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[发明专利]多晶相磷酸铋纳米粉体及其制备方法-CN201110339645.4有效
发明人：李莉萍;付超超;赵明磊;李广社 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B25/37 文献下载
摘要：该粉体为六角相和低温单斜相磷酸铋，其平均粒径为20～500nm。本发明在室温条件下获得不同晶相结构的磷酸铋纳米粉体，磷酸铋纳米颗粒的相含量依赖于化学试剂的种类：醇类溶剂得到低温单斜相磷酸铋；烷烃、芳香烃类溶剂得到六角相磷酸铋；醚、酮、醛、羧酸类溶剂得到低温单斜相和六角相磷酸铋的混相该六角相和低温单斜相磷酸铋纳米粉体可用作发光基质材料和催化材料。
多晶磷酸纳米及其制备方法

[实用新型]一种易拆阴角龙骨模板-CN201621425720.3有效
发明人：龚立华 -专利权人：湖南立拓建设有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： E04G13/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易拆阴角龙骨模板，包括一个双斜阴角模板和两个单斜模板，单斜模板分别连接在双斜阴角模板的两端，双斜阴角模板的两端面为第一斜端面，单斜模板中与第一斜端面连接的端面为第二斜端面，单斜模板中未与第一斜端面连接的端面为直端面
一种易拆阴角龙骨模板

[发明专利]一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO₂)纳米晶体材料及其合成方法和应用-CN201811502910.4在审
发明人：张研 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01G25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯超细均匀单斜二氧化锆(ZrO₂)纳米晶体材料及其合成方法和应用，该方法是以八水氧氯化锆作为锆前驱体，以乙醇作为溶剂，在水热条件下密闭反应釜内，使高温高压产生的水蒸汽与锆源接触，生成单斜二氧化锆(ZrO₂)纳米晶体材料；通过水热温度控制，实现水蒸汽蒸发量控制，进而对锆源水解速率有效控制，而且能够有效避免快速水解反应而形成无定形二氧化锆(ZrO₂)沉淀物；本发明也不采用任何添加剂或掺杂物，保证单斜二氧化锆(ZrO₂)纳米晶体材料的纯度；不需要后续高温焙烧处理，避免单斜二氧化锆(ZrO₂)晶粒的长大和团聚，获得超细均匀的单斜二氧化锆(ZrO₂)纳米晶体材料。
二氧化锆纳米晶体材料单斜超细水蒸汽高纯锆源合成八水氧氯化锆密闭反应釜高温焙烧高温高压水解反应水热条件有效控制晶粒掺杂物前驱体无定形蒸发量溶剂水解乙醇水热添加剂应用团聚保证

[发明专利]一种具有单斜结构的稀土磁性材料及其制备方法-CN202210786146.8在审
发明人：张义坤;徐鹏;李领伟 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料，所述稀土磁性材料的化学式为RESr2TaO6，RE为Gd，Dy，Ho，ErRESr2TaO6具有单斜晶系，属于P21/c空间群。本发明还公开了一种具有单斜结构的稀土磁性材料的制备方法。上述具有单斜结构的稀土磁性材料应用在磁制冷中。本发明采用上述具有单斜结构的稀土磁性材料及其制备方法，能够解决现有的磁制冷材料制备困难的问题。
一种具有单斜结构稀土磁性材料及其制备方法

[发明专利]氧化锆耐火材料及其制备工艺-CN201310211851.6有效
发明人：应文翰 -专利权人：浙江省长兴铁狮耐火材料有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供的氧化锆耐火材料，电熔单斜氧化锆具有较好的断裂韧性和强度，所以热震稳定性好，氧化钇或硝酸钇和氧化钡或碳酸钡或磷酸钡的加入，不仅可以进一步对电熔单斜氧化锆起稳定作用，而且改善了电熔单斜氧化锆的热膨胀系数，增强电熔单斜氧化锆的韧性，显著的提高制品的热震稳定性，还可以降低电熔单斜氧化锆的烧成温度，降低了能耗、扩大了烧成范围；本发明提供的氧化锆耐火材料的制备工艺，预烧制料经过低于烧制温度的活性处理，具有非常优秀的热震性能和致密性
氧化锆耐火材料及其制备工艺

[发明专利]一种内孔带键槽的组合式人字齿轮及单斜齿轮的加工方法-CN202110043239.7有效
发明人：黄照苏;冉贞德;吴春桥;苑晓丹;叶钦文;李明钦;花旭睿 -专利权人：重庆齿轮箱有限责任公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B23P15/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种内孔带键槽的组合式人字齿轮及单斜齿轮的加工方法，包括：加工单斜齿轮的内孔、端面和齿面，并粗精插或粗精铣单斜齿轮的键槽；安装压板；检测零件中截面处的齿槽中心，计算得出上端面基准齿槽中心，使上端面基准齿槽中心与零件内孔中心连线与压板长边垂直该加工方法可以独立加工组合式人字齿轮的单斜齿轮，从而使单斜齿轮具有互换性。
一种内孔带键槽组合式齿轮单斜加工方法

[发明专利]一种制备单斜相碲化亚铜的方法-CN201910013061.4在审
发明人：肖冠军;马志伟;邹勃 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明的一种制备单斜相碲化亚铜的方法,属于新材料制备的技术领域。以三方相晶体结构的碲化亚铜粉末为起始原料，并封装到压力产生装置中，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，常温下对样品进行持续加压至11.28～39.10GPa，随后缓慢卸去压力至常温常压，得到单斜相碲化亚铜本发明制备的样品为单斜相晶体结构的碲化亚铜，卸压后样品依然保持单斜相结构，结晶性好，具有较高的温度敏感性。
碲化亚铜单斜制备晶体结构金刚石对顶砧压力产生装置温度敏感性新材料应用常温常压持续加压起始原料室温操作常温下对称式结晶性卸压压机封装加压合成量化应用生产

[发明专利]一种单斜率ADC电路-CN202010771547.7在审
发明人：李智 -专利权人：二十一世纪（北京）微电子技术有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03M1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种单斜率ADC电路，通过信号总线LVDS驱动模块将计数器的输出信号转换为低共模电压及低摆幅的LVDS信号传输，同时锁存器采用低共模电压及高灵敏度的动态锁存器来锁存计数信号总线上的信号。也就是说，该单斜率ADC电路中计数信号总线采用改进的低共模电压及低摆幅的LVDS信号传输，降低了信号的电压摆幅，降低了信号的上升时间、下降时间以及传输延时，提升了信号的传输质量，使得计数总线信号传输频率可达1GHz以上，提高了单斜率ADC电路的转换速度及分辨率，同时降低了单斜率ADC电路的功耗。
一种斜率 adc 电路

[发明专利]一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法和应用-CN202210434336.3有效
发明人：王松灿;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法和应用，属于光电催化技术领域，解决了现有单斜白钨矿型钒酸铋半导体材料只能作为光阳极材料的技术问题。本发明公开的制备方法：首先将导电基底进行预处理，提高其润湿性，将可溶性铋盐和可溶性钒盐分别配成溶液进行水热反应，将在导电基底上形成的薄膜进行激光烧结，得到一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜。本发明制备得到的单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜具有p型导电性，且具有一定的晶面取向性，在自然光照射下可实现分解水制取氢气，在光催化领域具有广阔的应用前景。
一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法应用

[实用新型]一种多折线拼接式玻璃幕墙系统-CN202221934706.1有效
发明人：王金鑫;张桂旺;高来;邹忠波;苏家乐;敬小康;张新宗 -专利权人：中建二局装饰工程有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： E04B2/96 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多折线拼接式玻璃幕墙系统，包括建筑主体、V形折线式幕墙、单斜式折线幕墙和直线形幕墙，V形折线式幕墙设在建筑主体后侧，在建筑主体左右两侧分别设置一堵单斜式折线幕墙，直线式幕墙设在建筑主体前侧；相邻两个V形折线幕墙单元通过第三转接组件密封连接，V形折线式幕墙与单斜式折线幕墙通过第一连接组件相连接，单斜式折线幕墙与直线形幕墙通过第二连接组件相连接。
一种折线拼接玻璃幕墙系统

[发明专利]一种单斜相二氮烯钡的高温高压制备方法-CN202010082049.1在审
发明人：祝洪洋;李悦;卜焕鹏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：本发明的一种单斜相二氮烯钡的高温高压制备方法属于导电含能材料制备的技术领域，以叠氮化钡为原料，经研磨、压块、组装、高温高压合成、以及冷却卸压的工艺过程制得单斜相二氮烯钡。本发明以叠氮化钡为原料，采用高温高压合成方法制备出单斜相二氮烯钡，大幅度缩短了制备时间，为制备碱土金属二氮烯氮化物具有一定实验指导意义。
一种单斜相二氮烯钡高温高压制备方法

[发明专利]一种氧化锆陶瓷及其制备方法-CN202111665780.8在审
发明人：卢艳龙;张洁;孙家宽;陈潇;吴琳;杨杰 -专利权人：万华化学集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B35/488 文献下载
摘要：通过低温闪蒸干燥方式能够获得高分散的前驱物料，并且配合高速快速砂磨的方式调整粉体的单斜相率和粒度能够获得晶粒尺寸均一的氧化锆陶瓷，晶粒尺寸集中在150nm‑450nm之间分布。本发明制备的氧化锆陶瓷，140℃水热中浸泡24h后的单斜相率在2.0‑5.0％，140℃水热中浸泡72h后的单斜相率在5.0‑15.0％。
一种氧化锆陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种单斜岩层构造地貌的自动识别方法-CN201611164730.0有效
发明人：陈楹;李安波;姚蒙蒙;李梦圆 -专利权人：南京师范大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单斜岩层构造地貌的自动识别方法，包括以下步骤：(1)提取基岩地层对象，依据邻接、倾斜和倾向一致性的规则，对提取得到的邻接对象建立关系，绘制邻接ARG图；(2)基于邻接ARG图，依据邻接关系构建场景模型，并对场景模型进行简化；(3)按照褶皱筛选规则对简化后的场景模型进行筛选，保留非完整褶皱结构的模型，即为单斜岩层构造。本发明实现了单斜岩层构造地貌的自动识别。
一种单斜岩层构造地貌自动识别方法

[发明专利]一种Cu/m-ZrO₂催化剂及制备方法及用途-CN201810982034.3在审
发明人：段正康;兰小林;徐金霞;潘浪胜;周国平 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：一种Cu/m‑ZrO₂催化剂，由Cu和纯单斜相二氧化锆m‑ZrO₂组成，Cu为活性组分，纯单斜相二氧化锆m‑ZrO₂为催化剂载体。对于二乙醇胺脱氢反应，而目前使用的Cu/ZrO₂催化剂中大都为四方相ZrO₂或单斜相与四方相同时存在，缺乏对纯单斜相ZrO₂及不同晶相ZrO本发明的催化剂载体为纯单斜m‑ZrO₂，有利于探究m‑ZrO₂晶相结构在催化过程中的用机理及二乙醇胺脱氢机理。
单斜催化剂催化剂载体二氧化锆二乙醇胺四方相制备超声作用沉淀过程催化过程晶相结构铜盐溶液脱氢反应载体溶液作用机理沉积碱液脱氢研究

[发明专利]一种单斜缓倾岩溶滑坡隐患识别方法及系统-CN202210585020.4在审
发明人：程洋;王永;杨妍妨 -专利权人：中国地质科学院岩溶地质研究所
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01S13/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种单斜缓倾岩溶滑坡隐患识别方法及系统，涉及滑坡隐患识别技术领域，获取单斜缓倾岩溶区待测斜坡的地质背景参数，包括斜坡坡度和地层倾角的大小关系、斜坡坡向和地层倾向的夹角、斜坡的顺向坡和逆向坡；本发明针对单斜缓倾岩溶区的特殊地理环境和地质特征，同时结合雷达数据得到的地表形变信息，能够更加准确的预测出单斜缓倾岩溶区滑坡灾害发生概率。
一种单斜岩溶滑坡隐患识别方法系统