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[其他]硼砂的制取方法-CN101987000001578在审
发明人：冀春霖;刘素兰;崔传孟;张显鹏;张国范;奚正平;袁文菊 -专利权人：东北工学院
申请日： 1987-06-24 - 公布日： 1989-03-29 - 主分类号：文献下载
摘要：本方法以硼镁铁矿矿石、焦炭、工业苏打为原料，以电炉为主要设备，经过冶炼、熔态分离及富硼渣料钠化处理，硼酸钠盐加压水浸等主要工序，可产生出合格的硼砂产品，而熔态分离出的铁是其付产品。该种方法的优点是扩大了生产硼砂的资源，并能使硼镁铁矿中的有价元素均能得到充分利用。整个工艺经济可行。
硼砂制取方法

[发明专利]硼砂的制取方法-CN87101578.1无效
发明人：冀春霖;刘素兰;崔传孟;张显鹏;张国范;奚正平;袁文菊 -专利权人：东北工学院
申请日： 1987-06-24 - 公布日： 1989-03-29 - 主分类号： C01B35/12 文献下载
摘要：本方法以硼镁铁矿矿石、焦炭、工业苏打为原料，以电炉为主要设备，经过冶炼、熔态分离及富硼渣料钠化处理，硼酸钠盐加压水浸等主要工序，可产生出合格的硼砂产品，而熔态分离出的铁是其付产品。该种方法的优点是扩大了生产硼砂的资源，并能使硼镁铁矿中的有价元素均能得到充分利用。整个工艺经济可行。
硼砂制取方法

[发明专利]基于富硒富硼植植株的高硼高硒蛋白营养素的提取和纯化方法-CN201810787785.X在审
发明人：钱丽 -专利权人：浙江格蕾斯生物科技有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： A23J1/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于富硒富硼植植株的高硼高硒蛋白营养素的提取和纯化方法，其特征在于：包括富硼富硒植株的种植和选取、植株粉碎、加入细胞壁分解酶、搅拌并结合超声波混匀、固液相离心分离、多孔纳米微吸附、多孔纳米微球采用洗脱法分离目标营养元素以及对目标营养元素进行干燥分离等一系列的步骤，获得高硼高硒植物蛋白营养素，避免传统提取方法中化工成分污染；采用破细胞壁生物酶提取技术以及多孔纳米微球层析提纯技术完成富硼、富硒及硼硒复合植物蛋白营养素的提取制备，从而获取有机植物天然复合及纯物理工艺“零”添加，“零”污染的高品质富硒富硼植物蛋白营养素产品。
营养素富硒植株高硼高硒多孔纳米微球营养元素植物蛋白细胞壁蛋白复合植物蛋白细胞壁分解酶生物酶提取营养素产品层析提纯传统提取多孔纳米分离目标物理工艺有机植物超声波高品质固液相混匀吸附洗脱制备污染复合种植

[发明专利]一种富硼、钼红稻的栽培方法-CN201510643228.7在审
发明人：李正 -专利权人：李正
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： A01G16/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种富硼、钼红稻的栽培方法。秧苗移植前，在水田里施放富硼基肥。富硼基肥由含硼化合物流体硼、磷肥、禽畜粪肥和绿肥混合沤制而成，整地时均匀施放翻埋于土壤中；水稻抽穗扬花初期和灌浆初期分别喷施1次富硼叶面肥。富硼叶面肥由含硼化合物流体硼溶于中药浸出液而成。本发明使水稻在生长发育过程中有多次机会从营养中摄取硼元素，有利于提高大米的硼含量，并具有保健作用。这种大米可做成各种大米食品，如米饭、米粉、糕点、饼干等，无毒无副作用，能增强人体的免疫力。
一种钼红稻栽培方法

[发明专利]一种富硼渣酸解料浆的脱水过滤方法-CN201510158925.3在审
发明人：胡伟;符寒光;杨晓军;匡加才;谢炜;雷永平;秦广胜 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： B01D37/00 文献下载
摘要：一种富硼渣酸解料浆的脱水过滤方法，属于化学工程科学研究领域。富硼渣酸解料浆脱水过滤方法有别于常规的直接趁热过滤，首先将酸解反应后的料浆在适当温度下蒸发干燥使其中的水分挥发掉，然后在剩下的干燥物中加入适量热水充分搅拌，最后趁热过滤。
一种富硼渣酸解料浆脱水过滤方法

[发明专利]一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法-CN201810638142.9有效
发明人：曾俞衡;叶继春;廖明墩;王丹;闫宝杰;杨熹;高平奇 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法，具体地，所述制备方法包括：采用椭偏分析仪测试样品A，得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B，得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线；基于第一性原理，得到样品A富硼层主要成分的光学性质，并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析，求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数、样品A富硼层富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线，通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数
一种富硼层玻璃快速无损测试方法

[发明专利]一种具有富硼化钨涂层的工件及其制备方法-CN201710193597.X在审
发明人：唐永炳;石磊;蒋春磊 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有富硼化钨涂层的工件，包括工件基体，以及依次设置于所述工件基体上的钨层、硼化钨梯度层和富硼化钨涂层；沿所述工件基体向所述钨层的厚度方向，所述硼化钨梯度层中的硼含量逐渐增加；所述富硼化钨涂层中的晶粒为本发明独特的涂层结构，可使各层间的结合强度将高，各层之间的弹性模量和热膨胀系数从基体到顶层薄膜呈梯度变化，将整体涂层的应力降至趋于零，提高富硼化钨涂层的韧性和结合力。本发明还提供了该具有富硼化钨涂层的工件的制备方法。
硼化钨工件基体梯度层钨层制备弹性模量热膨胀系数晶粒梯度变化涂层结构依次设置整体涂层逐渐增加结合力层间顶层薄膜

[发明专利]界面复合结构及其制备方法和应用的两端叠层太阳电池-CN202111576837.7在审
发明人：叶继春;曾俞衡;丁泽韬;刘伟;杨熹;闫宝杰;廖明墩;孙靖淞 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种界面复合结构及其制备方法和应用的两端叠层太阳电池，其中的界面复合结构包括有富硼硅层，所述富硼硅层通过在硅片或硅片多层结构上进行硼掺杂形成，所述富硼硅层的硼掺杂浓度为1×1020–5×1021cm‑3，硼的原子比例为0.2–10at.％。本发明中提供的一种界面复合结构，其采用富硼硅层替代现有技术中的TCO界面复合层，富硼硅层具有与TCO层媲美的高亲水性、高电导率和高缺陷密度，保证了顶电池与底电池的紧密结合、载流子的快速复合。
界面复合结构及其制备方法应用两端太阳电池

[发明专利]一种含硼富燃料推进剂用元素硼的制备方法-CN202210126498.0在审
发明人：蔡东;祝凯乾;王浩;周莹;杨录新;何通;董长春 -专利权人：天元航材（营口）科技股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C06B33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种含硼富燃料推进剂用元素硼的制备方法，本方法通过将市售低含量的无定形元素硼通过精制炉进行精制及后处理得到可以直接用于含硼富燃料推进剂用元素硼，将市售无定形元素硼与硼酐按比例混合在一定温度下加热到熔融状态，此时将精制助剂分多次喷溅到熔融的硼粉及硼酐混合料中，反应完全后保温，全程用惰性气体保护，待温度降低到室温时，取出物料进行后处理，酸洗两次，水洗两次，水洗后加入处理剂进行包覆处理，经包覆后烘干得到含硼富燃料推进剂用元素硼本发明生产的无定形元素硼含量高，杂质少，能显著改善硼粒子的点火燃烧性能，并且与含硼富燃料推进剂有良好的相容性，能够改善含硼富燃料推进剂生产工艺，可直接应用于含硼富燃料推进剂中。
一种含硼富燃料推进元素制备方法

[其他]再烧结富硼多晶立方氮化硼及其制造方法-CN87100500无效
发明人：托马斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根 -专利权人：通用电器公司
申请日： 1987-01-26 - 公布日： 1987-08-19 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：一种制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，以所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不含可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不含烧结助剂。
烧结多晶立方氮化及其制造方法

[发明专利]再烧结富硼多晶立方氮化硼的制造方法-CN87100500.X无效
发明人：托马斯·雷蒙德·拉文斯;弗朗西斯·雷蒙德·科里根;理查德·刘易斯·肖特;哈罗德·保罗·博文柯克 -专利权人：通用电器公司
申请日： 1987-01-26 - 公布日： 1990-01-31 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本文介绍的制造再烧结的多晶立方氮化硼压块的方法包括将烧结的富硼多晶立方氮化硼颗粒放在一高温/高压装置中，使所述的富硼立方氮化硼颗粒经受适合将所述颗粒进行再烧结的压力和温度的处理，所采用的温度低于立方氮化硼的再转化温度，所用的时间足以能对其中的多晶立方氮化硼颗粒进行再烧结。在高压/高温装置中的富硼多晶立方氮化硼颗粒不合可干扰烧结过程的杂质(抑制立方氮化硼烧结的杂质)，也不合烧结助剂。
烧结多晶立方氮化制造方法

[实用新型]一种具有富硼化钨涂层的工件-CN201720311824.X有效
发明人：唐永炳;石磊;蒋春磊 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有富硼化钨涂层的工件，包括工件基体，以及依次设置于所述工件基体上的钨层、硼化钨梯度层和富硼化钨涂层；沿所述工件基体向所述钨层的厚度方向，所述硼化钨梯度层中的硼含量逐渐增加；所述富硼化钨涂层中的晶粒为本实用新型中独特的涂层结构，可使各层间的结合强度将高，各层之间的弹性模量和热膨胀系数从基体到顶层薄膜呈梯度变化，将整体涂层的应力降至趋于零，提高富硼化钨涂层的韧性和结合力。
一种具有富硼化钨涂层工件

[发明专利]一种富锂材料、其改性方法及应用-CN202011580401.0有效
发明人：慈立杰;聂祥坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种富锂材料、其改性方法及应用，改性方法包括如下步骤，将富锂材料分散到有机硼溶液中，待有机硼与富锂材料充分反应后，将得到的产物煅烧即得；其中，所述有机硼为双(邻苯二酚)二硼酸脂；有机硼溶液中包括氮甲基吡咯烷酮在表面原位反应和烧结的作用实现表面硼掺杂尖晶石包覆和硼酸根掺杂的双重目的。
一种材料改性方法应用

[发明专利]硼掺杂的锂离子电池富锂正极材料及其制备方法-CN201310343984.9有效
发明人：李彪;马进;夏定国 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了硼掺杂的锂离子电池富锂正极材料及其制备方法。本发明中的硼掺杂的锂离子电池富锂正极材料的化学式为Li[LiaMnbCocNidBx]O2（a+b+c+d+x=1，a，b，x＞0，c≥0,d≥0,c+d＞0）。本发明通过共沉淀法及溶胶凝胶法制备的锂离子电池富锂正极材料所掺杂的硼元素用量较少，而所达到的效果却非常明显，掺杂2%左右的硼便可以使得稳定性大幅度提高；同时掺杂硼使富锂材料的振实密度得到提升；本发明中合成掺硼的富锂材料的共沉淀法
掺杂锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]由含硼的金刚石－铜复合材料制成的散热器-CN200580013882.4有效
发明人：卢德格尔·韦伯 -专利权人：普兰西欧洲股份公司;洛桑理工学院
申请日： 2005-04-13 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：除了按体积计含40－90％的金刚石细粒外，所述复合材料还含有按体积计7到59％的铜或富铜相，富铜相中铜＞80原子％，以及按体积计0.01到20％的硼或富硼相，富硼相中硼＞50原子％。通过添加硼，可以相当大地改善铜与金刚砂的粘合，因此可以获得高热导率。优选的生产方法包含不加压和压力协助下渗入技术。所述元件特别适合用作半导体元件的散热器。
金刚石复合材料制成散热器