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[其他]利用谷壳制造无定形二氧化硅超微粉末的方法-CN86104705无效
发明人：黄小英 -专利权人：黄小英
申请日： 1986-07-14 - 公布日： 1988-11-09 - 主分类号： C01B33/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用谷壳、稻草制取无定形二氧化硅超微粉末的方法。该方法是先将谷壳或稻草放入窑内焙烧，然后进行清洗，即可获得含量在92％以上的无定形二氧化硅超微粉末。这种无定形二氧化硅保留了谷壳、稻草中无定形二氧化硅的自然结构，具有颗粒大小均一，直径仅有0.04～0.05微米，颗粒呈球状、空心结构的特征。利用谷壳或稻草制造无定形二氧化硅超微粉末方法简单，成本低廉，原料来源极其丰富，可以大量生产。
利用谷壳制造无定形二氧化硅粉末方法

[发明专利]一种无定形碳电池负极材料及其制备方法和应用-CN201910340717.3在审
发明人：刘国平;施志聪;林琛瀚;张开宇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明涉及电池材料技术领域，尤其涉及一种无定形碳电池负极材料及其制备方法和应用。本发明公开了一种无定形碳电池负极材料的制备方法，包括以下步骤：将碳源与球磨珠进行球磨，得到无定形碳电池负极材料；球磨的转速为400～1000r/min。该无定形碳电池负极材料的制备方法简单，成本较低，且制备得到的无定形碳电池负极材料对钠离子/锂离子脱嵌效果好，为钠离子/锂离子的存储提供大量的空间并提供了较高的比容量，且循环性能好。
电池负极材料无定形碳球磨制备制备方法和应用钠离子锂离子存储提供电池材料循环性能比容量脱嵌

[其他]利用谷壳制造无定形二氧化硅超微粉末的方法-CN101986000004705在审
发明人：黄小英 -专利权人：黄小英
申请日： 1986-07-14 - 公布日： 1988-11-09 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明公开了一种利用谷壳、稻草制取无定形二氧化硅超微粉末的方法。该方法是先将谷壳或稻草放入窑内焙烧，然后进行清洗，即可获得含量在９２％以上的无定形二氧化硅超微粉末。这种无定形二氧化硅保留了谷壳、稻草中无定形二氧化硅的自然结构，具有颗粒大小均一，直径仅有０．０４～０．０５微米，颗粒呈球状、空心结构的特征。利用谷壳或稻草制造无定形二氧化硅超微粉末方法简单，成本低廉，原料来源极其丰富，可以大量生产。
利用谷壳制造无定形二氧化硅粉末方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201210158073.4有效
发明人：肥塚纯一;佐藤裕平;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在制造包括氧化物半导体膜的晶体管的过程中，形成无定形氧化物半导体膜，向所述无定形氧化物半导体膜加入氧，这样形成含过量氧的无定形氧化物半导体膜。然后，在所述无定形氧化物半导体膜上形成氧化铝膜，在其上进行热处理，以使至少部分无定形氧化物半导体膜结晶，这样形成晶体氧化物半导体膜。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种维格列汀-缬沙坦的共无定形物及其制备方法和应用-CN202310555491.5在审
发明人：陈嘉媚;杨玲;戴霞林 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07D207/16 文献下载
摘要：本发明属于医药技术领域，特别涉及一种维格列汀‑缬沙坦的共无定形物及其制备方法和应用。一种共无定形物，共无定形物包括维格列汀和缬沙坦；共无定形物中维格列汀和缬沙坦的摩尔比为1:0.5‑3。本发明共无定形物中维格列汀与缬沙坦之间发生相互作用，形成了氢键，维格列汀与缬沙坦之间的相互作用不仅可以防止溶剂介导的药物重结晶，而且可以加速缬沙坦的溶解和溶出，使得与缬沙坦原料药相比，该共无定形物中缬沙坦的溶解度、溶出速率具有明显的提高，维格列汀的溶解度和溶出速率降低，有利于提高缬沙坦的生物利用度，延缓维格列汀在体内的释放和吸收，且共无定形物具有良好的稳定性。
一种维格列汀缬沙坦无定形及其制备方法应用

[发明专利]提高整合被动器件电感器Q值的方法-CN201310386024.0无效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种提高整合被动器件电感器Q值的方法，包括：首先，在高阻硅衬底上直接淀积一个无定形硅层，以使得无定形硅层直接形成在高阻硅衬底上；随后，在无定形硅层上直接生长一个层间绝缘层，以使得层间绝缘层直接形成在无定形硅层上在本发明的中，通过在高阻硅衬底与层间绝缘层层之间布置一个无定形硅层，使表面导电层从高阻硅衬底与层间绝缘层表面转移到无定形硅与层间绝缘层表面,无定形硅是一种无序材料,其没有完整的晶胞和由晶胞组成的完整晶格
提高整合被动器件电感器方法

[发明专利]用于制造半导体的方法和装置-CN200580040208.5有效
发明人：李起薰;朴永薰;李相奎;徐泰旭;张镐承 -专利权人： IPS有限公司
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造半导体的方法和装置，其适用于形成无定形碳减反射膜，所述无定形碳减反射膜通过提高抗蚀刻性而具有高选择性，并保持较低的与减反射率相关联的消光系数。根据本发明的用于形成无定形碳减反射膜的制造半导体的方法包括：(a)在衬底的底部膜上沉积无定形有机碳膜；以及(b)将包含氮(N)、氟(F)或硅(Si)的化合物添加至无定形有机碳膜的表面或内部，从而沉积具有高选择性的因此，在无定形碳减反射膜上或其内部形成具有抗蚀刻性的超薄膜，并且增大了无定形碳减反射膜的密度和压应力，从而提高了蚀刻选择性。
用于制造半导体方法装置

[发明专利]一种防伪材料及其制备方法-CN201510890396.6在审
发明人：翟兴 -专利权人：深圳市天兴诚科技有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料，其特征在于：该防伪材料包括片状的无定形硅模块，无定形硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括稀土氧化物模块，稀土氧化物模块镶嵌于所述镂空区域；制备方法包括：在玻璃基底上面镀附着层；在附着层上面镀牺牲层，在牺牲层上面镀无定形硅层，在无定形硅层上面涂布光固胶，提供紫外线光源，提供第一淹模板，曝光，显影，清洗，刻蚀无定形硅层，提供清洗液，清洗，在无定形硅表面涂布稀土氧化物粉和光固胶的混合物
一种防伪材料及其制备方法

[发明专利]一种防伪材料及其制备方法-CN201510885241.3在审
发明人：翟兴 -专利权人：深圳市天兴诚科技有限公司
申请日： 2015-12-05 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及防伪技术，尤其涉及一种防伪材料及其制备方法，该防伪材料，其特征在于：该防伪材料包括片状的无定形硅模块，无定形硅模块具有镂空区域，该防伪材料还包括紫外荧光模块，紫外荧光模块镶嵌于所述镂空区域；制备方法包括：在玻璃基底上面镀附着层，在附着层上面镀牺牲层，在牺牲层上面镀无定形硅层，在无定形硅层上面涂布光固胶，提供紫外线光源，提供第一淹模板，曝光，显影，清洗，刻蚀无定形硅层，提供清洗液，清洗，在无定形硅表面涂布紫外荧光粉和光固胶的混合物
一种防伪材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202010010414.8在审
发明人：唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量
半导体器件形成方法

[发明专利]无定形的具有式(I)的化合物和无定形的具有式(I)的化合物的盐-CN201980071335.3在审
发明人： J·卡泰布;M·M·克诺普 -专利权人： H.隆德贝克有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C07D241/04 文献下载
摘要：本发明涉及组合物，其包含无定形的具有式(I)的化合物或无定形的具有式(I)的化合物的盐，并且涉及用于获得其的方法。特别地，本发明涉及组合物，其包含无定形的具有式(I)的化合物的氢富马酸盐，并且涉及用于获得其的方法。此外，本发明还涉及组合物，其包含无定形的具有式(I)的化合物的碱，并且涉及用于获得其的方法。本发明还涉及药物组合物，其包含无定形的具有式(I)的化合物或无定形的具有式(I)的化合物的盐，其用于治疗精神障碍如精神分裂症，包括难治性精神分裂症(TRS)。
无定形具有化合物

[发明专利]一种含无定形硅铝的拟薄水铝石及其制备方法-CN201010106266.6有效
发明人：王廷海;钱颖;郑云弟;柏介军;康宏敏;王宗宝;梁顺琴;常晓昕;孙利民;龚光碧;颉伟;潘曦竹;吕龙刚;吴杰;蒋彩兰;边虎;马好文 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： B01J21/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种含无定形硅铝的拟薄水铝石及制备方法，将无定形硅铝浆液和拟薄水铝石浆液混合，按常规老化、过滤、洗涤方法得到含无定形硅铝的拟薄水铝石，以重量百分比计，其含氧化硅5～40wt％，比表面积250～制备的含无定形硅铝的拟薄水铝石即具有无定形硅铝的高酸度、高比表面积的特性，同时含有拟薄水铝石的优点，克服了无定形硅铝成型差的问题。主要适用于加氢处理，特别是中间馏分油加氢处理催化剂载体的制备。
一种无定形拟薄水铝石及其制备方法

[发明专利]相分离油墨-CN201210129792.3有效
发明人： P·G·奥德尔;R·卡利尼;S·J·加德纳;J·L·贝乐丽;P·J·麦肯威尔;森光谦太郎;H·K·马哈巴迪;S·V·德雷派尔 -专利权人：施乐公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C09D11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种相分离油墨，其包括至少一种当从第一喷墨温度冷却至第二较低温度时结晶的可结晶组分；至少一种包含在第二温度下保持无定形状态的材料的无定形组分；任选的着色剂；其中所述至少一种可结晶组分和所述至少一种无定形组分在第一喷墨温度下为熔融的单相状态；其中在第二温度下，相分离油墨包含一个包含所述至少一种可结晶组分的结晶相和一个包含所述至少一种无定形组分的无定形相；其中至少一种相分离油墨的无定形相基本渗入最终图像接收基底中，并且至少一种相分离油墨的结晶相基本保持在最终图像接收基底的表面上
分离油墨

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610115504.3有效
发明人：陈政谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用无定形碳薄膜的应变增强半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：一半导体衬底，具有一PMOS区域和一NMOS区域；一第一栅极结构和一第二栅极结构；一源极/漏极；一硅化区；一具有张应力的无定形碳薄膜；以及一介电层。无定形碳薄膜，例如氟掺杂无定形碳，为一种压应力薄膜或张应力薄膜，形成在PMOS区或NMOS区上作为应力覆盖薄膜。此外，无定形碳薄膜也可用在接触孔蚀刻工艺作为接触孔蚀刻停止层。使用无定形碳薄膜制造应变增强CMOS器件，避免了传统使用外延层SiGe和应力覆盖层Si₃N₄所产生的问题。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]无定形碳层作为离子注入牺牲层的应用-CN201110366182.0无效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种无定形碳层作为离子注入牺牲层的应用，包括以下步骤：提供一硅片，所述硅片包括浅沟槽隔离和位于硅片表面浅沟槽隔离之间的衬垫氧化膜；去除硅片表面的衬垫氧化膜；在上述结构表面沉积无定形碳层；在无定形碳层上涂覆光刻胶，再进行图形化离子注入形成离子注入区；干法去除光刻胶并剥离无定形碳层；采用上述工艺，重复图形化离子注入对上述离子注入区进行多层离子注入。本发明采用无定形碳层作为离子注入时的牺牲层，在每次图形化注入工程中都重新生长无定形碳层，更好的控制了图形化注入时硅片中作为牺牲层的厚度稳定性，从而改善器件的稳定性。
无定形碳作为离子注入牺牲应用