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[发明专利]用于制造NMOS半导体器件的方法-CN201110041483.6无效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造NMOS半导体器件的方法，包括下列步骤：一种用于制造NMOS半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供半导体前端器件，包括核心NMOS器件和I/ONMOS器件；在核心NMOS器件和I/ONMOS器件上形成氧化层和应力层；在核心NMOS器件上形成掩膜层，并去除I/ONMOS器件上的应力层；去除核心NMOS器件上的掩膜层，并对核心NMOS器件进行退火；去除核心NMOS器件上的应力层；以及去除核心NMOS器件和I/ONMOS器件上的氧化层。根据本发明的方法，能够防止在制造NMOS器件时降低I/ONMOS器件热载流子注入的可靠性，从而达到半导体器件的寿命标准，并提高良品率。
用于制造 nmos 半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台-CN202110732372.3在审
发明人：杨天应;刘丽娟;林楹镇 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的寿命评估方法、装置及温度检测平台，该方法包括：获取器件热阻值、器件环境温度及器件热功耗，根据所述器件热阻值、器件环境温度和器件热功耗计算器件结温；获取器件在老化前的管壳表面温度，根据所述管壳表面温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化前的管壳表面热阻值；获取器件在老化时的监控点温度，根据所述监控点温度、器件结温和器件热功耗计算器件在老化时的监控点热阻值；比较所述管壳表面热阻值与所述监控点热阻值得到比较结果本发明可以有效地、准确控制器件老化结温从而实现准确评估半导体器件的高温运行寿命及器件平均运行寿命。
半导体器件寿命评估方法装置温度检测平台

[发明专利]一种适用于LGA封装器件的返修方法及装置-CN202310707507.X在审
发明人：安晨煜;刘随;张艳 -专利权人：湖北三江航天险峰电子信息有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于LGA封装器件的返修方法及装置，属于封装器件返修技术领域，返修方法包括：检测待返修LGA封装器件，确定故障元器件；对待返修LGA封装器件和对应故障元器件的替换元器件进行预处理；拆除待返修LGA封装器件上的故障元器件；对于替换元器件进行丝印；将替换元器件焊接到印制板上，得到已修LGA封装器件；对已修LGA封装器件进行检测。本发明提供了一种适用于LGA封装器件的返修方法及装置，能够准确适应不同结构尺寸的待返修LGA封装，针对元器件较为密集的印制板上所存在的待返修元器件，准确实现对待返修元器件的高效准确的替换，在确保LGA封装器件的返修质量，显著降低LGA封装器件返修成本。
一种适用于 lga 封装器件返修方法装置

[实用新型]功率半导体器件-CN202022541853.X有效
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件

[发明专利]一种功率器件滤波元器件连接方式-CN202010199745.0在审
发明人：钱启光;丁汝平;周健 -专利权人：南京飞洋汽车电子有限责任公司
申请日： 2020-03-15 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式取代现有的功率器件滤波元器件连接方式，两者经对比，本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式相对于现有的功率器件滤波元器件连接方式结构简单、制造成本低、工艺简单、通用性高(图13)现有的功率器件滤波元器件连接方式对比(图14)本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式。
一种功率器件滤波元器件连接方式

[发明专利]一种功率器件滤波元器件连接方式-CN202210958663.9在审
发明人：钱启光;丁汝平;周健 -专利权人：南京飞洋汽车电子有限责任公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式取代现有的功率器件滤波元器件连接方式，两者经对比，本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式相对于现有的功率器件滤波元器件连接方式结构简单、制造成本低、工艺简单、通用性高(图13)现有的功率器件滤波元器件连接方式对比(图14)本发明所指的功率器件滤波元器件连接方式。
一种功率器件滤波元器件连接方式

[发明专利]功率器件损耗测算方法及结温测算方法-CN201810441893.1在审
发明人：杨帅;陈建兵;牛建勇;隋明勋 -专利权人：海信（山东）空调有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提出一种功率器件损耗测算方法和一种功率器件结温的测算方法。功率器件损耗测算方法，对功率器件的电流和电压进行离散化采样，并基于离散化的电流计算器件功率。功率器件结温测算方法，基于器件功率、器件壳温和器件的封装热阻，计算器件的结温。本发明提供的方法可准确测算功率器件的结温，同时使电路热设计更方便，为功率器件的过热保护提供可提升功率器件器件的可靠性，提高产品质量。
功率器件测算结温器件功率离散化电流计算封装热阻过热保护计算器件热设计采样电路

[发明专利]一种用于悬丝摆式加速度传感器的伺服信号检测电路-CN202010722355.7在审
发明人：高鹏;李平;吴潇巍;刘俊;尹国平;杨晓琴;张子扬 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： G01P15/11 文献下载
摘要：一种用于悬丝摆式加速度传感器的伺服信号检测电路，其特征在于，包括:高频振荡器件、电压偏置器件、直流耦合器件、高频反馈器件、高频耦合器件、差动电感器件、波形整形器件；电压偏置器件通过直流耦合器件与高频振荡器件连接；高频反馈器件一端与高频振荡器件连接，另一端与电压偏置器件，控制高频振荡器件的频率稳定性；高频振荡器件通过高频耦合器件与差动电感器件连接，为差动电感器件输入高频信号；差动电感器件与波形整形器件连接，输出高频交流电压信号
一种用于摆式加速度传感器伺服信号检测电路

[发明专利]功率半导体器件、控制方法、装置及系统-CN202011227251.5在审
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本发明还公开了一种功率半导体器件的控制方法、装置及系统。本发明提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件控制方法装置系统

[发明专利]一种电力电子器件在器件箱体内的安装方法及装置-CN200810143114.6有效
发明人：周文勇;李碧钰;吴建雄 -专利权人：铁道部运输局;株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：一种电力电子器件在器件箱体内的安装方法及装置，将电力电子器件以吊悬的方式连接在器件箱体上主横梁上，使得电力电子器件的重量在运输或安装的吊装时，直接由上主横梁承受。电力电子器件可以是通过紧固件直接连接在器件箱体上主横梁上，也可以是通过在电力电子器件设置横挡，由横挡挂在器件箱体上主横梁上。电力电子器件及器件箱体至少包括电力电子器件和电力电子器件箱体，电力电子器件与电力电子器件箱体通过连接装置，并以吊悬的方式连接在器件箱体上主横梁上。所述的连接装置包括由紧固件直接连接在器件箱体上主横梁上，或在电力电子器件设置有横挡，由电力电子器件上的横挡悬挂在器件箱体上主横梁上。
一种电力电子器件器件箱体安装方法装置

[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法-CN201210081512.6无效
发明人：刘建华 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；在所述衬底上热氧化形成高压器件区和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；在所述高压器件区和低压器件区的栅氧化层上沉积多晶硅；刻蚀多晶硅形成所述高压器件区和低压器件区的栅极，停留在低压器件区的栅氧化层上；刻蚀去除所述高压器件区的栅氧化层；以所述高压器件区和低压器件区的栅极为掩膜，形成高压器件区和低压器件区的源/漏区。本发明解决了高压器件和低压器件因栅极氧化层厚度差，在同时去除中造成的低压器件有源区损伤而漏电和隔离失效或高压器件源/漏区无法形成硅化物。
bcd 工艺栅极氧化刻蚀方法

[实用新型]一种SMD器件翼型引脚搪锡工装-CN201620899918.9有效
发明人：张芸;皮秀国;陈玉报;尉凤枝;陈金龙 -专利权人：北京航天万源科技公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B23K3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于表面组装/装联前元器件预处理技术领域，具体涉及一种SMD器件翼型引脚搪锡工装，目的是为了克服现有技术的不足，提供一种在对SMD器件翼型引脚搪锡过程中，定位器件，保证对翼型引脚搪锡的可行性和可靠性其特征在于，它包括搪锡工装主体、TSOP器件倒装放置区、TSSOP器件倒装放置区、QFP器件倒装放置区、器件固定卡簧、TSOP工装器件和TSSOP工装器件；TSOP器件倒装放置区、TSSOP器件倒装放置区、QFP器件倒装放置区开设在搪锡工装主体的上表面；器件固定卡簧分别位于TSOP器件倒装放置区和TSSOP器件倒装放置区的两侧；TSOP工装器件放置于TSOP器件倒装放置区内；TSSOP工装器件放置于TSSOP器件倒装放置区内。
一种 smd 器件引脚工装

[实用新型]一种多光源组合照明装置-CN201720150663.0有效
发明人：廖怀宝 -专利权人：深圳市振华兴科技有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多光源组合照明装置包括第一红光源器件、第二红光源器件、绿光源器件、以及蓝光源器件；其中，所述蓝光源器件的直径大于所述绿光源器件的直径，所述绿光源器件的直径大于第二红光源器件的直径，所述第二红光源器件的直径大于所述第一红光源器件的直径，所述绿光源器件位于所述蓝光源器件上方，所述第二红光源器件位于所述绿光源器件上方，所述第一红光源器件位于所述第二红光源器件上方，从而使得依次层叠的蓝光源器件、绿光源器件、第二红光源器件、以及第一红光源器件呈塔状型设置
一种光源组合照明装置

[发明专利]垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构-CN201210111961.0有效
发明人：卓秀英 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。该半导体器件包括衬底。该半导体器件包括被置于衬底上方的电子器件。电子器件包括开口。该半导体器件包括：位于衬底上方并围绕电子器件的屏蔽器件。该屏蔽器件包括多个伸长件。多个伸长件的子集延伸穿过电子器件的开口。电子器件和屏蔽器件中的至少一个形成在位于衬底上方的互连结构中。本发明还提供了一种垂直定向的半导体器件及其屏蔽结构。
垂直定向半导体器件及其屏蔽结构

[发明专利]氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法-CN201110037228.4无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。
氮化器件电路单片集成结构方法