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[实用新型]一种多晶硅铸锭炉底部冷却装置和使用该冷却装置的多晶硅铸锭炉-CN201120485043.5有效
发明人：李伯平 -专利权人：李伯平
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉底部冷却装置和使用该装置的多晶硅铸锭炉。所述多晶硅铸锭炉底部冷却装置，包括换热装置，该换热装置由顶盖和底板构成，所述顶盖和底板之间为换热腔。
一种多晶铸锭底部冷却装置使用

[实用新型]一种铸锭气流场装置以及铸锭炉-CN201520769727.6有效
发明人：闫灯周;张朝昆;李林东;陈伟;肖贵云;李亮;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铸锭气流场装置，包括设置于铸锭炉内侧壁上的引流部件，所述引流部件的输出端与所述铸锭炉的出气孔相连通，所述引流部件的引流口低于所述铸锭炉的坩埚底部。除此之外，本实用新型实施例提供的铸锭炉，包括铸锭炉体和如上述所述的铸锭气流场装置，所述铸锭气流场装置的引流部件设置于所述铸锭炉体的内壁，所述引流部件的输出端与所述铸锭炉的出气孔相连通。所述铸锭气流场装置以及所述铸锭炉，通过在铸锭炉内侧壁上加装引流部件，迫使氩气流从进气孔进入炉腔后经过整个铸锭坩埚后，通过引流部件从出气孔流出炉腔，将整个坩埚散发出的杂质气体和氧气带出铸锭炉腔，减少多晶硅锭的杂质，提高硅片质量，提高多晶硅锭的成晶率。
一种铸锭气流装置以及

[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法-CN201210322035.8有效
发明人：郭大伟;黎志欣;王军;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，包括：将单晶铺设于坩埚底部，并在上面添加硅料及根据目标电阻率相配合的合金，将装有以上硅料的坩埚装入多晶铸锭炉内；将所述多晶铸锭炉抽真空，加热并监测炉内的温度上述方法利用现有的多晶铸锭炉实现了类单晶硅锭生产，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了硅锭和硅片的平均质量。本发明还提供了一种生产类单晶硅锭的多晶铸锭炉。
一种多晶铸锭生长单晶硅方法

[实用新型]一种用于消除多晶硅锭微晶的热场结构-CN201220650582.4有效
发明人：郭志丰 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于消除多晶硅锭微晶的热场结构，应用于多晶硅铸锭炉，其核心改进点在于，在隔热保温底板上设置有辅助保暖结构。本实用新型提供的用于消除多晶硅锭微晶的热场结构，应用于多晶硅铸锭炉，通过在隔热保温底板上设置有辅助保暖结构，减小了坩埚下方的温度差值，在竖直方向上提供了更为缓和的温度梯度，改善了多晶硅铸锭炉内的热场构造，使铸锭炉运行至长晶阶初期时，生成一个更平稳的生长界面，中间温度梯度减慢，更有利于硅锭的定向固化，消除微晶。
一种用于消除多晶硅锭微晶结构

[发明专利]高效半熔多晶铸锭的制作工艺-CN201410400824.8无效
发明人：杜正兴;李靖;张安国 -专利权人：无锡尚品太阳能电力科技有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效半熔多晶铸锭的制作工艺，特征是，包括以下步骤：（1）原料：原生多晶硅60～70%、多晶辅料30～40%；（2）将原料装入到坩埚内，将坩埚送入铸锭炉中，放置于DS块上；坩埚位于DS块上，坩埚上罩设加热器，加热器外部为上隔热笼，DS块下部为下保温层；（3）进行5步加热过程；（4）进行13步熔化过程；（5）进行9步长晶过程；（6）退火、冷却后，铸锭炉腔内温度低于400℃时，向炉内充氩气达到980mbar时即可打开铸锭炉，得到多晶铸锭。
高效多晶铸锭制作工艺

[发明专利]多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置-CN201610323052.1有效
发明人：周龙;时刚;武海军;张永超 -专利权人：西安创联新能源设备有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置，包括设置在多晶硅铸锭炉上方的箱体，箱体内设有大绕丝轮、胀紧轮和小绕丝轮，大绕丝轮上缠绕有软轴，软轴的另一端依次绕过胀紧轮和小绕丝轮，并在延伸出箱体底部后连接有探测棒，大绕丝轮由电机驱动，从而可通过软轴经胀紧轮和小绕丝轮后带动探测棒在多晶硅铸锭炉内上下运动；箱体底部设有限位传感器，限位传感器和电机均由设置在多晶硅铸锭炉外的控制模块控制。本发明提供的一种多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置，实现了长晶速度的自动化测量，测量过程非常方便，且测量结果准确、稳定可靠。
多晶铸锭炉长晶速度自动测量装置

[实用新型]多晶硅铸锭炉排杂结构及多晶硅铸锭炉-CN201220332286.X有效
发明人：方桂文 -专利权人：深圳市石金科技有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉及多晶硅铸锭炉排杂结构，该多晶硅铸锭炉的炉体内设有热场保温层，在热场保温层的顶部保温层和/或侧部保温层设有至少一用于排除杂质气体的排气孔。本实用新型通过在热场的顶部保温层和/或侧部保温层各设置至少一个排气孔，通过该排气孔，使热场腔室内的杂质气体在未与硅发生反应时及时排出，降低所生成杂质对多晶硅锭的污染，提高产品质量；此外，还有助于让杂质气体排出铸锭炉腔室外，有效减少所生成的杂质对炉壁的污染，延长炉腔清理周期，减少清理次数，提高多晶硅铸锭炉的产能。
多晶铸锭炉排杂结构

[实用新型]多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置-CN201620443580.6有效
发明人：周龙;时刚;武海军;张永超 -专利权人：西安创联新能源设备有限公司
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置，包括设置在多晶硅铸锭炉上方的箱体，箱体内设有大绕丝轮、胀紧轮和小绕丝轮，大绕丝轮上缠绕有软轴，软轴的另一端依次绕过胀紧轮和小绕丝轮，并在延伸出箱体底部后连接有探测棒，大绕丝轮由电机驱动，从而可通过软轴经胀紧轮和小绕丝轮后带动探测棒在多晶硅铸锭炉内上下运动；箱体底部设有限位传感器，限位传感器和电机均由设置在多晶硅铸锭炉外的控制模块控制。本实用新型提供的一种多晶硅铸锭炉长晶速度自动测量装置，实现了长晶速度的自动化测量，测量过程非常方便，且测量结果准确、稳定可靠。
多晶铸锭炉长晶速度自动测量装置

[实用新型]一种有节能作用的多晶铸锭炉用水冷装置-CN201721054536.7有效
发明人：钱新江 -专利权人：安徽日能中天半导体发展有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有节能作用的多晶铸锭炉用水冷装置，包括冷却池，所述冷却池的另一端通过水管连接水泵进水口，水泵出水口通过水管连接到多晶铸锭炉一侧的夹层内，多晶铸锭炉另一侧的夹层通过出水管连接冷却塔，冷却塔安装在冷却池的一端，所述出水管的末端通过连接支管，支管上设有阀门；具有结构简单，设计合理，通过对装置对多晶铸锭炉进行降温，冷却效果好，回水流循环顺畅，无阻塞现象发生，有利于提高多晶硅铸锭的品质，另外阀门具有使循环冷却水直接回流到冷却池内
一种节能作用多晶铸锭水冷装置

[发明专利]一种多晶硅铸锭的掺杂方法及其实现该方法的铸锭设备-CN201110087313.1无效
发明人：金浩;刘晓兵 -专利权人：光为绿色新能源有限公司
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能多晶硅铸锭的掺杂方法及其掺杂设备，其掺杂方法包括：1、将不低于50％的原生硅料及其回收的杂料置于坩埚内，将坩埚装入铸锭炉内；2、将铸锭炉升温，当硅料全部融化时，从熔融的硅液中提取出一部分多晶硅液凝固成多晶硅块，快速冷却到室温后对多晶硅块进行导电类型和电阻率测试；3、根据多晶硅块的导电类型和电阻率测量数据计算掺杂硼母合金的重量；4、将所计算的硼母合金添加到铸锭炉内熔融的多晶硅料中进行铸锭。其掺杂设备包括石英坩埚、铸锭炉、充氮冷却副室、熔融硅料石英提取棒和硼母合金进料勺。使用本发明的方法抽测硅料评估硅料整体质量性能精确度高，故计算掺杂硼母合金的重量准确，废品率低。
一种多晶铸锭掺杂方法及其实现设备

[发明专利]一种便于提纯的多晶硅铸锭炉结构-CN202211349009.4在审
发明人：何飞;方艺霖;张靖 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶铸锭加工设备技术领域，且公开了一种便于提纯的多晶硅铸锭炉结构，包括铸锭炉主体，还包括：旋转机构、通风机构和出料机构，所述铸锭炉主体的侧面内壁与旋转机构的侧面活动连接，所述通风机构的侧面与铸锭炉主体的侧面固定连接，所述出料机构的顶端与旋转机构的底端固定连接；本发明通过通过温度感应装置准确控制坩埚内的温度加热到一定温度使多晶硅原料中熔点较低的杂质融化，启动伸缩杆带动上加热装置向上移动，启动第一电机使坩埚内熔融状态的杂质从溢流管倒出，从而减少成品多晶硅锭中的杂质，之后再次启动第一电机使坩埚复位，继续对多晶硅原料进行加热熔融，直到全部融化后，有利于减少多晶硅锭成品中的杂质。
一种便于提纯多晶铸锭结构

[发明专利]多晶硅铸锭炉的控制方法及其控制系统-CN201410012110.X无效
发明人：朱海波 -专利权人：阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种多晶硅铸锭炉的控制系统及其控制方法，所述控制系统包括用以测量多晶硅铸锭炉温度的热电偶、用以调用运行配方的工控机、用以调整多晶硅铸锭炉温度的加热器、以及与所述热电偶并联的短路开关。本发明的有益效果是：当所述热电偶断路时，闭合所述短路开关，即使热电偶断路时也能够采取措施恢复多晶硅铸锭炉的运行，从而提高了生产效率。
多晶铸锭控制方法及其控制系统

[发明专利]一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法-CN201610213980.2在审
发明人：杨平;张泽兴;黄林;洪炳华;张小东;张珩琨;许桢;冯子甜 -专利权人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种提高多晶硅片少子寿命和降低多晶硅片位错的方法，包括以下步骤配制原料，将原料装入到坩埚送入铸锭炉内；进行加热过程；进行融化过程；进行长晶过程；进行退火过程；进行冷却过程，冷却后打开铸锭炉得到铸锭多晶。本发明解决了多晶硅片晶粒变大和位错增加及少子不均匀和偏低的问题，具有整锭转换效率高、生产成本低的特点。
一种提高多晶硅片少子寿命降低方法

[发明专利]一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉-CN200910304181.6无效
发明人：郑智雄;马殿军;张伟娜;南毅;王致绪;徐诗双;洪朝海;程香 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
一种正压状态生长多晶方法铸锭

[发明专利]多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭-CN201810691909.4在审
发明人：张任远;夏新中;陈志军;潘明翠;刘磊;张莉沫;王丙宽;孟庆超 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明适用于光伏电池技术领域，提供了多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭，该方法包括：在坩埚底部铺设底层硅片，并在所述底层硅片的上表面铺设N层上层硅片，所述上层硅片覆盖所述底层硅片之间的缝隙；其中N为正整数；在上层硅片的上表面铺设晶粒；在铺设晶粒后的坩埚内放入多晶硅原料，并将所述坩埚放置于铸锭炉中，将所述铸锭炉抽真空；将所述铸锭炉的温度设定为第一预设温度值，使所述多晶硅原料全部熔化成硅液；控制所述铸锭炉的温度和散热窗口开度，使所述硅液在所述晶粒的基础上结晶，生长成多晶硅锭。
硅片多晶硅锭铸锭炉晶粒铺设坩埚多晶硅原料上层上表面硅液制备熔化光伏电池散热窗口抽真空氧杂质正整数放入硅锭开度预设生长覆盖