专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种焊带涂敷辊结构-CN202221503630.7有效
  • 王丙宽;张江涛;高敬;丰波 - 保定英辰新能源开发有限公司
  • 2022-06-16 - 2022-12-30 - B05C1/06
  • 本实用新型提供了一种焊带涂敷辊结构,包括涂敷辊本体,所述涂敷辊本体包括设置在内部的主轴,以及设置在所述主轴的外侧的空心套轴,所述空心套轴的两侧设有密封轴头,所述空心套轴与所述主轴以及所述密封轴头围成密闭腔室,所述一端的密封轴头与料管连接,所述主轴上安装有涂敷叶片,所述涂敷叶片穿过所述密闭腔室伸出所述空心套轴的外侧,设计合理,在保持恒压的条件下,可保证涂敷的均匀一致性,设备体积小,加工成本低,可以根据需要安装在焊带生产线或者组件焊接机内,具有良好的推广前景。
  • 一种焊带涂敷辊结构
  • [发明专利]高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭-CN201810495709.1有效
  • 王坤;刘志强;潘家明;潘明翠;王丙宽 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2018-05-22 - 2021-02-02 - C30B28/06
  • 本发明适用于光伏电池技术领域,提供了高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭,该方法包括:在坩埚内表面涂覆第一隔离层;在所述坩埚底面涂覆的第一隔离层的上表面涂覆反应层;在所述坩埚底面涂覆的反应层的上表面涂覆第二隔离层;在涂覆第二隔离层后的坩埚内放入多晶硅原料,并将坩埚放置于铸锭炉中,将所述铸锭炉抽真空;将所述铸锭炉加热至第一预设温度,使所述多晶硅原料全部熔化,形成硅液;利用所述反应层中的二氧化硅与渗透所述第二隔离层的硅液,在所述坩埚底部形成异质结;利用所述异质结对硅液进行结晶处理,生长成高效多晶硅锭。本发明能够降低工艺难度,节省化料时间。
  • 高效多晶制备方法
  • [发明专利]高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭-CN201810496935.1有效
  • 刘志强;王坤;潘家明;潘明翠;王丙宽 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2018-05-22 - 2020-09-08 - C30B29/06
  • 本发明适用于光伏电池技术领域,提供了高效多晶硅锭的制备方法及高效多晶硅锭,该方法包括:在坩埚内表面涂覆保护层,所述保护层的材质包括氮化硅和纯水;在所述坩埚底面涂覆的保护层上表面涂覆引晶层,所述引晶层的材质包括氮化硅、纯水和硅粉;在涂覆引晶层后的坩埚内放入多晶硅原料,并将所述坩埚放置于铸锭炉中,将所述铸锭炉抽真空;将所述铸锭炉加热至第一预设温度,使所述多晶硅原料和所述硅粉全部熔化形成硅液;在所述坩埚底部形成过冷状态,使硅液在所述坩埚底部形成晶核;除形成所述晶核以外的硅液在所述晶核的基础上结晶,生长成高效多晶硅锭。本发明能够降低工艺难度,节省化料时间。
  • 高效多晶制备方法
  • [发明专利]质量流量计的标定方法-CN201510721286.7有效
  • 徐宏正;贾皓元;王丙宽;王辉 - 天津英利新能源有限公司
  • 2015-10-30 - 2018-07-20 - G01F25/00
  • 本发明提供了一种质量流量计的标定方法,包括以下步骤:a)打开主抽,在蝶阀满开时,设定气体A的质量流量计值为标准工艺参数下的流量nA;b)待气体稳定后,记录测量气体A的真空压力计压强PA;c)关闭气体A的质量流量计,用同样的方法设定气体B的质量流量计为标准工艺参数下的流量nB,待气体B稳定后,记录气体B的真空压力计压强为PB;d)记录气体流量比为Q=PA/PB;e)选择标准机台,在标准机台上通过上述步骤测得标准机台的两种气体的压强比值为标准Q值,记录为Q标准;f)如果某一机台的折射率出现偏差,就将它的Q值修正为Q标准。通过该方法,克服了现有技术中PECVD流量计测量偏差较大,工艺的每层折射率不能精确控制的缺点。
  • 质量流量计标定方法使用气体

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