专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]处理供给机构-CN201110079737.3有效
  • 中岛常长;白石俊介;竹尾俊英 - 东京毅力科创株式会社
  • 2011-03-30 - 2011-11-09 - B65D83/16
  • 本发明提供一种能够防止处理残留在容器主体的处理供给机构。该处理供给机构包括:固定筒部,自盖部向容器主体的上方突出,在其周面上形成有螺纹;移动筒部,与该固定筒部同轴地螺合设置于该固定筒部的内侧或外侧;处理供给管,相对于由固定筒部和移动筒部构成的筒部沿轴向移动自如地贯通该筒部和上述盖部的同时由此使处理供给管的下端抵接于容器主体的底部而被固定。
  • 处理供给机构
  • [发明专利]装置以及基板处理装置-CN201480027435.3有效
  • 林航之介;大田垣崇;松井绘美 - 芝浦机械电子株式会社
  • 2014-05-14 - 2017-12-29 - H01L21/306
  • 提供一种将处理供给处理装置并回收而再供给的供装置,上述供装置具备多个供给罐,收纳上述处理并且具有排气通路和溢流线路,能够切换为供给上述处理供给模式和在收纳上述处理的状态下待命的待命模式中的某一种;供给机构,将上述处理从这些多个供给罐中的供给模式的供给罐向上述处理装置供给;回收机构,将上述处理装置中剩余的上述处理回收并返回供给模式的供给罐;以及开闭机构,分别设置于上述多个供给罐,对上述排气通路和上述溢流线路进行封堵由此,能够延长被收纳于供给罐并处于待命状态的处理的寿命。
  • 装置以及处理
  • [发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202210372277.1在审
  • 樱井宏纪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-04-11 - 2022-10-21 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括保持基片的保持部、排出部、第一供给部、第二供给部和控制部。排出部对保持在保持部上的基片排出处理。第一供给部对排出部供给处理。第二供给部对排出部供给水蒸气。第二供给部具有水蒸汽发生器、供给管线、稳定机构、测量供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力计和压力调节机构供给管线将来自水蒸汽发生器的水蒸汽供给排出部。稳定机构使从水蒸汽发生器向供给管线供给的水蒸汽的量稳定。压力调节机构调节供给管线中流动的水蒸汽的压力。控制部控制压力调节机构以使得由压力计测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。根据本发明,能够以稳定的处理性能来处理基片。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]螯合材料再生方法及基板处理装置-CN201210306729.2无效
  • 柏井俊彦;村田贵 - 住友精密工业股份有限公司
  • 2012-08-24 - 2013-04-24 - H01L21/306
  • 本发明提供一种不使用碱性水溶液即可有效地去除吸附在具有阴离子吸附作用的吸附材上的氯化物离子的螯合材料再生方法、及具有螯合材料再生功能的基板处理装置。基板处理装置包括贮存蚀刻L的贮存槽、进行蚀刻处理的基板处理机构、及蚀刻再生装置等,蚀刻再生装置包括:吸附金属成分的吸附塔;使蚀刻L在贮存槽与吸附塔之间循环的去除处理用循环机构;将洗脱、清洗液及置换分别供给至吸附塔的洗脱供给机构、清洗液供给机构及置换供给机构;以及控制去除处理用循环机构、洗脱供给机构、及置换供给机构等的动作的控制装置。
  • 材料再生方法处理装置
  • [发明专利]基板处理系统及基板处理方法-CN201580012332.4有效
  • 山口都章 - 株式会社荏原制作所
  • 2015-03-04 - 2018-10-16 - B24B57/02
  • 本发明涉及能够清洗处理供给管线的基板处理系统及基板处理方法。基板处理系统具备:处理基板W的基板处理装置(1)以及清洗分配管线(93)和处理供给管线(92)的冲洗装置。冲洗装置具备:清洗液供给管线(99),该清洗液供给管线(99)与分配管线(93)连接;排机构(101),该排机构(101)将通过分配管线(93)而被供给处理供给管线(92)的清洗液引导至液体废弃处(100);供给切换阀(104),该供给切换阀(104)允许处理或清洗液的任一方在分配管线(93)内流动;以及动作控制部(30),该动作控制部(30)控制排机构(101)及供给切换阀(104)的动作
  • 处理系统方法
  • [发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202010069376.3在审
  • 新村聪;高柳康治 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-01-21 - 2020-08-11 - H01L21/687
  • 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置是使用处理处理基片的基片处理装置,其包括:保持基片并使其旋转的保持旋转部;处理供给机构,其至少具有收纳处理处理容器和用于将上述处理容器的处理供给到基片的供给通路;释放部,其对因上述保持旋转部而旋转的基片释放从上述供给通路供给处理;获取上述处理供给机构中的压力信息的压力信息获取部;和基于由上述压力信息获取部获取的压力信息,控制上述保持旋转部的转速的控制部。本发明能够进行各个基片的膜厚的改变少的良好的涂敷处理
  • 处理装置方法存储介质
  • [发明专利]处理装置、供给机构处理方法和计算机存储介质-CN202180047390.6在审
  • 杉町尚德 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-06-30 - 2023-03-07 - G03F7/30
  • 本发明提供处理装置、供给机构处理方法和计算机存储介质。对基片上供给处理来对基片进行处理处理装置包括:保持基片的基片保持部;对被上述基片保持部保持的基片释放处理的释放嘴;供给处理处理供给源;处理供给管,其连接于上述处理供给源,形成有供要被供给到上述释放嘴的处理液流通的供给通路;设置在上述处理供给管的、进行上述供给通路的开闭动作的调节阀;和控制上述调节阀的控制部,上述调节阀具有隔膜和阀体,控制对上述隔膜的空气的供给,并经由上述隔膜使上述阀体动作,进行上述供给通路的开状态和全闭状态的开闭动作
  • 处理装置供给机构方法计算机存储介质
  • [发明专利]基片处理装置、处理供给方法和计算机存储介质-CN202211579665.3在审
  • 矢野英嗣 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-12-09 - 2023-06-23 - G03F7/20
  • 本发明提供能够抑制处理供给管路内的处理的滞留,提高处理的清洁度的基片处理装置、处理供给方法和计算机存储介质。基片处理装置包括:保持基片并使其旋转的基片保持部;向基片释放处理的释放部;和供给装置,供给装置具有:向释放部供给处理处理供给部;回收从释放部释放的处理处理回收部;以及控制处理供给部和处理回收部的控制部,处理供给部具有:处理供给源;将处理处理供给源引导到释放部的第一管路;使处理从释放部连续地释放的第一送机构;和设置于第一管路的第一过滤器,处理回收部具有将从释放部释放的处理输送到第一管路中的处理供给源与第一过滤器之间的结构
  • 处理装置供给方法计算机存储介质
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201910915803.2在审
  • 守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-09-26 - 2020-04-03 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中提高基板温度的控制精度。具备:旋转驱动机构,其使保持着基板的旋转台旋转;电加热器,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,并加热基板;受电电极,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,与电加热器电连接;供电电极,其与受电电极接触而经由它向电加热器供给驱动电力;电极移动机构,其使供电电极和受电电极相对接触、分离;供电部,其向供电电极供给驱动电力;处理杯,其包围旋转台的周围;至少1个处理喷嘴,其向基板供给处理处理供给机构,其向处理喷嘴供给处理;控制部,其控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构以及处理供给机构
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN201980060789.0在审
  • 守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市;岩下光秋;金子聪 - 东京毅力科创株式会社
  • 2019-09-26 - 2021-04-30 - H01L21/304
  • 本发明提供一种基片处理装置,其包括:将保持基片的旋转台旋转驱动的机构;电加热器,其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台,对载置于旋转台上的基片进行加热;受电电极,其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台,且与电加热器电连接;供电电极,其通过与受电电极接触,来经由受电电极对电加热器供给驱动电功率;电极移动机构,其能够使供电电极与受电电极相对地接触和分离;对供电电极供给驱动电功率的供电部;包围旋转台的周围的处理杯状体;对基片供给处理的至少1个处理喷嘴;作为处理至少将非电解镀覆供给处理喷嘴的处理供给机构;和控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构处理供给机构的控制部。
  • 处理装置方法

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