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[发明专利]太鼓环切机台的太鼓环回收装置-CN202011501808.X在审
发明人：陈旋;苏亚青;谭秀文;肖酉 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓环切机台的太鼓环回收装置，包括：设置在太鼓环回收桶中的升降单元；升降单元的顶部表面到太鼓环回收桶的顶部开口之间的区域为回收区域；太鼓环从太鼓环回收桶的顶部开口采用掉落的方式收集到回收区域中；升降单元的顶部表面具有上下升降功能，在回收区域未收集太鼓环时升降单元的顶部表面最高，随着回收数量增加，升降单元的顶部表面逐渐降低。本发明能降低回收太鼓环时太鼓环时掉落高度从而能降低碎片率或者基本不碎片，同时还不会影响太鼓环回收装置的容积；还能在太鼓环回收装置装满之前及时对太鼓环回收装置清理，从而能防止发生装满报警以及由此产生的机台急停和晶圆返工缺陷
太鼓环切机台太鼓环回收装置

[发明专利]太鼓减薄工艺的环切工艺方法-CN201510977067.5在审
发明人：郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓减薄工艺的环切工艺方法，包括步骤：使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄；在晶圆的背面完成背面工艺；将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；进行环切工艺包括分步骤：在晶圆的中间部分的外侧边缘处进行切割；将采用分多次逐步逼近方式将取环手臂切入到切割胶带和支撑环之间。本发明能降低环切步骤中的碎片率。
太鼓减薄工艺方法

[发明专利]太鼓减薄工艺的去环方法-CN201410363960.4有效
发明人：郁新举;刘玮荪;黄锦才 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓减薄工艺的去环方法，包括步骤使用太鼓减薄工艺方法对晶圆背面进行减薄；在晶圆的背面完成背面工艺；将晶圆贴附在切割胶带上并固定在划片环上；在距离晶圆的中间部分的外侧边缘的内侧2毫米～10毫米处切割形成缓冲沟槽；采用环切工艺将支撑环切除或者磨平。本发明能降低环切步骤中的碎片率或完全防止环切步骤中的碎片。
太鼓减薄工艺方法

[发明专利]太鼓环移除方法-CN202210191578.4有效
发明人：高金龙;葛凡;张宁宁;周鑫;蔡国庆 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了太鼓环移除方法，该方法在通过移除机构进行太鼓环的移除之前，通过检测装置检测太鼓环，控制装置根据检测装置的检测信号来判断所述太鼓环是否是一个整体；当确定太鼓环不是一个整体时，控制装置发出警报且控制移除机构不进行太鼓环的移除；当确定太鼓环是一个整体时，控制装置控制移除机构进行太鼓环的移除。本方案采用先进行太鼓环完整性检测，再进行移除的方式，能够有效地根据太鼓环的实际情况来控制移除机构的动作，可以在太鼓环不是一个整体的情况下进行报警，提醒人工处理，以避免由于太鼓环损坏无法移除，导致晶圆无法顺利进行后续加工的问题同时可以避免太鼓环异常情况下，移除机构的无效动作，有利于及时减小损失。
太鼓环移方法

[发明专利]太鼓减薄晶圆的取环方法-CN202210470569.9在审
发明人：肖酉;孙运龙;许有超;朱田 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓减薄晶圆的取环方法，包括：步骤一、对太鼓减薄晶圆进行环切；步骤二、进行双重对准工艺，包括：对环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准；对环切后的支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准；步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除；在取环工艺中，利用第一重对准确定中间部分的位置，利用第二重对准确定取环刀片的作用位置。本发明能提高位于环切完成后以及取环之前的对准工艺的准确度，增加取环窗口，降低裂纹率，最后提高取环稳定性。
太鼓减薄晶圆方法

[发明专利]晶片太鼓环宽度测量方法-CN202210951059.3在审
发明人：蔡永慧;靳耀乐;许有超;谭秀文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种晶片太鼓环宽度测量方法。该晶片太鼓环宽度测量方法包括以下步骤：从太鼓环上确定一固定点；使得焦平面对准所述太鼓环的内边缘，获取第一图像，所述固定点位于所述第一图像中；基于所述第一图像，测量所述固定点到所述太鼓环的内边缘之间的第一距离；使得焦平面对准所述太鼓环的外边缘，获取第二图像，所述固定点位于所述第二图像中；基于所述第二图像，测量所述固定点到所述太鼓环的外边缘之间的第二距离；基于所述第一距离和所述第二距离之和，确定太鼓环的环宽。该晶片太鼓环宽度测量方法，可以解决相关技术中太鼓环环宽测量不准确的问题。
晶片太鼓环宽度测量方法

[发明专利]太鼓晶圆去环方法及太鼓晶圆去环装置-CN202210206280.6有效
发明人：高阳;葛凡;周鑫;张宁宁;蔡国庆 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明揭示了太鼓晶圆去环方法及太鼓晶圆去环装置，其中太鼓晶圆去环方法中，在夹头向太鼓环进给时，实时检测所述去环机械手的每个夹头伸入到太鼓环下方的伸入量；将实时检测的每个夹头的伸入量与设定阈值进行比较；根据比较结果来控制驱动每个夹头向太鼓环方向进给的进给驱动机构以使每个夹头移动至目标位置本方法在太鼓环与去环机械手不处于同心状态下，仍能够灵活地进行每个夹头实际移动位置的控制，避免去环机械手与太鼓环的位置偏差造成太鼓环与夹头硬接触破碎的问题，保证了取环的稳定性，避免了太鼓环破碎造成的停机及人工处理的时间浪费
太鼓晶圆去环方法装置

[发明专利]太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法-CN202310692463.8有效
发明人：葛凡;张宁宁;孙志超;曹伟;陈丛余 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明揭示了太鼓晶圆对中确定方法及太鼓晶圆切割方法，其中太鼓晶圆对中确定方法在通过四孔对中法判断太鼓晶圆是否对中的过程中，确定存在异常孔位，则通过图像识别在晶圆主体的正常边缘上找到预定数量的位于四个通孔外的部分的点位并确定其对应的第二边缘坐标；在异常孔位处采集的图像均未识别到晶圆主体的正常边缘；预定数量与异常孔位的数量一致，根据第二边缘坐标及第一边缘坐标确定太鼓晶圆是否对中。本方法在识别异常时，通过对晶圆主体的正常边缘上位于四个通孔外的部分进行识别并获取所需的第二边缘坐标及结合第一边缘坐标进行太鼓晶圆是否对中的判断，避免了由于大破损缺口导致的误判问题，为破损太鼓晶圆的自动环切创造了条件
太鼓晶圆确定方法切割

[发明专利]太鼓环取环装置-CN202210815504.3在审
发明人：孙运龙;肖酉;许有超;朱田 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环(Taiko)取环装置。太鼓环取环装置包括：能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环；所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面，且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外；所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外，能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度；所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧，能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角，所述夹角为入刀角度。本申请提供的太鼓环取环装置，可以解决相关技术中入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。
太鼓环取环装置

[发明专利]太鼓环去除方法及用于太鼓环去除的定位装置-CN202110467221.X在审
发明人：蔡永慧;谭秀文;苏亚青 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太鼓环去除方法,采用太鼓工艺对晶圆进行加工减薄，将所述晶圆的中间部分减薄至预设厚度，所述晶圆的边缘部分形成太鼓环；步骤S2，将所述晶圆固定至框架上；步骤S3，将所述框架放置在切割设备台盘上，使用定位装置对所述晶圆进行定位；本发明还公开了一种用于太鼓环去除的定位装置。
太鼓环去除方法用于定位装置

[发明专利]太鼓环环切标志位结构及其制造方法-CN202210850279.7在审
发明人：张志明;谭建兵;马栋;蔡永慧;李晴;赵蕴琦;王岩;郭星 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种太鼓环环切标志位结构及其制造方法。该太鼓环环切标志位结构位于太鼓环和晶片主体交界处的标志位区域，包括：基底层、层间介质层和金属标志结构；金属标志结构包括金属层，金属层覆盖在层间介质层上；金属标志结构还包括多个相互间隔的金属接触孔，每个金属接触孔向上与金属层相连
环环标志结构及其制造方法

[发明专利]用于太鼓减薄的环切工艺的取环装置和方法-CN202110410044.1在审
发明人：肖酉;苏亚青;谭秀文;陈旋 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太鼓减薄的环切工艺的取环装置，包括：去环刀片，光感模块、信号处理单元和数据处理单元。光感模块设置在去环刀片的底部；光感模块用于去环刀片在向插入位置移动过程中侦测支撑环和切割胶带之间的亮度变化；信号处理单元用于对所侦测的亮度进行处理并获得支撑环和切割胶带之间交界位置；数据处理单元根据所获得的交界位置计算出去环刀片的插入位置并根据插入位置对去环刀片的移动进行反馈控制并最后使去环刀片移动到插入位置本发明还公开了一种用于太鼓减薄的环切工艺的取环方法。本发明能精准控制去环刀片的插入位置，能提高取环工艺窗口并提高取环设备的稳定性。
用于太鼓减薄工艺装置方法

[发明专利]基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法-CN201711045692.1有效
发明人：郑凤霞;刘路路;王腾;马书英;于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法，通过在使用太鼓减薄工艺减薄后的太鼓晶圆的中心部分键合一支撑晶圆，实现了对太鼓晶圆中心部分的加厚，使其可继续进行晶圆级的封装工艺。该方法也避免了使用特别的太鼓晶圆支撑环去除设备，使得太鼓晶圆的晶圆级封装在标准的封装产线中即可实现。
基于太鼓晶圆晶圆级封装结构方法

[发明专利]一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备-CN202210173184.6有效
发明人：高金龙;葛凡;周鑫;张宁宁;蔡国庆 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于晶圆加工领域，公开了一种晶圆清洗装置、晶圆清洗方法及太鼓环切设备。本发明在利用清洗组件对晶圆的上表面进行清洗的同时和/或之后，利用去水组件对晶圆下表面的指定区域进行去水处理，实现将晶圆搬运至太鼓环切设备的UV解胶装置之前，对晶圆的下表面进行去水处理，使晶圆的下表面保持干燥状态
一种清洗装置方法太鼓环切设备

[发明专利]边缘识别方法、系统、晶圆加工装置及晶圆与加工台同心状态确定方法-CN202210375787.4有效
发明人：高阳;张宁宁;高金龙;吕孝袁;葛凡 -专利权人：苏州优力科瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：S1，获取一待分析图像；S2，对待分析图像进行滤波处理；S3，采用改进的Canny算子对经过滤波处理的待分析图像进行边缘检测；S4，根据设定的曲率阈值及边缘检测的结果来确定待分析图像中是否存在晶圆上的太鼓环的边缘本方案通过改进的Canny算子，能够有效地提高边缘检测的精度，从而为太鼓环的边缘识别提供有利条件，结合晶圆与透光孔的曲的特性进行筛选，能够有效消除透光孔边缘对太鼓环的边缘识别的影响，从而最终确定图像上是否存在太鼓环的边缘
边缘识别方法系统加工装置同心状态确定

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