[发明专利]一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板在审

专利信息
申请号: 202011416105.7 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN114613658A 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 赵卫;孙蒙雅;朱香平;韦永林 申请(专利权)人: 松山湖材料实验室
主分类号: H01J43/24 分类号: H01J43/24;H01J47/12
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 余菲
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种中子敏感复合膜及其制备方法、中子敏感微通道板,属于电子器件技术领域。中子敏感复合膜包括交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层。中子敏感层的材质包括BN或10BN。交替层叠布置的中子敏感层和金属单质层能够优化中子敏感复合膜的中子探测能力,且金属单质层使中子敏感复合膜具有导电性。利用原子层沉积法在微通道板内壁制备得到表面致密且厚度均匀的中子敏感复合膜,使微通道板获得较好的中子探测能力,提升中子敏感复合膜的中子探测效率。同时,通过调控原子层沉积的重复次数,可以精确控制每一层中子敏感层和金属单质层的厚度,以及精确控制整个中子敏感复合膜的厚度,从而设计得到具有预设电阻的中子敏感复合膜。
搜索关键词: 一种 中子 敏感 复合 及其 制备 方法 通道
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