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[发明专利]一种板坯宽度检测系统及检测方法-CN201110006678.7有效
发明人：高颖男;殷敏;龙强;王文杰;杨明凯;王海峰;张妍姝 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： B21B38/04 文献下载
摘要：本发明提供一种基于定宽压力机入口导尺控制程序的板坯测宽系统，在导尺控制程序中加入板坯测宽控制程序，板坯测宽控制程序分别连接导尺对中控制程序和导尺位置控制程序，同时板坯测宽控制程序的输出端还通过基础自动化网络与操作画面连接通讯本发明在无需任何投资的情况下，利用定宽压力机入口导尺对中控制程序和增设的板坯测宽控制程序，快速记录、反馈、计算和显示板坯宽度偏差，并进行超差报警，使操作人员可及时发现问题并加以处理，避免发生成品宽度缺陷
一种宽度检测系统方法

[发明专利]制程异常诊断系统及方法-CN201510250376.2有效
发明人：张明华;冯其志 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种制程异常诊断系统，包括：对应关系生成模块，根据历史批次的后段测试异常数据和历史批次的制程异常步骤的对应关系，生成至少一对应关系表；测试结果分析模块，包括一对应关系查询单元，所述对应关系查询单元根据当前批次的后段测试异常数据，查询所述对应关系表，找到所述当前批次的嫌疑制程异常步骤；制程分析模块，查询所述当前批次的嫌疑制程异常步骤在存储数据库中的信息；以及异常步骤确认模块，根据所述信息，确认所述当前批次在制程中异常的步骤。本发明的还公开了制程异常诊断方法。本发明提供的制程异常诊断系统及方法能够根据当前批次的后段测试异常数据，快速、准确地诊断出当前批次在制程中异常的步骤。
异常诊断系统方法

[发明专利]一种机台制程参数偏移的管控系统及方法-CN201510195207.3有效
发明人：李益清;罗异;罗继娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种机台制程参数偏移的管控系统及方法，包括提供制程参数的生产数据监控模块；提供机台维护周期的机台维护管理模块；将制程参数按维护周期分段的制程参数分段模块；根据分段的制程参数数据得到制程参数的数据特征的数据特征产生模块；根据当前维护周期内多个数据及制程参数的数据特征得到当前维护周期内的可信区间的可信区间产生模块。本发明对具有维护周期偏移特性的制程参数按维护周期分段，经程序化计算后得到该参数的数据特征，并根据当前维护周期内的少量数据得到该维护周期内的可信区间，通过对不同维护周期内的可信区间的分别设定，避免制程参数的可信区间设定不当导致的生产和管理问题
一种机台参数偏移系统方法

[发明专利]电梯控制装置-CN200610094236.1有效
发明人：杉山让;山下健一;冈部令;小泉裕司 -专利权人：株式会社日立建筑系统
申请日： 2006-06-27 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： B66B1/06 文献下载
摘要：本发明提供在控制程序的改写中不需要电梯运行停止的电梯控制装置。在电梯控制装置(10)中设置MPU(11)，该MPU(11)执行：将从外部输入的控制程序作为新控制程序存储在ROM(13)的存储区域d的第1处理；从闪光存储器ROM(12)的存储区域a读出控制程序并作为旧控制程序复制到存储区域b的第2处理；从存储区域d读出新控制程序并复制到存储区域a的第3处理；以及从存储区域a读出新控制程序并复制到存储区域c的第4处理，用电梯运行控制用的计算机执行的规定控制程序成为复制在存储区域c中的新控制程序
电梯控制装置

[发明专利]形成可分离界面的方法及使用此方法制作微机电薄膜-CN200510125864.7有效
发明人：董玟昌 -专利权人：董玟昌
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在半导体制程或微机电制程中形成可分离界面的方法，即在制程基底与集成电路元件或微机电元件的层与层之间，用接合度不佳的材料或制程，或用易被蚀刻去除的材料，形成一种可用外力破坏的可分离界面，使集成电路元件或微机电元件在后续的制程中，用破坏所述的可分离界面实现分离集成电路元件或微机电元件与制程基底的目的；尤其，由所述可分离界面所制成的微机电薄膜，在结构上不但不带制程基底且具有可挠曲性，而且上下两面都可以制成具备电路接点、微结构或微机电元件，与传统微机电薄膜必须与制程基底同时存在的结构相比，不带制程基底且具有可挠曲性的微机电薄膜，有更广泛的实际应用价值。
形成可分离界面方法使用制作微机薄膜

[发明专利]工艺制程异常分析方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111381935.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：成都数联云算科技有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明涉及生产监测技术领域，揭露了一种工艺制程异常分析方法、装置、电子设备及存储介质，包括：接收工艺制程训练集及标签集，将所述工艺制程训练集执行特征分类，得到多组制程特征训练集，根据多组所述制程特征训练集构建出对应的多组孤立树模型，将每组所述制程特征训练集依次输入至对应的所述孤立树模型执行训练，并利用所述标签集选取出训练结果符合预设要求的孤立树模型，得到一组或多组优质树模型，将异常待判断的工艺制程数据集输入至所述优质树模型执行异常分析本发明还提出一种工艺制程异常分析装置、电子设备及存储介质。本发明可以解决因现有技术对工业制程数据利用不够充分，导致检测准确率较差的技术问题。
工艺异常分析方法装置电子设备存储介质

[实用新型]一种制程腔及其可视化装置-CN201820823678.3有效
发明人：丁玎;李伟华 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G02B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于制程腔的可视化装置，包括：光学镜，光学镜至少包括：镜筒，镜筒具有一能够密封连接在制程腔的外壁上，且使镜筒能够相对于制程腔的外壁进行多角度旋转的转轴；第一透镜；第二透镜，其中：镜筒通过转轴相对于制程腔的外壁进行多角度旋转，通过第一透镜和第二透镜的光反射和光透射放大观测制程腔内部不同位置的状况；第一透镜及位于制程腔内部一侧端的镜筒耐等离子轰击热处理及耐高温。本实用新型还公开了一种制程腔。实施本实用新型的制程腔及其可视化装置，能够放大观测制程腔内部不同位置的状况，可进行角度调整，增大观测视角；结构精简，便于操作，降低成本。
制程透镜镜筒本实用新型可视化装置外壁多角度旋转放大观测光学镜转轴等离子轰击热处理角度调整密封连接光反射光透射耐高温观测视角

[实用新型]载具派送系统-CN201720185479.X有效
发明人：刘丰洋;李保玉 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本实用新型提供一种载具派送系统，包括控制中心、当前制程机台、下一制程机台、搬运设备、临时存储设备和目标存储设备，其中，控制中心用于在接收到退载具请求时，根据当前制程机台的制程信息及预设的退载具规则确定目标存储设备上述系统将载具从当前制程机台直接搬运至与下一制程机台的目标存储设备上，使得下一制程机台可直接从目标存储设备上获取载具，减少了载具在当前制程机台与下一制程机台之间的搬运次数，提高了搬运效率，从而提升了工厂的生产效能
派送系统

[发明专利]笛卡尔机械臂群集工具架构-CN200680013355.8有效
发明人： M·利斯;J·胡金斯;C·卡尔森;W·T·威弗;R·劳伦斯;E·英格哈特;D·C·鲁泽克;D·塞法缇;M·库查;K·范凯特;V·霍斯金;V·沙阿;S·洪乔姆 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：兹提供一种使用多腔室制程系统来处理基材的方法及设备，该系统具有增加的产能、增强的系统可靠度、改善的元件合格率表现、再现性更高的晶片制程历史、以及较小的占地面积(footprint)。该群集工具的各种实施例可使用以平行制程配置法配置的两个或多个机械臂，以在留置在所述制程架内的各个制程腔室间传送基材，因而可执行预期的制程程序。在一实施态样中，该平行制程配置法包含两个或多个机械臂组件，其是适于在垂直和水平方向上移动，以存取留置在所述制程架内的若干制程腔室。
笛卡尔机械群集工具架构

[发明专利]一种基于制程区域的晶粒外观检测方法及系统-CN202111141388.3在审
发明人：程果 -专利权人：武汉精创电子技术有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种基于制程区域的晶粒外观检测方法，包括如下步骤：获取晶圆上的标准晶粒，并对所述标准晶粒进行基于制程的区域划片；通过选取所述标准晶粒的特征点来对所述晶圆上的待测晶粒进行对位；基于所述标准晶粒的不同制程区域提取所述待测晶粒的对应制程区域；对所述待测晶粒的不同制程区域采用对应制程的检测方法进行缺陷检测。本发明通过对待测晶粒进行基于制程的区域提取，并对不同制程的区域采用不同的检测方法进行缺陷检测，提高了检测的精度及效率；同时，采用同一标准晶粒作为所有待测晶粒的对比标准，提高了检测的鲁棒性。
一种基于区域晶粒外观检测方法系统

[发明专利]一种每测试站单制程的卡控良率标准的方法-CN202210164804.X在审
发明人：陈聪;张亦锋;朱思琴 -专利权人：上海利扬创芯片测试有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种每测试站单制程的卡控良率标准的方法，包括如下步骤：S100、前一测试站执行完晶圆测试后，获得前一测试站测得的制程良率；S200、当前测试站执行完晶圆测试后，获得当前测试站测得的制程良率；S300、根据所述前一测试站测得的制程良率、当前测试站测得的制程良率，对二者进行比对，通过比对相邻两站良率差异进行每测试站单制程的良率卡控。本发明可直接确定每测试站的单制程良率，针对每测试站的单制程进行卡控，有利于区分非当站别的良率异常。
一种测试站单制程卡控良率标准方法

[发明专利]去除深沟渠剑山的方法-CN02152651.6有效
发明人：倪志荣;江家興;刘岳良 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-11-28 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种去除深沟渠剑山的方法，是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山，其步骤包含：于该晶片正面覆上一光阻层；对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山；对该晶片进行一第一蚀刻制程，该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程，利用蚀刻液可由晶片背面回蚀到晶片正面的作用，去除该剑山；对该晶片进行一第二蚀刻制程，该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程，利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅(SiN)薄片；以及将该晶片正面的光阻层去除
去除深沟渠剑山方法

[发明专利]热制程控制方法以及热制程系统-CN200510087139.5有效
发明人：张永志;孙正一;郭俊一;叶辅焜;沈学琪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-07-27 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： G05B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种热制程控制方法以及热制程系统，所述热制程控制方法，首先提供一梯度系数矩阵及第一加热模型。依据该第一加热模型，于第一晶圆批次执行第一制程回合。继之，测量该第一晶圆批次中至少一晶圆的膜厚。利用该梯度系数矩阵及该膜厚测量值，执行一统计制程控制分析。并依据该统计制程控制分析的结果，修正该第一加热模型，以取得一第二加热模型。依据该第二加热模型，于第二晶圆批次执行第二制程回合。本发明解决了现有技术中的问题，并且可防止因为制程回合不连续执行而造成的错误。
程控方法以及热制程系统

[发明专利]统计制程管制系统及其处理方法-CN200610136645.3无效
发明人：何煜文;郑炜缙 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G05B19/02 文献下载
摘要：一种统计制程管制系统。当第一晶圆批量在第一晶圆厂中执行制程时，第一制造执行系统取得与该第一晶圆批量以及与该第一晶圆厂中的第一机台相关的第一制程信息。当第二晶圆批量在第二晶圆厂中执行制程时，该第二制造执行系统取得与该第二晶圆批量以及与该第二晶圆厂中的第二机台相关的第二制程信息。统计制程管制服务器同时管理与监控该第一制造执行系统与该第二制造执行系统，且自该第一制造执行系统与该第二制造执行系统取得该第一制程信息与该第二制程信息。
统计管制系统及其处理方法

[发明专利]一种制程设备的控制方法及装置-CN201911110083.9在审
发明人：闫立磊 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G01M11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制程设备的控制方法及装置，该方法包括：对每种制程设备在预设时长内制备的每个显示面板进行检测，当检测到所述显示面板存在缺陷时，确定所述缺陷所属的类别以及获取每种缺陷的数量，得到多个检测数据；根据所述多个检测数据获取每种制程设备制备的显示面板存在的各种缺陷的总数；根据各种缺陷的总数判断所述制程设备是否出现异常；若所述制程设备出现异常，则对所述制程设备进行异常处理。本发明的制程设备的控制方法及装置，能够提高产品良率。
一种设备控制方法装置