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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910842798.7有效
发明人：唐睿智;付金玉;刘琳;李波;杨鹏;黄豪俊;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括伪栅介质层、初始伪栅极层以及位于伪栅介质层和初始伪栅极层侧壁的第一侧墙；在衬底上形成隔离层，隔离层暴露出伪栅极结构表面且表面低于伪栅极结构表面；去除部分初始伪栅极层形成伪栅极层，在隔离层内形成第一开口；对第一开口暴露出的第一侧墙进行改性处理形成改性侧墙；去除第一开口底部的伪栅极层在隔离层内形成第二开口；刻蚀去除第二开口底部的伪栅介质层和改性侧墙在隔离层内形成第三开口，第三开口顶部在平行于衬底表面方向的尺寸大于第三开口底部在平行于衬底表面方向的尺寸；在第三开口内形成栅极结构。所形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110071808.9在审
发明人：渠汇;何永根;黄豪俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，其中，第一器件的工作电压大于第二器件的工作电压；形成保形覆盖第一区域和第二区域的鳍部的第一栅氧化层，其中，位于第二区域的第一栅氧化层用于构成第二器件的栅介质层；形成保形覆盖第一栅氧化层的第二栅氧化层，其中，位于第一区域的第二栅氧化层和第一栅氧化层用于构成第一器件的栅介质层；进行栅介质层减薄处理，栅介质层减薄处理包括：去除位于第二区域的所述第二栅氧化层。本方案减小工艺制程对第二区域的鳍部的消耗，进而提高第一区域和第二区域的鳍部宽度均一性和高度均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011573168.3在审
发明人： 黄豪俊;李波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区，第一区上具有若干相互分立的第一鳍部；在第一区上形成第一栅极结构；在衬底上形成介质层；采用各向异性刻蚀工艺去除第一栅极结构、以及第一栅极结构覆盖的部分第一鳍部，在介质层内和第一鳍部内形成隔离开口；对隔离开口进行清洗处理，去除隔离开口内的残留物；由于采用的为各向异性刻蚀工艺，因此能够保证在去除第一栅极结构的过程中，减小了发生过刻蚀介质层进而损伤到其他器件结构的问题。另外，在形成隔离开口之后，对隔离开口进行清洗处理，去除隔离开口内的残留物，使得后续在隔离开口内形成的隔离结构具有较好的填充效果，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法-CN202111640460.7在审
发明人： 黄豪俊 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极堆叠结构的形成方法及FinFET器件的形成方法，栅极堆叠结构的形成方法包括：提供一衬底；形成功函数叠层；形成阻挡层覆盖功函数叠层；形成抗反射层填充栅极沟槽；去除所述第二区域的抗反射层及阻挡层；去除第二区域的部分功函数叠层；去除第一区域的抗反射层及阻挡层；在栅极沟槽内形成栅极导电层，以形成第一栅极堆叠结构及第二栅极堆叠结构。本发明中，通过在功函数叠层上形成阻挡层，利用阻挡层减少或避免在去除抗反射层时以及在去除阻挡层时损伤功函数叠层，并且同时不影响整个工艺过程的工艺窗口，从而解决在打开功函数叠层上的抗反射层时功函数叠层被损伤的问题，提高制造栅极叠层结构的良率。
栅极堆叠结构形成方法 finfet 器件

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202010010414.8在审
发明人：唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部，所述鳍部包括密集区和稀疏区；在所述稀疏区的相邻所述鳍部之间形成隔离件；在所述衬底上、所述鳍部的侧壁和顶部上形成介质层；在所述介质层上以及所述隔离件的侧壁上形成无定形硅层；采用湿法刻蚀工艺去除所述无定形硅层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液中含有醇。本发明采用湿法刻蚀工艺去除无定形硅层时，湿法刻蚀的刻蚀液中含有醇，这样在去除无定形硅层的时候，隔离件和鳍部之间的无定形硅层可以被完全消除或基本消除，不会在鳍部和隔离件之间有残留的无定形硅层，从而提高半导体器件的性能和质量。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种酸槽机台检测方法及检测装置-CN201610028703.4有效
发明人： 黄豪俊;杜亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种酸槽机台检测方法及其检测装置，所述方法包括：对机台机械臂清洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测机台机械臂是否污染；和/或对快速降液浸洗槽中水样的水阻值进行测量，用于监测所述样品是否污染；若水样的水阻值大于设定值，样品存在污染风险，则启动酸性试剂喷淋装置向所述快速降液浸洗槽中喷淋酸性试剂，并对所述样品进行冲刷，以去除所述样品上的污染物。本发明具有以下优点：1、如果发生污染，产品污染第一时间会在最近的一道酸槽工艺被发现，并由机台自行第一时间做返工。2、防止后续的离子注入、薄膜沉积、或者是蚀刻工艺导致金属被引入不该存在的地方导致的晶圆可接受测试(WAT)/晶圆测试(CP)偏移(shift)报废。
一种机台检测方法装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910649261.9在审
发明人： 黄豪俊;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区，所述衬底上具有介质层，所述第一区上的介质层内具有第一栅极开口，所述第二区上的介质层内具有第二栅极开口；在所述第一栅极开口底部和第二栅极开口底部形成一层或多层初始功函数层；采用至少一次循环刻蚀步骤刻蚀第一栅极开口内所述初始功函数层，在第二栅极开口内形成功函数层，每次所述循环刻蚀步骤包括：采用氧化物刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层；在氧化物刻蚀工艺之后，采用主刻蚀工艺刻蚀所述初始功函数层，去除一层暴露出的初始功函数层。所形成的半导体结构性能得到了提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910571731.4在审
发明人： 黄豪俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有伪栅极层，伪栅极层的侧壁表面具有第一侧墙、以及位于第一侧墙侧壁表面的第二侧墙，基底上还具有介质层；采用第一刻蚀工艺去除部分伪栅极层，在介质层内形成第一开口，第一开口侧壁暴露出部分第一侧墙；采用第二刻蚀工艺去除第一开口侧壁暴露出的第一侧墙，在介质层内形成第二开口，第二开口侧壁暴露出部分第二侧墙，第二刻蚀工艺对第一侧墙具有第一刻蚀速率，第二刻蚀工艺对介质层具有第二刻蚀速率，且第一刻蚀速率大于第二刻蚀速率；去除第二开口底部暴露出的伪栅极层，在介质层内形成位于第二开口底部的第三开口。所述方法形成的半导体结构性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910572382.8在审
发明人：唐睿智;李波;刘琳;黄豪俊;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底及凸出于所述基底的鳍部，所述基底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域和第二区域的鳍部上形成第一功函数层；在所述第一功函数层上形成第二功函数层；在所述第二功函数层上形成第三功函数层；在所述第三功函数层上形成保护层；在所述第一区域和第二区域的基底上形成光刻胶涂层，所述光刻胶涂层覆盖所述保护层；去除所述第一区域的所述光刻胶涂层，露出所述第一区域的保护层；去除露出的所述保护层；去除所述第一区域的所述第三功函数层。本发明有助于保护所述第一区域的所述第二功函数层，防止去除所述第一区域的所述光刻胶涂层的工艺中，所述第一区域的所述第二功函数层受到刻蚀。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]浅沟槽结构的清洗方法、隔离结构的制作方法及半导体器件-CN201410788468.1在审
发明人： 黄豪俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种浅沟槽结构的清洗方法、隔离结构的制作方法及半导体器件。该浅沟槽结构包括衬底，位于衬底中的浅沟槽，以及位于衬底上的介质掩膜层，该清洗方法包括以下步骤：对浅沟槽结构进行第一次清洗，以去除浅沟槽中的残留物；采用磷酸溶液对第一次清洗后的浅沟槽结构进行第二次清洗。该清洗方法中，磷酸溶液能够腐蚀上述反应产物并将反应产物剥离出去，从而减少清洗浅沟槽结构过程中产生的反应产物。同时，磷酸溶液还能回蚀介质掩膜层，从而增大了浅沟槽的顶端露出的面积，使得在浅沟槽的内壁上形成线性氧化物层的步骤中浅沟槽的顶端更容易被圆滑。
沟槽结构清洗方法隔离制作方法半导体器件

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