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[发明专利]一种日盲紫外光电探测器及其制备方法-CN202310725365.X在审
发明人： 张金中;周鑫;董孝宇;黄陆军;胡志高;曾和平;褚君浩 -专利权人：华东师范大学重庆研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种日盲紫外光电探测器及其制备方法。方法包括以下步骤：在硬质衬底表面沉积氧化镓薄膜；将沉积的氧化镓薄膜转移至柔性衬底表面；在氧化镓薄膜表面形成硒化钨层；对硒化钨层进行图案化处理，并在氧化镓薄膜表面且位于硒化钨层的两侧形成电极，得到日盲紫外光电探测器。本发明所制备的日盲紫外光电探测器具有快速紫外响应，能够在无外偏置电压下自供电工作的优点。
一种紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于直行抓包机的纤维包除带及拆袋机和方法-CN202111319184.4有效
发明人：裴泽光;张金中;李智;朱江阳;王兴宝;刘程鸿;姚鑫;郁崇文 -专利权人：东华大学
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B65B69/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于直行抓包机的纤维包除带及拆袋机和方法，属于纺织设备技术领域。纤维包除带及拆袋机包括纤维包输送机、钩带装置、剪带装置、废带收集装置、割袋装置、夹袋装置、吸袋装置、废袋收集装置和纤维包抱夹车，纤维包除带及拆袋机设有除带工位、钩带工位、剪带工位、废带丢弃工位、割袋工位、夹袋工位、吸袋工位、待搬运工位和废袋收集工位。本发明采用自动化的机械装置完成纤维包的输送、除带、拆袋、搬运及废带和废袋的收集工作，能够有效替代传统的人工除带和除袋工作，显著地提高了工作效率及设备的稳定性、可靠性和操作安全性。
一种用于直行包机纤维拆袋机方法

[发明专利]一种全氧化镓p-n结及其制备方法-CN202310551759.8在审
发明人：胡志高;周鑫;邓梦晗;张金中;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种全氧化镓p‑n结及其制备方法，能够在不同激光功率密度下实现快速紫外响应，所制备的全氧化镓p‑n结以镁掺杂氧化镓作为p型材料，本征氧化镓作为n型材料。制备过程如下：首先，在(0001)晶向的蓝宝石衬底上制备p型镁掺杂氧化镓薄膜；在此基础上，制备n型本征氧化镓薄；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成全氧化镓p‑n结的制备。本发明所制备的全氧化镓p‑n结具有快速紫外响应，能够在无外偏置电压下自供电工作。
一种氧化及其制备方法

[发明专利]一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法-CN202310220086.8在审
发明人： 张金中;高照潭;姜睿琪;邓梦晗;王强飞;赵灿;洪子安;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种正负光电导切换的场效应晶体管及其制备方法，能够实现在不同激光功率密度下正/负光电导切换的功能，所制备晶体管以石墨烯作为沟道层，硒化铟作为光吸收层。制备过程如下：首先，采用机械剥离法制备六方氮化硼、石墨烯以及硒化铟；其次，借助转移台将其分别转移到经过超声处理的硅/二氧化硅衬底上；然后，利用铜网掩膜法对其进行图案化处理；最后，借助热蒸发镀膜仪沉积金电极，至此完成晶体管的制备。本发明所制备晶体管结构简单、制备过程易操作，进一步丰富了二维材料的功能特性。
一种正负电导切换场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法-CN202110948062.5有效
发明人：胡志高;杨家轩;敖丽媛;杜绅宇;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的锂电池负极材料及制备方法，所述锂离子电池负极材料以一维氧化钨纳米线复合一维掺氮的碳纳米纤维，形成嵌入型结构；其制备方法是水热法和静电纺丝法结合。首先水热法制备纳米线结构的蓝色氧化钨，随后依次加入DMF和PAN在70℃下搅拌，随后静电纺丝，再经过两次退火得到氧化钨与掺氮碳纳米纤维的复合材料。随后采取推浆法制备得到锂离子电池负极材料。本发明提升了氧化钨作为负极材料的电池的电学性能，优化了现有的氧化钨复合掺氮碳纳米纤维的制备技术，与纯氧化钨负极体系相比，该电池具有更高的初始库伦效率，更优异的倍率性能和更长的循环性能。
氧化钨复合掺氮碳纳米纤维锂电池负极材料制备方法

[外观设计]监控机器人（移动）-CN202230794308.3有效
发明人： 张金中;王娜 -专利权人：山东宏业发展集团有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：监控机器人（移动)。2．本外观设计产品的用途：用于通信施工现场调度、维护区段看护。3．本外观设计产品的设计要点：产品的外部形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
监控机器人移动

[发明专利]一种基于挠曲电效应的忆阻器及其制备方法-CN202310219416.1在审
发明人：胡志高;邓梦晗;高照谭;张金中;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于挠曲电效应的忆阻器及其制备方法，所述忆阻器以两端支撑金属作为电极，悬空且弯曲的硒化铟作为沟道。首先，用电子束光刻技术制备图形化衬底，获得电极矩阵；通过机械剥离专用蓝胶带对硒化铟晶体进行减薄；然后，用聚二甲基硅氧烷将薄片晶体从蓝胶带上取下并对其再次减薄，在光学显微镜下选取样品；接着，借助二维材料定向转移辅助平台将选取的样品转移到电极矩阵上，由此制备所述的忆阻器。本发明所用材料安全环保，成本低廉，结构简单、制备过程易操作，进一步扩展了二维材料的应用。
一种基于挠曲效应忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种辅助蒸镀装置和蒸镀坩埚-CN202310326096.X在审
发明人：田力;李坚;张金中;廖先江;李云辉;朱伍权;杨正宇;贾克飞;田多亮;蒲俊;李毓威;张永华 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开提供一种辅助蒸镀装置和蒸镀装置，用于蒸镀坩埚中，所述辅助蒸镀装置包括：容纳结构，所述容纳结构包括底壁及其连接的侧壁；盖板，所述盖板与所述容纳结构的底壁、侧壁围成容纳空间；所述底壁和所述盖板均为网格结构；多个挡板，设置在所述容纳空间中，所述多个挡板将所述容纳空间分隔成多个容纳子空间。
一种辅助装置坩埚

[发明专利]蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板-CN202310092346.8在审
发明人：贾克飞;李坚;张金中;王艳;朱伍权;杨正宇;廖先江 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开实施例提供蒸镀装置、蒸镀方法、有机发光二极管器件和显示面板。蒸镀装置包括：蒸镀源，蒸镀源包括沿第一方向间隔排列的第二蒸镀源、第一蒸镀源及第三蒸镀源，第一蒸镀源蒸镀主体材料，第二蒸镀源和第三蒸镀源蒸镀客体材料，第二蒸镀区和第三蒸镀区位于第一蒸镀区内；待蒸镀基板被配置为相对于蒸镀源沿第一方向往复移动，发光材料层包括多个层叠的子发光材料层，子发光材料层包括层叠的第一子发光层、第二子发光层以及第三子发光层，第二子发光层位于第一子发光层和第三子发光层之间，第一子发光层的客体材料掺杂率和第三子发光层的客体材料掺杂率均大于第二子发光层的客体材料掺杂率。本公开的蒸镀装置制备发光材料层可以提升发光效率。
装置方法有机发光二极管器件显示面板

[发明专利]一种二硫化铪为沟道的浮栅结构晶体管及其制备方法-CN202110566791.4有效
发明人： 张金中;胡志高;熊浩;徐丽萍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化铪为沟道的浮栅结构晶体管及其制备方法，所述浮栅结构晶体管以石墨烯为浮栅，氮化硼为隧穿层，二硫化铪作为沟道。其制备方法为机械剥离法。首先用英格兰胶带从石墨烯二维材料块材上剥离薄膜材料，将附着有二维薄膜材料的胶带对准粘到剥离专用热释放胶带上，再利用光学显微镜选择均匀且厚度合适的层状二维材料，然后利用此方法依次剥离氮化硼和二硫化铪，并按照剥离顺序依次转移到硅/二氧化硅衬底上。最后利用电子束光刻技术和热蒸发镀膜仪在硫化铪两端制备镍/金电极。本发明制备的浮栅结构晶体管不仅实现了二维浮栅结构，具有非易失性存储性能，能够同时灵敏存储光信息与电信息，而且制备的晶体管迁移率高，开关比大。
一种硫化沟道结构晶体管及其制备方法

[实用新型]一种自动识别充电装置-CN202222676384.1有效
发明人：刘晓东;刘道静;郭镇铭;李志广;张金中;房伟;贺小刚;赵杰;陈磊;孙思远 -专利权人：兖矿能源集团股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种自动识别充电装置，根据读卡器识别防爆蓄电池的电池型号，通过控制器电池类型对应的充电模式；实际充电过程中，控制器根据监测器实时检测的充电参数，生成充电指令；充电模块根据充电指令对防爆蓄电池进行对应的充电操作。本申请的自动识别充电装置实时监控防爆蓄电池充电过程中的充电参数，并根据检测的充电参数，进行自动化、智能化的分阶段充电，并在充电完成后自动断电，可有效预防因过度充电造成的电池损坏，有效保护防爆蓄电池，最大效率保障蓄电池的性能和延长爆蓄电池的使用寿命。另外，本申请自动识别充电装置可对防爆蓄电池进行智能充电，实现了井下充电室无人值守，保障工作人员身体健康。
一种自动识别充电装置

[发明专利]基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关制备方法-CN202211198007.X在审
发明人：胡志高;李明;周鑫;李树兵;侯张晨;王林;崔安阳;张金中;姜凯;商丽燕;李亚巍;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于加热器异面结构低寄生电容相变射频开关及制备方法，所述的射频开关包括衬底，一层相变材料层，一层加热元件层，一层隔热层，一层钝化层和一层射频传输层。处于相变材料层之下的加热元件先向外横向延伸后利用硅通孔技术向下穿透衬底与加热元件的终端电路连接起来，使加热元件终端电路位于加热元件的下方。加热元件终端电路位于相对于相变材料层和射频传输层的不同层间水平，最终实现减少寄生电容的目的，提高了整体器件的射频传输性能。
基于加热器结构寄生电容相变射频开关制备方法

[发明专利]利用智能剥离法实现高精度控制功能层厚度的空腔制备方法-CN202211127314.9在审
发明人：杨继业;段志华;张金中;赵祥永 -专利权人：浙江鸿业微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了利用智能剥离法实现高精度控制功能层厚度的空腔制备方法，为MEMs领域制备空腔体提供一种新的工艺路线，在衬底上用镀膜工艺制备具有特定应力的功能层，再通过光刻技术将需要制备空腔的位置暴露出来，接着智能剥离法(smart cut)通过高能粒子注入能量的控制精准控制功能层内部连接结构被破坏的位置，最后通过退火工艺，使功能层2内部被破坏的位置彻底断裂，断裂的上部分的功能层则由于特定应力的作用向上拱起从而形成所需的空腔，该工艺实现了制备空腔的同时高精度控制向上拱起的功能层的厚度，相比于传统的制备方法，无需额外调整功能层厚度的工艺，工艺简洁高效，且不需要对衬底做预处理，也无需释放孔以及化学反应，工艺更稳定简洁。
利用智能剥离实现高精度控制功能厚度空腔制备方法

[发明专利]利用合金熔融技术实现无需释放孔的非化学释放空腔制备方法-CN202211017479.0在审
发明人：杨继业;段志华;张金中;赵祥永 -专利权人：浙江鸿业微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了利用合金熔融技术实现无需释放孔的非化学释放空腔制备方法，为MEMs领域制备空腔体提供一种新的工艺路线，利用光刻技术将需要制备的预空腔的位置暴露出来，进行预空腔的刻蚀，刻蚀出的预空腔通过合金镀膜技术进行填充形成合金层，通过调节合金比例来控制合金层的熔点温度，并用化学研磨工艺将预空腔内的合金层磨平，最后利用退火加工工艺，将退火温度设置在高于合金层熔点且低于功能层熔点，使合金层液化，并由于表面张力形成中间低边缘高的形状，液化后的合金层与功能层的连接键断开，功能层受应力的控制向上拱起形成一个空腔体，最后快速冷却，无需释放孔以及无需额外的化学物，只需加热就能完成空腔体的制备，工艺稳定简洁。
利用合金熔融技术实现无需释放化学空腔制备方法

[发明专利]一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法-CN202210517583.X在审
发明人： 张金中;王强飞;姜睿琪;高照潭;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铟保护层的二硫化铪晶体管及其制备方法，所述晶体管以铟作为保护层，二硫化铪作为沟道。首先，通过机械剥离法使用3M思高胶带从二硫化铪块材上剥离出二硫化铪层状材料；然后，将附着有二硫化铪材料的胶带粘到黏性凝胶膜上，通过光学显微镜观察并选择厚度合适、质地均匀的二维层状材料；接着，将其转移到硅/二氧化硅衬底上；再用热蒸发技术在二维材料表面蒸镀一层铟作为保护层，利用掩膜版蒸镀金属电极，由此制备所述的晶体管。本发明所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了光电性能好的微电子器件，还保护了沟道材料，达到了延长器件寿命的目的。
一种具有保护层硫化晶体管及其制备方法

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