在审
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周晓刚
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2019-01-25
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2020-08-04
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B24B1/00
- 本发明提供了一种减少晶圆厚度的方法，包括以下步骤：(1)提供待减薄的半导体晶圆；(2)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述晶圆进行粗磨；(3)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述粗磨后的晶圆进行精磨，所述精磨的砂轮转速大于所述粗磨的砂轮转速；(4)对精磨后的晶圆进行湿法蚀刻，湿法蚀刻液为硝酸、氢氟酸、冰乙酸组成的混合酸液，混合酸液刻蚀的温度为‑10～‑15℃。本发明方法在研磨阶段，先进行粗磨然后进行精磨，并且精磨的砂轮转速大于粗磨的砂轮转速，在精磨后可以减少晶圆的内应力，并且使得精磨的切割边光滑平整，本发明的方法得到的减薄厚度的晶圆的崩裂率低，晶圆光滑，晶圆的应力小
- 一种减少厚度方法
- [发明专利]一种晶圆表面加工的方法-CN202010765288.7在审
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龙命潮
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2020-08-03
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2022-02-18
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H01L21/02
- 本发明公开了一种晶圆表面加工的方法，其包括：采用第一目数的砂轮对晶圆的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；采用第二目数的砂轮对所述晶圆的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度，所述第二目数大于第一目数；用腐蚀液对所述晶圆的表面进行刻蚀，刻蚀的深度为预设的第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括由硝酸、氢氟酸和冰乙酸组成的混酸液。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，用少量的腐蚀液即可对半导体晶圆的表面进行快速刻蚀，能够有效减少晶圆表面加工过程中化学试剂的消耗，并且大大减少晶圆表面加工的作业时间，从而能够大大降低对晶圆表面加工的成本
- 一种表面加工方法
- [发明专利]一种半导体晶圆减薄方法-CN202010034702.7在审
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卢文胜
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2020-01-14
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2021-07-30
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H01L21/02
- 本发明公开了一种半导体晶圆减薄方法，其包括：对半导体晶圆的待减薄的表面进行粗磨，粗磨的深度为预设的第一深度；对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行精磨，精磨的深度为预设的第二深度；所述第二深度小于所述第一深度；用腐蚀液对所述半导体晶圆的所述待减薄的表面进行湿法刻蚀，腐蚀的深度为第三深度；所述第三深度小于所述第二深度；所述腐蚀液包括硫酸、氢氟酸和草酸。本发明能够在保证晶圆表面光洁度的前提下，能够用少量的腐蚀液来对半导体晶圆进行快速刻蚀，并且对半导体晶圆的整个减薄的作业时间大大减少，从而能够大大降低对半导体晶圆的减薄成本，并提高了减薄效率。
- 一种半导体晶圆减薄方法
- [发明专利]一种半导体晶圆高效精度减薄方法-CN201710878968.8在审
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周诗健;王海勇
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合肥新汇成微电子有限公司
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2017-09-26
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2018-03-02
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H01L21/02
- 本发明公开了一种半导体晶圆高效精度减薄方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；将涂覆液均匀涂覆在半导体晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与半导体晶圆正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层，对半导体晶圆上的芯片实现无缝隙保护；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行粗磨；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行精磨；用等离子水清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的半导体晶圆。
- 一种半导体高效精度方法
- [发明专利]晶圆双面减薄方法-CN202010213142.1在审
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刘尖华
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东莞新科技术研究开发有限公司
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2020-03-24
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2021-10-15
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B24B1/00
- 本发明公开了一种晶圆双面减薄方法，所述方法包括：将保护胶涂在晶圆的正面，并使所述晶圆的背面裸露；通过研磨装置并用含有第一研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行粗磨；对所述晶圆进行清洗；通过研磨装置并用含有第二研磨粉的碱性研磨液对所述晶圆进行精磨；对所述晶圆进行清洗，并将所述晶圆的正面的保护胶去除；将所述晶圆放入研磨机中并用第三研磨粉对所述晶圆的正面与背面进行精磨；其中，第三研磨粉的直径小于或等于第二研磨粉，第二研磨粉的直径小于第一研磨粉。本发明能够提高对晶圆减薄的加工的精细度。
- 双面方法
- [发明专利]一种新型晶圆减薄方法-CN201610064634.2有效
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吕岱烈;慕蔚;邵荣昌
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天水华天科技股份有限公司
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2016-01-29
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2019-01-18
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H01L21/02
- 一种新型晶圆减薄方法，将聚四氟乙稀加入聚酰亚氨溶液，滚动搅拌均匀，形成涂覆液；涂覆液涂覆于原始晶圆片正面，覆盖原始晶圆片表面和原始晶圆片正面与边缘之间的倒角，形成覆盖层；或将聚四氟乙稀胶膜或UV胶膜覆盖于原始晶圆片正面，低温烘烤，使胶膜覆盖原始晶圆片正面以及原始晶圆片正面与边缘之间的倒角，形成覆盖层；按现有工艺对原始晶圆片进行粗磨、和细磨；光照，使覆盖层裂化；等离子清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的晶圆。该减薄方法能避免减薄过程对晶圆表面的二次污染，提高晶圆减薄质量和测试良率，而且不需要用大量的水进行清洗，不仅节约了大量水资源，并为后续压焊工艺提供了良好的基础。
- 一种新型晶圆减薄方法
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