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[发明专利]一种高纯硼粉的制备方法及装置-CN201510780933.1有效
发明人：夏雯;蒋文全;刘淑凤;傅钟臻 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明尤其涉及一种高纯硼粉的制备方法及装置。工业硼粉直接溴化，经溴化、除溴、分馏得到高纯溴化硼，高纯溴化硼液体储存至缓冲罐内；采用高纯氩气对气路进行吹扫；气路吹扫完成后切换为高纯氢气，同时加热高纯溴化硼液体使其气化，溴化硼气体与高纯氢气混合通入还原反应炉内，溴化硼气体被氢气还原得到高纯硼粉。本发明采用工业硼粉作为原料，原料易得，成本低廉，整个过程环境友好；氢还原过程反应温度低，能耗少，且由于温度的降低，使得原料中成分不会高温分解，反应充分，生产出的高纯硼粉杂质少，纯度高，可达到99.99995％以上，以溴化硼计产率达到80％以上。
一种高纯制备方法装置

[外观设计]杯（高硼）-CN202230548187.4有效
发明人：褚文焕 -专利权人：褚文焕
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯（高硼）。2.本外观设计产品的用途：用于盛放液体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。

[发明专利]一种高熵硼化物涂层的制备方法-CN202310735655.2在审
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;迟寰宇;张泽;刘少璞;牟广义;何思源 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种高熵硼化物涂层的制备方法。本发明提供了一种高熵硼化物涂层的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物、分散剂和粘结剂混合，得到的浆料进行喷雾造粒，得到球形料；将所述球形料依次进行第一烧结和第二烧结，得到高熵硼化物微球；以所述高熵硼化物微球为涂料，在基体上进行喷涂，得到所述高熵硼化物涂层。本发明得到的高熵硼化物涂层具有较高的致密性。
一种高熵硼化物涂层制备方法

[发明专利]复合高硼硅玻璃及其制备方法和LED灯饰-CN201610213327.6在审
发明人：薛信培 -专利权人：薛信培
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C03C17/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合高硼硅玻璃及其制备方法和一种LED灯饰。本发明复合高硼硅玻璃包括高硼硅玻璃基板，在所述高硼硅玻璃基板的表面还结合有导热改性层，所述导热改性层是经烧结形成，且所述导热改性层含有质量比为(15‑25)：(45‑55)的玻璃粉与六方氮化硼。因此，本发明复合高硼硅玻璃具有优异的导热性能和热稳定性，其制备方法能够复合高硼硅玻璃性能的稳定。本发明LED灯饰包括本发明复合高硼硅玻璃，因此，本发明LED灯饰使用寿命长，工作稳定性高。
复合高硼硅玻璃及其制备方法 led 灯饰

[发明专利]一种光纤F-P腔温度传感器及封装保护结构-CN202310511847.5有效
发明人：赵庆超;尚盈;刘小会;李惠;吕京生;王蒙;赵文安 -专利权人：山东省科学院激光研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B6/44 文献下载
摘要：一种光纤F‑P腔温度传感器，包括毛细管，具有第一熔点；光纤部，一端端部裸露的裸光纤插入毛细管内，裸光纤具有第二熔点；高硼硅管为第一段高硼硅、第二段高硼硅和第三段高硼硅，高硼硅管具有第三熔点，第一段高硼硅和第三段高硼硅均为筒状结构，第二段高硼硅为弧状结构；第一段高硼硅套设在裸光纤的前端部，用于对裸光纤准直；第二段高硼硅设置在裸光纤的中部，与毛细管形成容纳灰尘的容纳空间，以使灰尘减少对裸光纤外壁的摩擦；第三段高硼硅套设在裸光纤的后端部，熔化高硼硅形成将裸光纤固定在毛细管内的连接点；第三熔点分别小于第一熔点和第二熔点。
一种光纤温度传感器封装保护结构

[发明专利]高纯三氟化硼-11的制备方法-CN201410212598.0有效
发明人：方治文 -专利权人：方治文
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯三氟化硼-11的制备方法，属于硼同位素化合物领域，包括以下步骤：（ⅰ）反应物预处理；（ⅱ）氧化硼-11氟化合成三氟化硼-11粗品；（ⅲ）三氟化硼-11与杂质初步分离；（ⅳ）三氟化硼-11的液化收集；（ⅴ）三氟化硼-11的提纯；（ⅵ）尾气处理。本发明以浓缩硼-11同位素的氧化硼-11为原料与氟化剂高纯三氟化氮反应合成三氟化硼-11，所得产物经过吸附、低温精馏除去其中的微量杂质，得到纯度99.999%以上浓缩硼-11同位素的高纯三氟化硼-11产品本发明制备的高纯三氟化硼-11产品能满足先进半导体器件制程要求，可提高集成电路的抗干扰和抗辐射性能。
高纯氟化 11 制备方法

[发明专利]一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用-CN202310731318.6在审
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;迟寰宇;张泽;刘少璞;牟广义;何思源 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用。本发明提供了一种改性高熵硼化物的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物和碳化硅进行混合，得到的混合料进行烧结，得到所述改性高熵硼化物。本发明通过添加SiC与高熵硼化物进行共熔共晶，进一步弥补了硼化物在高温下因硼元素蒸发损失、无法形成致密的保护性氧化层的缺点。在烧蚀的过程中，添加SiC后形成的硼硅酸盐基玻璃保护层成为更有效的钝化层，阻止氧气向硼化物的进一步扩散，使硼化物的抗氧化烧蚀性能大大提高。
一种改性高熵硼化物及其制备方法应用

[实用新型]高硼硅管的转运装置-CN201821406309.0有效
发明人：顾建丰 -专利权人：浙江力都新材料有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： B62B3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高硼硅管的转运装置，属于高硼硅管技术领域。它解决了现有高硼硅管输送时容易破损等技术问题。高硼硅管的转运装置，包括转运架、多个用于装载高硼硅管的搁板、左防护板和右防护板，搁板平行地前后滑动安装在转运架上，左防护板铰接在转运架的左端，右防护板铰接在转运架的右端，高硼硅管被限位固定在左防护板和右防护板之间本实用新型具有高硼硅管输送时不容易破损的优点。
高硼硅转运架右防护板转运装置左防护板本实用新型搁板铰接破损前后滑动限位固定左端平行装载

[发明专利]一种高硼硅玻璃生产用检测装置-CN202210806981.3在审
发明人：贾心伟;伊全 -专利权人：信和光能（安徽）有限公司
申请日： 2022-07-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N3/48 文献下载
摘要：本发明涉及高硼硅玻璃生产技术领域，尤其涉及一种高硼硅玻璃生产用检测装置，将待检测的高硼硅玻璃通过进料传送带传输，至检测辊旁侧并将高硼硅玻璃对准运输进夹持槽中，然后检测辊转动将高硼硅玻璃顺次运输至上端靠近检测箱顶壁，然后检测螺杆转动带动敲击球对高硼硅玻璃进行敲击检测，若高硼硅玻璃破碎则掉落的碎片掉落至回收传送带上并带出检测箱，留在夹持槽上的碎片转动至下端掉落在回收传送带上并带出检测箱，未破碎的高硼硅玻璃转动至出料板侧并压动压动板，出料辊将完整的高硼硅玻璃夹住，将夹持的高硼硅玻璃夹持传送至出料传送带上并带出检测箱，无需人工处理，避免了所产生的碎渣对操作人员造成安全威胁，大大提高了检测的安全性。
一种高硼硅玻璃生产检测装置

[发明专利]一种高硼硅玻璃管切割装置-CN202010307549.0有效
发明人：黄建 -专利权人：新沂市弘扬果谷工艺品有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C03B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硼硅玻璃管切割装置，涉及高硼硅玻璃管加工技术领域，包括支撑架，支撑架上固定有用于承载高硼硅玻璃管的托板I和托板II，升降架内设有用于切割高硼硅玻璃管的切割机构，所述升降架上滑动安装有用于对高硼硅玻璃管固定的压紧定位机构；本发明通过设置的驱动机构能驱动升降柱进行竖直往复运动，使得升降架竖直往复运动，升降架上的切割机构得以上下移动，实现对高硼硅玻璃管的切割动作，设置的推送机构能带动推块对高硼硅玻璃管向右步进式推送等距离长度，使得而高硼硅玻璃管每推送一次后，即受到切割机构的切割一次，实现高硼硅玻璃管的步进式等间距自动切割效果，大大提升了高硼硅玻璃管的切割效率。
一种高硼硅玻璃管切割装置

[发明专利]一种高比表面积超亲水的梯度硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用-CN202010390579.2有效
发明人：魏秋平;马莉;周科朝;王立峰;王宝峰;施海平 -专利权人：南京岱蒙特科技有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高比表面积超亲水的梯度硼掺杂金刚石电极及其制备方法和应用，所述梯度硼掺杂金刚石电极是直接以衬底作为电极基体；或在衬底表面设置过渡层后作为电极基体，再于电极基体表面设置梯度硼掺杂金刚石层，所述梯度硼掺杂金刚石电极的润湿角θ40°；所述梯度硼掺杂金刚石层，由下至上，依次包括硼含量梯度增加的梯度硼掺杂金刚石底层、梯度硼掺杂金刚石中层、梯度硼掺杂金刚石顶层，使得本发明的梯度硼掺杂金刚石层同时具有高附着力，高耐腐蚀性能、高催化活性，同时通过顶层高硼含量结合一次性高温处理，使得梯度硼掺杂金刚石电极具有高比表面积以及超亲水性，可大幅提升梯度硼掺杂金刚石电极的矿化降解效率。
一种表面积超亲水梯度掺杂金刚石电极及其制备方法应用

[发明专利]一种高硼含量碳硼烷聚合物及其合成方法-CN202111325790.7有效
发明人：宋育杰;段连泰;李天昊;陈科;何流;黄庆;黄政仁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C08G77/60 文献下载
摘要：本发明属于高分子材料领域，涉及一种高硼含量碳硼烷聚合物的合成方法，包括以下步骤：含炔基聚硅氮烷、十硼烷络合物和反应溶剂在惰性气氛中，于60～120℃下反应7～15h，抽干、升华，得到高硼含量碳硼烷聚合物本发明成功合成了一种高硼含量且硼含量可控的碳硼烷聚合物，为碳硼烷聚合物的生产和应用提供了新的可能。
一种含量碳硼烷聚合物及其合成方法

[发明专利]高纯三氯化硼-11的制备方法-CN201410212121.2有效
发明人：方治文 -专利权人：方治文
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B35/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯三氯化硼-11的制备方法，属于硼化合物的制备方法领域，包括原料预处理、氯化铝和三氟化硼-11反应合成三氯化硼-11、过滤、初步分离、精馏提纯、高纯三氯化硼-11产品收集、尾气处理等步骤本发明制备的高纯三氯化硼-11纯度高，可达到99.9999%以上，能够满足超大规模集成电路半导体器件制程的要求，有效提高集成电路的抗干扰和抗辐射性能，并可用作制造高纯单质硼-11同位素材料、特殊硼纤维材料及光导纤维等材料的原料
高纯氯化 11 制备方法

[发明专利]一种高硼硅玻璃的制备方法-CN202310395377.0在审
发明人：解玉姣;王飞鹏;魏春杰;韩婷婷;李琳;苗珂;余磊 -专利权人：山东理工大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C03C3/093 文献下载
摘要：本发明涉及一种高硼硅玻璃的制备方法，属于高硼硅玻璃制备生产的技术领域，本发明目的是优化现有高硼硅玻璃的组成，提供一种高性能高硼硅玻璃的制备方法。本发明是在原有高硼硅玻璃组成的基础上掺杂金属氧化物，制备过程包括配料、熔炼、成型、退火、加工，本发明提供的方法制备的高硼硅玻璃具有更优异的密度、折射率、化学稳定性和热膨胀系数。
一种高硼硅玻璃制备方法

[发明专利]一种利用酸淬提纯和改性无定形硼粉的方法-CN202310353227.3在审
发明人：伍继君;曹振;吕姝璇 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B35/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用酸淬提纯和改性无定形硼粉的方法，属于硼粉提纯技术领域。本发明在保护气体氛围下，将无定形粗硼粉匀速升温至600~1200℃并保温焙烧；将焙烧的粗硼粉迅速倒入盐酸‑氢氟酸的混合酸中进行酸淬处理，固液分离，真空干燥即得高纯高活性无定形硼粉。高纯高活性无定形硼粉中镁含量降低至1.36%，硼粉纯度提高到93%，点火温度从731℃降低至657℃。本发明方法能够实现无定形硼粉中杂质镁的高效去除，并显著提高无定形硼粉的反应活性。
一种利用提纯改性无定形方法

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