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- [发明专利]凸块结构及工艺-CN201110130330.9有效
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施政宏;郭士祯;陈文童
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颀邦科技股份有限公司
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2011-05-17
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2012-11-21
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H01L23/488
- 本发明是有关于一种凸块结构，其在一载板上形成该凸块结构，包含有一第一高分子块体、一第二高分子块体、一第一沟槽、一凸块下金属层及一接合金属层，其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为一独立的块体，该第一高分子块体具有一第一接合槽，该第二高分子块体具有一第二接合槽，该第一接合槽及该第二接合槽连通该第一沟槽，该凸块下金属层形成有相互连通的一第二沟槽、一第三接合槽及一第四接合槽，该接合金属层形成相互连通的一第三沟槽、一第五接合槽及一第六接合槽，其中该凸块下金属层覆盖各该第一高分子块体的一第一覆盖区与该第二高分子块体的一第二覆盖区并显露出各该第一高分子块体的一第一显露区与该第二高分子块体的一第二显露区。
- 结构工艺
- [发明专利]凸块工艺及其结构-CN201110146922.X有效
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何荣华;郭志明;庄坤树
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颀邦科技股份有限公司
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2011-05-25
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2012-11-28
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H01L21/60
- 本发明是有关于一种凸块工艺，其包含一基板；形成一含铜金属层；形成一光阻层；图案化该光阻层以形成多个开口；形成多个铜凸块在该些开口内，各该铜凸块具有一第一顶面；形成一包含有一镍层及一接合层的导接层，该导接层具有一第二顶面；移除该光阻层；形成一凸块下金属层，其中各该凸块下金属层具有一第一外周壁，各该铜凸块具有一第二外周壁，该导接层及该基板的第一保护层之间具有一容置空间，该容置空间环绕该第一外周壁及该第二外周壁，且该容置空间具有一第一容置部及一对第二容置部
- 工艺及其结构
- [发明专利]电铸晶圆凸块-CN201210023766.2无效
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李真明;周涛;黎盼;陈英;余文龙
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昆山美微电子科技有限公司
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2012-02-03
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2012-07-04
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H01L23/488
- 本发明属于覆晶封装技术领域，尤其涉及一种电铸成型于半导体晶片的引脚的电铸晶圆凸块，包括IC脚垫和电铸成型于IC脚垫上的锡铅凸块；所述的锡铅凸块为多个，厚度为0.02～0.2mm，锡铅凸块为100～200个，凸块间距为100～200μm；锡铅凸块由外而内分为锡铅球本体和球下冶金层；锡铅球本体为倒置的球形，材料为锡铅合金，锡铅球本体的高度为50～80μm。本发明具有的有益效果为：晶圆凸块采用锡铅合金材料，制造成本较低；采用电铸的方法生成晶圆凸块，生产效率高，凸块间距较稳定地控制于150μm以下，精度高，能获得质量稳定的电铸晶圆凸块。
- 电铸晶圆凸块
- [发明专利]凸块制作方法-CN01101618.3无效
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易牧民
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华治科技股份有限公司
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2001-01-12
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2002-08-21
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H01L21/60
- 一种凸块制作方法,提供一晶片,在晶片上的焊垫与保护层上形成隔离金属层与球底金属层,在焊垫上方限定出凸块形成位置,并将该位置以外的球底金属层移除,将最底层隔离金属层留下。在未被移除的隔离金属层上形成图案化光致抗蚀剂,再以印刷方式将锡铅膏填入光致抗蚀剂开口,其开口位于欲成长凸块位置,在光致抗蚀剂剥除前先回焊,再将光致抗蚀剂剥除,最后将隔离金属层移除。
- 制作方法
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