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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构-CN201410551438.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构，包括外延衬底、衬底保护层、氧化剥离层、外延保护层、金属反射层及外延发光结构；在外延衬底与外延发光结构之间设置氧化剥离层，氧化剥离层与外延发光结构之间设置外延保护层，氧化剥离层与外延衬底之间设置衬底保护层；在外延发光结构上设置金属反射层，在金属反射层上设置基板。本发明可以解决剥离二极管的外延衬底而导致外延层破损问题，从而可以重复利用衬底，节约成本。
一种衬底重复利用大功率发光二极管外延结构

[发明专利]硅片外延线性缺陷的测定方法-CN200610029246.7有效
发明人：王剑敏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片外延线性缺陷的测定方法，包括如下步骤：在硅片外延薄膜生长前，选取多点测量外延薄膜成膜前衬底的曲率半径；在外延生长完成后，测量外延膜厚；测量外延薄膜成膜后衬底的曲率半径；根据前述外延薄膜成膜前衬底的曲率半径、外延膜厚和外延薄膜成膜后衬底的曲率半径，计算硅片外延部分的应力；根据硅片外延部分的应力变化判定是否存在线性缺陷。本发明通过对硅片外延生长后应力的测量来判定硅片是否存在线性缺陷，可使用半导体工厂常用的应力仪完成，便捷而准确。
硅片外延线性缺陷测定方法

[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202110451678.1在审
发明人：王培宇;黄禹轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：集成电路(IC)结构包括栅极结构、源极外延结构、漏极外延结构、前侧互连结构、背侧介电层、外延再生层和背侧通孔。源极外延结构和漏极外延结构分别位于栅极结构的相对侧上。前侧互连结构位于源极外延结构的前侧和漏极外延结构的前侧上方。背侧介电层位于源极外延结构的背侧和漏极外延结构的背侧上方。外延再生层位于源极外延结构和漏极外延结构中的第一个的背侧上。背侧通孔延伸穿过背侧介电层并且与外延再生层重叠。本申请的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201910307034.8有效
发明人：马志宇;什哈吉·B·摩尔;黄翊铭;张世杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种器件包括从衬底延伸的鳍、在鳍的侧壁上方并沿着鳍的侧壁的栅极堆叠件，沿着栅极堆叠件的侧壁的栅极间隔件、以及在鳍中并且与栅极间隔件相邻的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括在鳍上的第一外延层，第一外延层包括硅、锗和砷，以及在第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括硅和磷，第一外延层将第二外延层与鳍隔开。外延源极/漏极区还包括在第二外延层上的第三外延层，第三外延层包括硅、锗和磷。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]外延片及肖特基二极管-CN201821004572.7有效
发明人：邢东;冯志红;赵向阳;王元刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种外延片及肖特基二极管，外延片包括：衬底；所述衬底上表面设有重掺杂外延层；所述重掺杂外延层上表面设有轻掺杂外延层；所述轻掺杂外延层中设有凹槽，所述凹槽的深度小于所述轻掺杂外延层的厚度；所述轻掺杂外延层上表面设有二次外延层，所述二次外延层填充所述轻掺杂外延层中的凹槽，且所述二次外延层的厚度大于所述凹槽的深度。使用本实用新型提供的外延片制备肖特基二极管时，能够提高肖特基二极管的反向击穿电压，且不会降低器件的高频性能。
轻掺杂外延层外延层肖特基二极管外延片本实用新型上表面重掺杂半导体技术领域反向击穿电压衬底上表面高频性能降低器件衬底制备填充

[实用新型]外延结构以及半导体器件-CN202223476195.6有效
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延结构以及半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构通过在AlN外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响AlN外延层表面的粗糙度，获得AlN外延层表面更为平整的外延结构。
外延结构以及半导体器件

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN99806775.X无效
发明人： V·阿尔莱 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 1999-05-25 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：借助包含以下工艺步骤的外延制造半导体元件的方法，这些步骤有：a)把具有外延窗口的HF可溶解的掩模层覆盖到外延衬底上，b)在外延反应器内半导体层或层系列外延沉积到外延窗口露出的外延衬底区，以及c)借助引入外延反应器内的氟化物去除掩模材料
半导体元件制造方法

[发明专利]具有孔隙的外延结构及其成长方法-CN201310122159.6有效
发明人：陈俊荣;周秀玫;叶昭呈 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露一种具有孔隙结构的外延结构及其成长方法。外延成长方法包含以下步骤形成牺牲层于基材上；图案化牺牲层，以在基材上形成多个间隔排列的凸起物；在裸露部分的基材上外延成长第一外延层，使第一外延层覆盖凸起物的一部分；蚀刻移除凸起物，以形成多个孔隙；以及在第一外延层上外延成长第二外延层，使孔隙被第一外延层及第二外延层包覆。
具有孔隙结构及其成长方法

[发明专利]外延层的制作方法-CN201610452293.6有效
发明人：李一凡;冯立伟;许力介;陈俊仁;胡益诚;吴典逸;林钰书;杨能辉 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。
外延制作方法

[发明专利]可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件-CN201110295470.1无效
发明人：顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低外延时自掺杂的外延片衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面具有二氧化硅层。使用本发明中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，其电阻率均匀性数值可以做到＜1.5％。相比于未使用本发明的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，可大幅提高外延层电阻均匀性。使用本发明中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底，可降低后续生产成本，提高产品品质。
降低外延掺杂衬底半导体器件

[实用新型]外延片取片器-CN201520201121.2有效
发明人：楼琦江 -专利权人：上海晶盟硅材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种外延片取片器，包括吸盘，所述的吸盘上具有容腔，所述的容腔具有开口，所述的容腔内开设有至少一个第一气孔，所述吸盘拿取外延片时容腔开口边缘贴靠在外延片上，且外延片密封容腔，所述的容腔开口边缘尺寸大于外延片且均覆盖外延片本实用新型吸盘边缘均覆盖外延片且尺寸大于外延片，拿取时覆盖外延片四周，边缘较硬的部分不会接触外延片，保证了外延片不会受伤害。
外延片取片器

[发明专利]碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置-CN201780029769.8在审
发明人：田中贵规;山本茂久;中村勇;木村泰广;中田修平;三谷阳一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。外延基板(3)具备：由碳化硅形成的单晶基板(10)和在其上形成的由碳化硅形成的外延层(4)。外延层(4)具备：在单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、在第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和在第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。
外延层碳化硅半导体装置碳化硅外延单晶基板基底面碳化硅转换率基板位错外延基板

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211033884.1在审
发明人：黄玉莲;刘皓恒;张博钦;陈颐珊;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺将第一外延区域与第二外延区域分隔开；在第一外延区域与第二外延区域之间沉积介电材料；以及形成在第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种硅光耦合结构-CN202310566605.6有效
发明人：汪帅;杨涛;杨晓光;吕尊仁;孟磊;柴宏宇;王胜林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。
一种耦合结构

[发明专利]III-V族氮化物半导体外延结构、包含该外延结构的器件及其制备方法-CN201510288334.8在审
发明人：郝茂盛;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种III-V族氮化物半导体外延结构，其包括：(1)衬底；(2)外延缓冲层，其具有上表面及与所述衬底接触的下表面；(3)外延过渡层，其中所述外延过渡层覆盖外延缓冲层，并且该两层界面处具有微观空洞结构，所述微观空洞周期性或非周期性排列，以使两层的界面处仅部分相连，相连的部分和空洞部分在界面处间隔出现，所述外延过渡层具有平整的上表面；(4)外延有效层，位于所述外延过渡层的上表面上，所述外延有效层自下而上含有n型外延层、发光层与p型外延层。本发明还提供该外延结构的制造方法、包含该外延结构的器件及其制造方法。
iii 氮化物半导体外延结构包含器件及其制备方法

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