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[发明专利]一种高速直接调制AlInGaAs激光器BH电流阻挡层结构及制备方法-CN202310688883.9在审
发明人：陈博;赵浩 -专利权人：平湖波科激光有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速直接调制AlInGaAs激光器BH电流阻挡层结构，该结构为以SiO2为掩膜条形的BH台面两侧外延生长的多个参杂浓度层，参杂浓度层包括InP薄层隔离层、P‑InP的中等参杂浓度层、P‑InP的低参杂浓度层、N‑InP的低参杂浓度层、N‑InP的高参杂浓度层和P‑InP的表面覆盖层，BH台面两侧的参杂浓度层从上到下依次为P‑InP的表面覆盖层、N‑InP的高参杂浓度层、N‑InP的低参杂浓度层、P‑InP的低参杂浓度层、P‑InP的中等参杂浓度层和InP薄层隔离层。本发明的电流阻挡层结构及方法通过在BH台面两侧外延生长特定参杂浓度分布电流阻挡层结构，降低了BH结构的电流阻挡层的高载流子电荷的积累，避免形成大的电流阻挡层寄生电容效应，提高了BH结构在AlInGaAs
一种高速直接调制 alingaas 激光器 bh 电流阻挡结构制备方法

[发明专利]一种避免离子注入掺杂离子释气的方法-CN201310459703.6无效
发明人：洪齐元;黄海 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种避免离子注入掺杂离子释气的方法，包括以下步骤，步骤一：在硅衬底上注入参杂离子，得到参杂硅衬底；步骤二：在所述参杂硅衬底表面淀积一层非晶碳薄膜；步骤三：对经过步骤二的参杂硅衬底进行退火处理；步骤四：去除所述参杂硅衬底表面的非晶碳薄膜；步骤五：清洗所述参杂硅衬底。在在参杂硅衬底便面淀积一层非晶碳薄膜，由于非晶碳具有优异的阻隔性和稳定性，因此非晶碳薄膜在进行热退火工艺时能有效阻止掺杂离子发生释气现象，从而能有效避免在退火过程中掺杂区由于没有硅化金属阻止层而造成释气现象的发生
一种避免离子注入掺杂方法

[发明专利]N型薄膜晶体管及其制备方法、OLED显示面板及其制备方法-CN201710936407.9在审
发明人：喻蕾;李松杉 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：多晶硅层包括沟道区，以及沟道区两侧的源极区和漏极区，栅极层位于沟道区上方，且栅极层在多晶硅层上的投影与源极区和漏极区部分重合，源极区和漏极区上方的栅极层厚度，均小于沟道区上方的栅极层厚度；且源极区和漏极区均包含重参杂区和与重参杂区连接的轻参杂区，轻参杂区均位于栅极层下方，源极位于源极区的重参杂区上方且与源极区的重参杂区电性连接，漏极位于漏极区的重参杂区上方且与漏极区的重参杂区电性连接。
薄膜晶体管及其制备方法 oled 显示面板

[发明专利]一种高效能的SGTMOSFET器件及其制备方法-CN202310926380.0在审
发明人：李伟;高苗苗 -专利权人：深圳市冠禹半导体有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效能的SGTMOSFET器件，包括衬底,衬底上生长有外延层，外延层上刻蚀有沟槽，沟槽内沉淀有源极多晶硅，源极多晶硅与沟槽内壁之间填充有氮化硅，氮化硅外侧设置参杂区，且参杂区位于外延层内，源极多晶硅上方沉淀有栅极多晶硅，栅极多晶硅外侧设置有基区和源区，且基区、源区位于外延层、参杂区上方，栅极多晶硅设置介质层。本发明通过在外延层内设置参杂区，当栅极多晶硅的电压值达到阈值时，参杂区靠近沟槽的一侧形成反型层沟道，基区靠近沟槽的一侧形成多子空穴积累层，在漏极金属接负电位的反向偏压下，电流从基区经参杂区流向外延层，最终抵达漏极金属，通过设置参杂区形成反型层沟道减小了半导体功率开关器件的导通电阻。
一种高效能 sgtmosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种器件隔离结构及其制造方法、半导体器件-CN202210082284.8在审
发明人：勾鹏;钟灿;唐逢杰;左希然;潘铭;袁柳;张天翼;金桂东;陈妍君 -专利权人：华为数字能源技术有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该制造方法包括：在衬底的第一区域进行第一离子注入形成埋层；在衬底的第二区域进行第二离子注入形成预参杂，第二区域围绕第一区域的外周设置，预参杂中的离子的热扩散能力大于埋层中的离子的热扩散能力；在衬底的设置有埋层和预参杂的一侧形成外延层；对应第二区域在外延层上进行第三离子注入形成深阱；进行热退火处理，使埋层、预参杂和深阱中的离子进行热扩散，而使埋层、预参杂和深阱依次连接，埋层、预参杂和深阱包围的内部区域为器件区域。
一种器件隔离结构及其制造方法半导体器件

[发明专利]电池片的正面结构及其制备方法-CN202010873327.5在审
发明人：单伶宝 -专利权人：晶电科技（苏州）有限公司;单伶宝
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池片的正面结构及制备方法，包括硅衬底层(1)，在所述硅衬底层(1)的正面依次设置有轻参杂层(2)及钝化层(3)，所述钝化层(3)上设置有连续性通孔(4)，所述钝化层(3)连续性通孔(4)的结构内设置有重参杂层(5)，所述轻参杂层(2)与重参杂层(5)的极性与硅衬底层(1)相反，所述重参杂层(5)上设置金属导线层(6)。
电池正面结构及其制备方法

[发明专利]电荷泵电路-CN202310358593.8在审
发明人：马瑞菲·哈桑;贝鲁尔·博达;王昕;黄莉 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：每级电荷泵单元的二极管的正极作为该级电荷泵单元的第一输入端，每级电荷泵单元的二极管的负极作为该级电荷泵单元的输出端，每级电荷泵单元的电容器的一端作为该级电荷泵单元的第二输入端，每级电荷泵单元的电容器的另一端耦接至所述二极管的负极，至少部分二极管包括P型参杂区、N型参杂区和位于所述P型参杂区和所述N型参杂区之间的本征区，所述P型参杂区形成所述二极管的正极，所述N型参杂区形成所述二极管的负极。
电荷电路

[发明专利]一种基于幅度相位独立控制的相参杂波的产生方法-CN200910071717.4无效
发明人：谢俊好;赵佳博 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：一种基于幅度相位独立控制的相参杂波的产生方法，涉及雷达系统仿真领域。它解决了现有利用非高斯相参杂波模拟方法产生杂波过程中计算量大及产生杂波不准确的问题，提出一种基于幅度相位独立控制的相参杂波的产生方法。所述方法的步骤为：将相参杂波u+jv表示成Ae^jφ，其中A为幅度，φ为相位；根据选定幅度A的自相关函数r_A(k)，以非相参的杂波产生方法产生概率密度函数f_A(a)的幅度序列A；根据相参杂波的自相关函数r_uu(k)-jr_uv(k)及给定的幅度的自相关函数，计算e^jφ的自相关函数>cs(k)，根据推导出的e^jφ输入输出自相关函数的关系式，用零记忆非线性变换法产生e^jφ；将A与e^jφ相乘，控制产生的相参杂波
一种基于幅度相位独立控制参杂产生方法

[实用新型]电荷泵电路-CN202320727386.0有效
发明人：马瑞菲·哈桑;贝鲁尔·博达;王昕;黄莉 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：每级电荷泵单元的二极管的正极作为该级电荷泵单元的第一输入端，每级电荷泵单元的二极管的负极作为该级电荷泵单元的输出端，每级电荷泵单元的电容器的一端作为该级电荷泵单元的第二输入端，每级电荷泵单元的电容器的另一端耦接至所述二极管的负极，至少部分二极管包括P型参杂区、N型参杂区和位于所述P型参杂区和所述N型参杂区之间的本征区，所述P型参杂区形成所述二极管的正极，所述N型参杂区形成所述二极管的负极。
电荷电路

[发明专利]一种层叠参杂或复合的材料的叠层方案的设计方法-CN201910331624.4在审
发明人：王玉漫 -专利权人：王玉漫
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种层叠参杂或复合的材料的叠层方案的设计方法，属于参杂材料和复合材料领域，对层叠参杂或复合的材料的叠层方案没有一个清晰便捷的设计方法，本发明通过构建一种新的数学形式，对材料标记值提取工艺系数，然后进行组合工艺基底，最后通过这种新的数学形式呈现出叠层方案，方便科研上对于新材料的寻找和制备，并且可在原有的工艺方案的基础上进行优化设计，由此可实现参杂材料工艺要求的材料性能，充分发挥复合材料的各种优势
一种层叠参杂复合材料方案设计方法

[发明专利]一种多功能负载维甲酸的钆参杂四氧化三铁复合纳米粒子-CN201811503730.8有效
发明人：王冠男;金丽;代晨;高海燕 -专利权人：济宁医学院
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C12N5/0793 文献下载
摘要：本发明涉及一种多功能负载维甲酸的钆参杂四氧化三铁复合纳米粒子，其用于用于诱导干细胞定向分化及用于实时MRI造影；所述钆参杂四氧化三铁为MRI造影剂及纳米载体，其负载的维甲酸为活性成分，其具有促进干细胞分化为神经元细胞的作用；所述的钆参杂四氧化三铁纳米粒子结构式可表述为Gd:Fe
维甲酸四氧化三铁四氧化三铁纳米粒子复合纳米粒子干细胞造影神经元中枢神经损伤干细胞分化神经元细胞定向分化纳米粒子纳米载体诱导分化修复应用

[实用新型]一种基于热扩散的金铂参杂装置-CN202122143360.5有效
发明人：初亚东 -专利权人：天津天物金佰微电子有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及金铂参杂技术领域，具体的说是一种基于热扩散的金铂参杂装置，包括底座，所述底座中部通过第一弹簧安装有电机且电机输出端连接有偏心盘，所述电机上端连接有第二弹簧，所述第二弹簧穿过连接座中部开口处且第二弹簧一端连接有模板本实用新型顶板会通过第一连接板带动第二连接板移出第二凹槽，在第二连接板移动时会顶动其上端接触冷却之后的参杂金属，使参杂金属与模板之间的距离同时增大，更好的进行取出，减少滑落受损的情况发生，同时也保证了参杂工作的顺利进行
一种基于扩散参杂装置

[发明专利]一种高功率多芯光纤激光器-CN201410221420.2在审
发明人：施建宏;闫大鹏;李成;李立波 -专利权人：武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种高功率多芯光纤激光器，由种子源、模式匹配器、放大器、光纤传输系统组成，所述的种子源由(N+1)x1耦合器与参杂光纤、两个光纤光栅组成，(N+1)x1耦合器的输出端依次连接一光纤光栅、参杂光纤、另一光纤光栅，所述的模式匹配器由种子源的输出光纤与多芯光纤组成，所述的放大器由多芯(N+1)x1耦合器与多芯参杂光纤组成，模式匹配器的多芯光纤与多芯(N+1)x1耦合器输入端相连，多芯(N+1)x1耦合器的输出端与多芯参杂光纤相连，多芯参杂光纤输出端切平或拉锥切平与端帽熔接成光纤传输系统输出激光。
一种功率光纤激光器

[实用新型]一种高功率多芯光纤激光器-CN201420270129.X有效
发明人：施建宏;闫大鹏;李成;李立波 -专利权人：武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高功率多芯光纤激光器，由种子源、模式匹配器、放大器、光纤传输系统组成，所述的种子源由(N+1)x1耦合器与参杂光纤、两个光纤光栅组成，(N+1)x1耦合器的输出端依次连接一光纤光栅、参杂光纤、另一光纤光栅，所述的模式匹配器由种子源的输出光纤与多芯光纤组成，所述的放大器由多芯(N+1)x1耦合器与多芯参杂光纤组成，模式匹配器的多芯光纤与多芯(N+1)x1耦合器输入端相连，多芯(N+1)x1耦合器的输出端与多芯参杂光纤相连，多芯参杂光纤输出端切平或拉锥切平与端帽熔接成光纤传输系统输出激光。
一种功率光纤激光器

[发明专利]一种氮参杂碳包覆磷酸铁锂复合材料及其制备方法-CN201810959140.X有效
发明人：李德成;黄国林;王建琴 -专利权人：江苏元景锂粉工业有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种氮参杂碳包覆磷酸铁锂复合材料及其制备方法。所述磷酸铁锂的复合材料为球形核壳结构，所述壳层的厚度为1～5um，包覆量为1～5%，其中氮参杂含量为25～35%；制备方法包括：（1）制备球形磷酸铁；（2）制备磷酸铁锂前驱体；（3）制备有机氮源包覆液；（4）制备氮参杂碳包覆磷酸铁锂。本发明的一种氮参杂碳包覆磷酸铁锂复合材料及其制备方法，制备过程简单，易于控制，便于操作，能改善磷酸铁锂材料的电子离子传输效率，提高其倍率性能和循环性能，且耐低温性能显著。
一种参杂碳包覆磷酸复合材料及其制备方法

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