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[发明专利]一种生产单晶硅的方法-CN201210020267.8有效
发明人：王军;郭大伟;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅技术领域，尤其涉及一种生产单晶硅的方法，包括在坩埚底部放置方单晶；在所述方单晶上放置硅料及合金；将所述坩埚放置在单晶硅炉内，经过加热、熔化、长晶、退火和冷却的过程，获得单晶硅锭；其中，所述熔化过程中当所述方单晶熔化到规定深度后，开始所述长晶过程；切割所述单晶硅锭，获得单晶硅片。使用本发明实施例提供的单晶硅生产的方法，通过将放置在坩埚中锋的方单晶熔化到规定深度后，再开始长晶过程，使得长晶时以熔化到规定深度的方单晶为晶核。而且，在长晶过程中控制长晶速度，由此提高单晶硅片的生产效率。
一种生产单晶硅方法

[发明专利]一种M向单晶蓝宝石的制备工艺及M向单晶蓝宝石-CN201710343269.3在审
发明人：徐永亮;于海群;汪海波 -专利权人：内蒙古恒嘉晶体材料有限公司
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： C30B17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种M向单晶蓝宝石的制备工艺及M向单晶蓝宝石。所述工艺，利用单晶蓝宝石晶体M向的长晶速率小于A向的长晶速率的特点，将M向籽晶装置于籽晶杆的籽晶夹头，由于，单晶蓝宝石晶体M向的长晶速率小于A向的长晶速率，因此在一定程度上缓解了单晶蓝宝石晶体的肩部锥状气泡及底部馒头状气泡的生长，提高了单晶蓝宝石晶体的利用率。本申请实施例示出的制备工艺可制备出100kg的单晶蓝宝石晶体。在单晶蓝宝石晶体长晶的过程中由于A向长晶的速率大于C向长晶的速率，制备的单晶蓝宝石晶体的横截面呈椭圆形，在一定程度上增加了单晶蓝宝石晶体的散热面积，进而抑制肩部锥状气泡及底部馒头状气泡的增长，提高了单晶蓝宝石晶体的利用率
一种蓝宝石制备工艺

[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法-CN201710324758.4在审
发明人：蓝崇文;翁敬闳;杨承叡;张元啸;杨瑜民;余文怀;施英汝;许松林 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司;蓝崇文
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供一种晶种的铺设方法，包括铺设拼接晶种层于长晶容器的底部。上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器的底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片的宽度小于单晶块的宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本发明提供一种类单晶晶锭制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。
铺设方法类单晶晶锭制作方法

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用-CN201910631402.4在审
发明人：高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用，属于半导体材料领域。该制备方法包括：组装和长晶，碳化硅多晶块原料设置孔道结构，孔道结构靠近籽晶的一端设置气相出口，原料区内的部分气相原料通过孔道结构自气相出口气相传输至籽晶。本申请以具有孔道结构的碳化硅多晶块制备碳化硅单晶的长晶效率高，制得的碳化硅单晶的质量高、纯度高；利用同一籽晶可以同时生长两块碳化硅单晶锭，两块单晶锭的质量相似、长晶成本低、长晶效率高，长晶路径短、气相传输路径容易控制；通过控制碳化硅单晶的长晶压力变化和压力值，避免了由于碳化硅多晶块的致密性而导致制备高纯半绝缘碳化硅单晶的形核紊乱，提高了碳化硅单晶的长晶质量。
碳化硅单晶孔道结构半绝缘碳化硅单晶多晶块碳化硅高纯籽晶制备高效制备气相出口气相传输半导体材料领域一端设置单晶锭致密性形核申请紊乱应用组装生长

[发明专利]水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN200610148709.1无效
发明人：袁诗鑫 -专利权人：袁诗鑫
申请日： 2006-12-30 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及水平区熔生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括炉体、石英长晶管、区熔长晶舟和镉源舟：炉体包括镉源炉和由多个依次排列的小炉子组成的水平区熔长晶炉，炉体内放置有内设镉源舟和区熔长晶舟的石英长晶管，区熔长晶舟设有头部缩颈和尾部缩颈，水平区熔生长碲锌镉单晶的方法是先将碲、锌和籽晶放入区熔长晶舟内、镉放入镉源舟内，再将区熔长晶舟和镉源舟放入石英长晶管中封管后，置于水平区熔炉体中加热合成碲锌镉锭条，经区熔提纯的碲锌镉锭条纯度提高后再由籽晶引导生长出碲锌镉单晶采用本发明的装置和方法生产碲锌镉单晶成品率高、纯度高，生长出的碲锌镉单晶完全符合应用要求。
水平生长碲锌镉单晶装置方法

[发明专利]一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺-CN201710417949.5在审
发明人：李顺利 -专利权人：界首市七曜新能源有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺，包括加料，熔化，缩颈生长，放肩生长，等径生长，尾部生长步骤。本发明将单晶硅原料送入长晶炉前进行低温加热处理，释放单晶硅原料内部应力，减少长晶时产生的位错，改善结晶质量；熔化时先将温度升至800～900℃，将长晶炉抽成真空，再将氩气充入长晶炉一方面进一步释放单晶硅原料的内部应力，另一方面通过升温将单晶硅原料内的气泡、氧杂质去除并随氩气一起排出长晶炉，保证单晶硅原料的纯度；本发明制得的单晶硅内部缺陷少，结晶质量高，作为太阳能板电池板使用具有较高的光电转换效率，同时使用寿命长。
一种太阳能电池板单晶硅制备工艺

[发明专利]长晶方法及其机台架构-CN201010517721.1无效
发明人：谢旭明 -专利权人：宏贸科技有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种长晶方法及其机台架构。本发明的长晶方法的特征是在于在凯氏长晶法的基础上，形成单晶棒的晶肩后，将夹持有晶种的晶种杆与坩锅采同方向转动，以在较佳的原料熔汤热均温下冷却生长出单晶棒的晶身部分，避免单晶棒因坩锅内原料熔汤热均温不良下易碎裂的缺失
方法及其机台架构

[发明专利]铸造类单晶制备方法-CN201811064511.4在审
发明人：汪沛渊;张涛;白枭龙;欧子杨;晏文勇;李省平;刘文婷;邓清香;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸造类单晶制备方法。上述铸造类单晶制备方法，制备时，先在坩埚底部均匀铺设一层含磷的掺杂剂，以形成掺杂剂层；然后在所述掺杂剂层上铺设一层类单晶籽晶，以形成引晶层，再将硅料和母合金依次填入所述坩埚内；最后将坩埚加热至预设温度，以使所述类单晶籽晶部分熔化，在熔化和长晶过程中，控制坩埚的温度，使引晶层的类单晶籽晶部分熔化，其中，在长晶过程中，坩埚底部的掺杂剂中的磷通过扩散进入长晶过程中底部已经长好的晶体中，拉低了铸造类单晶尾部的电阻率，使得铸造N型类铸造类单晶中的头部和尾部电阻率偏差不大，头尾电阻率分布更加均匀。
坩埚铸造熔化单晶制备单晶籽晶掺杂剂层掺杂剂电阻率单晶引晶电阻率分布均匀铺设母合金硅料填入预设制备加热铺设扩散

[发明专利]一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法-CN201910344555.0有效
发明人：刘星;刘鹏飞;窦文涛;梁庆瑞;梁晓亮;张红岩;刘圆圆 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法，属于晶体生长领域。该碳化硅单晶的PVT长晶方法包括下述步骤：提供一长晶装置，该长晶装置包括重量传感器、坩埚和在坩埚内可升降的装料部，所述装料部用于装载碳化硅原料，所述重量传感器用于检测装料部内碳化硅原料重量；将装料部装载碳化硅粉料后进行长晶，长晶包括第一长晶阶段和第二长晶阶段，调整装料部的不同部分置于坩埚内的高温区进行长晶。该PVT长晶方法可精确自动控制装料部在热场中的位置，碳化硅单晶长晶环境稳定，生长的碳化硅晶体的质量高，可充分挥发碳化硅长晶原料，提高了长晶原料的利用率，节约了生产成本。
一种碳化硅及其 pvt 方法

[发明专利]制造碳化硅单晶的方法-CN200780018105.8有效
发明人：小柳直树;庄内智博;坂口泰之 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：制造SiC单晶的方法，包括下列步骤：使第一SiC单晶在由SiC单晶形成的第一晶种上在第一生长方向上生长；在与第一生长方向平行或倾斜的方向上设定在第一晶种上生长的第一SiC单晶，并在与第一生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第一SiC单晶，以获得第二晶种；使用第二晶种以在其上在第二生长方向上生长第二SiC单晶，至厚度大于所述截面中的长轴长度；在与第二生长方向平行或倾斜的方向上设定在第二晶种上生长的第二SiC单晶，并在与第二生长方向垂直的截面中的长轴方向上切割所述设定的第二SiC单晶，以获得第三晶种；使用第三晶种以在其上生长第三SiC单晶；并以暴露出{0001}晶面的方式切割在第三晶种上生长的第三SiC单晶，由此获得SiC单晶。
制造碳化硅方法

[发明专利]一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法-CN201911368211.X有效
发明人：高宇晗;方帅;周敏;姜兴刚;窦文涛;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法，属于半导体材料领域。该制备方法包括将原料和籽晶置于坩埚，组装坩埚和保温结构置于长晶炉内，长晶炉侧壁外围设置热线圈组，安装调节机构；除杂；长晶；其中，加热线圈组包括与原料区对应设置的第一线圈组和，与长晶区对应设置的第二线圈组该碳化硅单晶的制备方法设置形成生长腔内的轴向温度梯度，可以制得高质量的碳化硅单晶；调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度，提高长晶速率和长晶质量；在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，可以高效制得高质量碳化硅单晶
一种质量碳化硅衬底及其高效制备方法

[发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法及一种单晶长晶炉、单晶长晶炉的加热装置-CN202110992230.0在审
发明人：田义良;廖青春;苗双柱;高广进;曹桂莲;赵新田 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及单晶制备技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的制备方法及一种单晶长晶炉、单晶长晶炉的加热装置。本发明提供了一种单晶长晶炉的加热装置，包括第一加热器1和第二加热器2，所述第二加热器2包括多个独立工作的加热单元21，所述第一加热器1为蛇形加热器或平面螺旋形加热器，所述加热单元21为环形加热器，本发明提供的加热装置能够实现对所述单晶生长腔内的温度进行精确控制，从而制备SiC单晶时能够得到高质量、大尺寸的SiC单晶。
一种碳化硅制备方法单晶长晶炉加热装置

[发明专利]一种单晶硅晶棒的长晶方法-CN201811267643.7在审
发明人：沈伟民;范进 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅晶棒的长晶方法，所述长晶方法依次包括等径阶段和收尾阶段，其中，通过控制所述收尾阶段的收尾速度和/或温度来增加收尾段的高度，以使等径段顶部和底部的BMD密度一致。本发明提供的单晶硅晶棒的长晶方法能够避免晶棒的无谓浪费，从而提高了生产效率。
一种单晶硅方法

[发明专利]一种氮化铝单晶生长方法-CN201611196928.7有效
发明人：吴亮;曹凯;汪佳;刘理想;龚加玮;王智昊;王琦琨 -专利权人：苏州奥趋光电技术有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝单晶生长方法，长晶时的温度曲线和压力曲线简单可控；在氮化铝烧结体表面进行长晶，生长得到的氮化铝单晶体内部几乎无缺陷；通过采用钨材料制备坩埚，杂质引入极少；能够得到最大尺寸为厘米级的氮化铝单晶；长晶成本较低。
氮化铝单晶生长氮化铝烧结体温度曲线压力曲线单晶体氮化铝厘米级钨材料可控坩埚制备引入

[发明专利]一种直拉法制备单晶硅的方法-CN201711175303.7在审
发明人：王会敏;张浩强;颜超;范晓甫;赵龙;张振国;霍永超;杜瑞豹;杨乐天 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请属于单晶硅生产技术领域，具体涉及一种直拉法制备单晶硅的方法，单晶炉完成硅料熔化之后，单晶炉加热功率快速下降，温控器控制单晶炉的炉内温度稳定后，籽晶接触液面后引颈，引颈一定高度后，无位错开始放肩，放肩后长晶，单晶炉加热功率分步逐降，长晶达到目标直径后开始转肩。经过上述方法可以缩短单晶生长周期100min左右，提高引颈成功率40‑50％。并且此方法可以快速找到引颈温度，减少长晶位错，缩短单晶的生长周期并减少硅料与石英埚接触时间以减少硅料杂质的影响，提高了引颈成功率及单晶品质。
一种法制单晶硅方法

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