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[发明专利]一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法-CN201310167373.3有效
发明人：刘东方;张伟;陈小源;杨辉;王聪;鲁林峰;李东栋;方小红;李明;杨康;王旭洪 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于层转移的晶硅薄膜的制备方法，包括：1）于单晶硅衬底表面形成用于制作周期性棒阵列的掩膜，采用化学湿法刻蚀或干法刻蚀工艺于单晶硅衬底上形成周期性的硅棒阵列；2）于单晶硅衬底表面及硅棒阵列表面形成阻挡层；3）采用选择性刻蚀工艺暴露硅棒阵列顶部的硅，形成硅核阵列；4）以硅核阵列作为外延生长的籽晶或成核位置，采用化学气相沉积法于硅棒阵列顶部形成连续的硅膜；5）剥离硅膜，将其转移至一预设基底。本发明以单晶硅片为母衬底，所生长硅膜能够继承母衬底的晶体质量，藉此保证硅膜的高晶体质量；硅膜剥离后，衬底经过简单处理后可以重复使用，同时气相化学沉积硅膜生长工艺简单，从而可有效地降低硅膜生产成本。
一种基于转移薄膜制备方法

[发明专利]隔离膜的形成方法及电极膜的形成方法-CN200580000431.7有效
发明人：加藤伸幸 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2005-04-07 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在本发明中，形成氮化钨膜21后，形成硅化钨膜22，从而形成隔离膜20，在隔离膜20的表面硅化钨膜22露出，电极膜25’与该硅化钨膜22密合而形成。构成电极膜25’的导电材料与硅化钨膜22中的硅原子化学性结合，因此隔离膜20与电极膜25’的密合性高，电极膜25’难从隔离膜20剥离，另外，在退火化时难引起电极膜25’的凝聚。
隔离形成方法电极

[发明专利]一种多晶硅膜层的均匀性检测装置-CN201910002594.2在审
发明人：王琦 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示器件检测领域，特别涉及一种多晶硅膜层的均匀性检测装置，用于检测待测显示面板上的多晶硅膜层的均匀性，上述多晶硅膜层的均匀性检测装置包括：用于自待测显示面板的多晶硅膜层一侧向待测显示面板发射垂直检测光的发射模块，多晶硅膜层在接收到发射模块发射的检测光后内部形成电场；与多晶硅膜层信号连接以检测所述多晶硅膜层中电场的电压的分析模块。上述检测装置能够对待测面板的多晶硅膜层的均匀性进行检测，从而能够防止显示面板出现显示不良的情况。
一种多晶硅膜层均匀检测装置

[发明专利]一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法-CN201510208176.0有效
发明人：龙永福;王先春;胡惟文;曹斌芳;张爱龙;王津 -专利权人：湖南文理学院
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种能稳定多孔硅膜物理微结构的方法，属半导体材料技术领域。该方法是在多孔硅膜的形成过程中，就对多孔硅膜的内表面使用过氧化氢（H2O2）并使用短波射线照射同时进行氧化处理，边对体硅进行阳极腐蚀，边对其内表面进行氧化处理，使多孔硅膜内表面的硅悬空键与过氧化氢中的氧原子结合形成稳定的硅‑氧键，增强多孔硅膜表面的稳定性和均匀性、光滑度和机械强度，保证多孔硅膜的物理微结构的稳定和均匀。本发明可提高多孔硅膜的物理强度、物理微结构、光学特性的稳定性和均匀性；有利于制备物理微结构稳定的多孔硅膜；有利于探索使用多层多孔硅膜用于光子器件中，有可能制备出稳定性很强和均匀性很高的多层多孔硅膜器件即多孔硅微腔
一种稳定多孔物理微结构新方法

[发明专利]结晶半导体的制造方法-CN97125255.6无效
发明人：山崎舜平;大谷久 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-10-31 - 公布日： 1998-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：为覆盖非晶膜,设置构成掩模的氧化硅膜,在其上形成具有镍等促进结晶化的催化元素的覆膜,在此状态下如果进行热退火,催化元素从孔向非结晶硅膜中扩散,从而获得结晶硅膜。此硅膜具有结晶方向一致的特征。这时虽然在孔部分的硅膜上可使催化元素透过,但调整气氛与温度,形成不蚀刻硅膜厚度的氧化膜。在此工序中用卤素通过孔将硅膜中的催化元素去除,而硅的结晶性不变化。因此得到了良好的结晶性硅膜。
结晶半导体制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200410003520.4无效
发明人：山口泰男 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-01-29 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供了可实现具有制造容限优异的结构、耐湿性良好、没有变动、可靠性高的半导体装置。最下层的门配线与被埋置在层间绝缘膜下的夹层形状的铜配线相连接。在铜配线的外侧，屏蔽环的铜配线被埋置在层间绝缘膜下。在铜配线和层间绝缘膜上形成硅氮化膜。在硅氮化膜上形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上埋置了连接不同铜配线的熔丝配线。在熔丝配线和包括铝配线的上面，形成了硅氧化膜。在硅氧化膜上形成了硅氮化膜。位于铝配线上的硅氮化膜已被拆除，形成开口部，硅氮化膜和铝配线直接连接。
半导体装置

[实用新型]一种太阳能电池背膜-CN200820133536.0有效
发明人：林建伟;费植煌;张育政 -专利权人：苏州中来太阳能材料技术有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：一种太阳能电池背膜，其为七层结构，包括依次覆合在一起的硅钛化成膜层、氟基膜层、硅钛化成膜层、基层、硅钛化成膜层、氟基膜层和硅钛化成膜层。本实用新型具有高粘结性、且具有高耐候性、耐化学性、高的电气绝缘性能，高的防水性。
一种太阳能电池

[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置-CN201910142632.4在审
发明人：冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少
硅膜成膜蚀刻基板处理装置成膜工序膜厚表面平滑性蚀刻气体基底薄膜期望

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201910043237.0有效
发明人：浅田泰生;折居武彦;铃木健斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在基板的面内均匀性较高地对含硅膜进行蚀刻。向在表面形成有含硅膜(13)的基板(W)供给七氟化碘气体和碱性气体，来对该含硅膜(13)进行蚀刻。通过这样的处理，能够在基板的面内均匀性较高地蚀刻。并且，在对基板(W)以残留含硅膜(13)的方式进行蚀刻的情况下，能提高所残留的含硅膜的表面的平坦性。
蚀刻方法装置

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法-CN01121865.7无效
发明人：甲斐徹哉;笠井良夫;角田弘昭;萩原裕之;小林英行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：通过提高栅氧化膜的膜质量降低漏电流来提高可靠性的半导体器件的制造方法。在半导体衬底11上形成隧道氧化膜12,在隧道氧化膜12上形成成为浮栅的多晶硅膜13。在多晶硅膜13上形成用CVD法制成的硅氧化膜14后,在氧化性气氛中进行热处理。在硅氧化膜14上形成硅氮化膜15,在硅氮化膜15上用CVD法形成硅氧化膜16。在氧化性气氛中进行热处理,进一步在硅氧化膜16上形成多晶硅膜17。
半导体器件制造方法

[发明专利]阻气膜-CN201380017358.9有效
发明人：中村诚吾;铃木信也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：通过本发明，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层
阻气膜

[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备工艺-CN201910984247.4在审
发明人：杨骥;黄金;王继磊;高勇;张娟;白焱辉;白星亮;冯乐;任法渊;贾慧君 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备工艺，异质结太阳电池包括：N型单晶硅片、本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层、本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层、导电性薄膜层和金属电极，N型单晶硅片的正面依次沉积本征非晶硅膜层一、N型非晶硅膜层，N型单晶硅片的背面依次沉积本征非晶硅膜层二、P型非晶硅膜层；本征N型非晶硅层和本征P型非晶硅层的外侧均沉积有导电性薄膜层，导电性薄膜层的外侧均印刷有金属电极。本发明导电性薄膜层结构导电层面积较大，掩膜区域宽度较小，且不容易出现绕镀的现象，不会覆盖N型硅片的边缘导致异质结短路，不需要考虑短接导致漏电流过高的情况，从而有利于提升异质结太阳能电池的转换效率。
一种异质结太阳电池及其制备工艺

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410090539.7无效
发明人：辻内干夫;岩松俊明 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：由氧化硅衬底(1)和硅膜(2)形成SOI衬底。硅膜(2)的表面被氧化而形成硅氧化膜(3)。在该硅氧化膜(3)上依次形成多晶硅(4)和硅氮化膜(5)。然后，沟槽(7)形成于区域(R1)上。在沟槽(7)内埋入绝缘材料即硅氧化膜(13)。从而防止半导体器件的性能与可靠性因金属污染物质而降低的情形。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种具有高粘结性的太阳能电池背膜-CN200820133535.6有效
发明人：林建伟;费植煌;张育政 -专利权人：苏州中来太阳能材料技术有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：一种具有高粘结性的太阳能电池背膜，其为七层结构，包括依次覆合在一起的氟硅氧烷化成膜层、氟基膜层、氟硅氧烷化成膜层、基层、氟硅氧烷化成膜层、氟基膜层和氟硅氧烷化成膜层。本实用新型具有高粘结性、且具有高耐候性、耐化学性、高的电气绝缘性能，高的防水性。
一种具有粘结太阳能电池

[发明专利]一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法-CN202110321122.0在审
发明人：范思大;丁光辉;邹志文;丁晓林;邹容园;崔虎山;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间稳定粘附的分布式布拉格反射镜及其制备方法，所述分布式布拉格反射镜由含硅材料与α‑Si交替沉积形成叠层结构，含硅材料膜层与α‑Si膜层间设置3~15nm含硅材料与α‑Si的杂化膜层。该分布式布拉格反射镜通过等离子体增强化学气相沉积方法制备，依次沉积α‑Si膜层、含硅材料膜层，并在含硅材料膜层上沉积α‑Si膜层前期1~4s通入10~100%含硅材料反应气体，形成含硅材料与α‑Si的杂化膜层所述杂化膜层在不影响膜层折射率的前提下，提高周期性叠加的α‑Si膜层与含硅材料膜层间粘附性。
一种稳定粘附分布式布拉格反射及其制备方法

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