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[发明专利]使用宽射束的非均一离子注入设备及方法-CN200610004409.6无效
发明人：李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-02-10 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。
使用宽射束均一离子注入设备方法

[发明专利]非均匀离子注入设备与方法-CN200610006716.8无效
发明人：卢俓奉;秦丞佑;李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-02-07 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种非均匀离子注入设备包括：宽离子束产生器，被配置以产生多个宽离子束以照射在晶片的全部区域上至少两区域，和晶片旋转装置，被配置当将通过该宽离子束产生器产生的宽离子束照射至晶片时在预定方向旋转该晶片。在该宽离子束中，至少一宽离子束具有不同于至少一其它宽离子束的剂量。因为宽离子束以不同剂量照射晶片，在对其注入不同浓度的杂质离子的区域之间形成平滑圆形边界。因为对于宽离子束适当地改变晶片的位置，所以能够控制使用不同浓度的杂质离子所注入的区域的配置。
均匀离子注入设备方法

[发明专利]纳米刻蚀精度多次离子切割装置-CN202111625998.0有效
发明人：杜忠明;陈浩森;宋维力;杨继进;方岱宁;杨乐;李娜;李宁 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所;北京理工大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明属于样品表面处理技术领域，旨在解现有技术中的离子切割装置无法定量的多次重复切割和重复定位的问题，具体涉及一种纳米刻蚀精度多次离子切割装置，包括总控中心、宽离子束源、恒温系统、样品传输台、样品刻蚀真空舱、宽离子束源真空舱、真空泵和真空规，真空泵与真空规与宽离子束源真空舱连接，宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱通过滑轨组件连接，宽离子束源真空舱与样品刻蚀真空舱构成一密闭舱体；宽离子束源真空舱的顶部装设有真空舱盖板，真空舱盖板上开设有透明观察窗，其位于离子束汇聚点的正上方；宽离子束源包括一个或者多个离子枪，用于产生宽离子束对样品切片；通过本发明可实现离子切割的重复高精度切割、定位。
纳米刻蚀精度多次离子切割装置

[发明专利]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法-CN200810023121.2有效
发明人：刘全;吴建宏;杨卫鹏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便、易于实现，是控制刻蚀光栅占宽比的有效方法。
一种全息离子束刻蚀制备光栅方法

[发明专利]一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法-CN201911280496.1有效
发明人：廖斌;欧阳晓平;罗军;张旭;陈琳;庞盼;吴先映;英敏菊 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子束印刷系统的离子束印刷方法，所述离子束印刷系统包括放置在真空中的卷对卷印刷机以及安装在所述卷对卷印刷机上的中高能宽域离子源、中低能宽域离子源以及低能离子源；所述离子束印刷方法包括：对聚酰亚胺基体先涂覆干膜，按照预设电路图形对所述干膜进行刻蚀，然后采用离子束印刷系统在所述电路图形上沉积宽域能金属离子，形成薄膜基体，最后对所述薄膜基体进行干膜剥离，得到印刷电路板。本发明采用离子束印刷系统沉积宽域能金属离子，可以制备超精细的线路，其线宽线距可小于3微米，沉积膜层致密性好，膜层表面光滑特性好，制作成本低，适合高频高速传输应用，并且不存在电镀液污染环境的问题，更加环保
一种基于离子束印刷系统方法

[发明专利]控制宽束一致性的系统和方法-CN200980123989.2有效
发明人：佐藤秀;曼尼·谢拉兹基;爱德华·艾伊斯勒 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开一种离子束一致性控制系统，其中，该一致性控制系统系包含：差动泵送室，其围绕单独的控制的气体喷射器的阵列，其中，单独控制的气体喷射的气体压力由控制器所驱动以改变电荷交换离子的比率，且于气体与离子之间的电荷交换反应改变了具有一宽离子束的原始电荷状态的离子的比率，其中，宽离子束的电荷交换部分系利用其产生磁场的一偏转器而移除；法拉第杯轮廓仪，用于测量宽离子束轮廓；且，基于提供至控制器的反馈而调整单独控制的气体喷射以得到期望的宽离子束。
控制一致性系统方法

[发明专利]离子束植入电流、点宽与位置调校-CN200580033847.9有效
发明人：张升吾;安东尼勒·可雀帝;约瑟·P·迪宰桔雷斯契;葛列格里·R·吉本雷洛;罗扎里欧·马雷卡;葛桔·A·洛里斯;约瑟·C·欧尔森;马黎耶·J·威尔旭 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2005-10-07 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
离子束植入电流位置调校

[发明专利]芯片失效分析过程中的剥层方法-CN201610211567.2在审
发明人：林晓玲;恩云飞;梁朝辉 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。
芯片失效分析过程中的方法

[发明专利]一种高深宽比倒锥型结构制造方法-CN201910300534.9有效
发明人：袁志山;刘佑明;王成勇 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高深宽比倒锥型结构制造方法，包括以下步骤：将需要刻蚀的锥型结构设置i个不同宽度的形状结构进行叠加而成，由外向内所述不同宽度的形状结构的宽度逐渐减小，深度逐渐增加；设置宽度最小的形状结构的宽度为b，设置相邻的两个形状结构的宽度之差为c，设置每个形状结构的深度为h；设置离子束类型，离子束的电压、离子束的电流；在聚焦离子束发射场扫描电子显微镜上绘制出需要刻蚀的锥型结构的离子束图形，采用连续刻蚀方法本发明利用离子束加工过程的反沉积效应制造倒锥形结构，通过绘制离子束图形控制刻蚀结构，在绘制好离子束图形后，利用离子束一步刻蚀完成，工艺简单。
一种高深倒锥型结构制造方法

[发明专利]实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法-CN201710377872.3有效
发明人：刘卫国;张进;惠迎雪;周顺;陈智利;秦文罡 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法。其采用三级球面栅网实现了宽束冷阴极离子源离子束的引出、整形及聚焦，可通过栅网球面半径的尺寸来调节离子束焦点的位置；通过改变栅网上小孔分布图形及尺寸大小来调节束斑和束流大小；加速栅电位调节可有效控制离子运动轨迹，减少离子运动过程中的损失和栅网损耗。本发明可实现对加工表面进行定点去除，将推动国内离子束技术的工程化应用。
实现定点去除聚焦离子束四级栅网系统及其方法

[发明专利]一种宽束离子注入机均匀性调节装置-CN201410475060.9有效
发明人：张进学 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽束离子注入机均匀性调节装置。为了解决宽带束均匀性难以控制的问题，所述调节装置包括分析光栏、宽束平行透镜、多磁极调节机构和垂直扫描基片；所述宽束平行透镜设置在分析光栏的宽带离子流出口处，宽带离子流以一定张角进入宽束平行透镜；所述宽束平行透镜出口处设有调节通过束流偏转角度的多磁极调节机构，以改变离子束到达垂直扫描基片处束流水平密度分布，调节离子束水平方向束流分布的均匀性；所述垂直扫描基片设置在多磁极调节机构的出口处，以在垂直方向对束流匀速扫描，保证束流垂直方向的均匀性。本发明控制简单，调节效果好，能很好满足宽带离子注入机的束均匀性调节要求。
一种离子注入均匀调节装置

[发明专利]光栅深刻蚀的方法-CN202010634034.1在审
发明人：王勇禄;晋云霞;曹红超;孔钒宇;张益彬;邵建达 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种光栅深刻蚀方法，该方法包括：光栅金属掩膜结构制备、反应离子束刻蚀、化学湿法腐蚀去除掩膜残留、倾斜镀制金属掩膜等过程。通过不断重复反应离子束刻蚀→残留掩膜去除→倾斜镀制金属掩膜→反应离子束刻蚀过程，可以在保持光栅占宽比的条件下逐步提升光栅的刻蚀深度，解决了氧化硅、氮化硅、氧化铪等常用光栅材料单次掩膜刻蚀选择比不高、无法实现大深宽比刻蚀的问题，为大深宽比衍射光学元件的刻蚀制备奠定了基础。
光栅深刻方法

[发明专利]离子注入装置-CN200510072685.1有效
发明人：前野修一;内藤胜男;安东靖典;希尔顿·F·格拉维什 -专利权人：日新意旺机械股份公司
申请日： 2005-05-16 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子注入装置，其包括：离子源，其产生具有所希望的离子种类且比衬底(82)的短边宽度宽的片状离子束(20)；质量分离磁铁(36)，其使离子束(20)向与其片状面(20s)正交的方向弯曲，筛选导出所希望的离子种类；分离缝隙(72)，其和质量分离磁铁(36)协动，筛选所希望的离子种类并使其通过；衬底驱动装置(86)，其在通过分离缝隙(72)的离子束(20)的照射区域内在实质上与离子束(20)的片状面(20s)正交的方向反复驱动衬底
离子注入装置

[发明专利]纳米结构三维成像系统与方法-CN202111626000.9有效
发明人：杜忠明;杨继进 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明属于三维成像技术领域，具体涉及一种纳米结构三维成像系统与方法，旨在解决成像仪器刻蚀慢、精度低、无法完成跨尺度大体积量刻蚀的问题；系统包括总控中心、真空舱体、电子枪、成像信号探测器、宽离子束源装置和激光测距仪组件；真空舱体的内部设有样品装载装置；宽离子束源装置的径向源与样品被刻蚀表面平行设置；激光测距仪组件包括用于测量与离子束遮挡板顶面距离的第一激光测距仪和用于测量与样品非刻蚀区域距离的第二激光测距仪，第一激光测距仪、第二激光测距仪并排放置且激光行进方向与宽离子束源装置行进方向垂直；本发明能实现跨尺度大体积量的刻蚀，刻蚀效率高、刻蚀精度高。
纳米结构三维成像系统方法

[发明专利]一种团簇能量逐级递减的团簇离子束表面抛光方法-CN202110687568.5在审
发明人：瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅;付德君;杨兵 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及团簇离子应用领域，具体涉及一种团簇能量逐级递减的团簇离子束表面抛光方法。团簇离子束对靶材抛光过程中，靶材表面会产生半球形结构孔洞，对于硬度一致的靶材，团簇能量越高，遗留的孔洞直径也越大,而低能团簇溅射率太低，很难除去表面凸起，靶材表面粗糙度难以达到预期。本发明提供的方法在对靶材进行抛光时，采用能量呈阶梯状逐级递减的团簇离子束对靶材抛光，对于靶材上的细高凸起采用高能团簇离子束，宽矮凸起采用中能团簇离子束，最后使用低能团簇离子束除去中高能团簇离子束对靶材造成的孔洞损伤
一种能量逐级递减离子束表面抛光方法

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