专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]单体电池-CN202320510112.6有效
  • 胡明江 - 欣旺达电动汽车电池有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-07-14 - H01M50/528
  • 本申请涉及电池技术领域,公开了一种单体电池,包括电芯、顶盖和连接片,电芯的一端伸出有极耳;顶盖包括导电端子;连接片包括基体和区,区的厚度小于基体的厚度;其中,导电端子与区焊接,极耳与基体焊接连接片通过区连接导电端子,通过基体连接极耳,基体的厚度不影响区与导电端子的焊接,因而区的结构及厚度可根据焊接需求进行合理配置,基体的厚度根据过流需求进行合理配置,从而避免了连接片过流面积的增大影响连接片与导电端子之间的焊接良率并且,区实现了局部厚度的,可减少材料用量,有助于降低材料成本,并且能够减少重量,有助于提升单体电池的重量能量密度,实现高能量密度的单体电池。
  • 单体电池
  • [发明专利]单面系统和单面方法-CN202210436057.0在审
  • 贺云鹏;王贺 - 西安奕斯伟材料科技有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-07-05 - B24B37/10
  • 本公开涉及一种用于控制硅片的形貌的单面系统,其包括:第一加工台,其具有用于承载硅片的第一表面的第一承载面;第二加工台,其具有用于承载硅片的与第一表面相反的第二表面的第二承载面;贴附装置,其用于使第一表面贴附在第一承载面上以及使第二表面贴附在第二承载面上本公开还涉及一种用于控制硅片的形貌的单面方法。通过该系统和方法,可以有效且稳定地实现对硅片的形貌的控制。
  • 单面系统方法
  • [发明专利]玻璃设备及玻璃方法-CN201410066425.2有效
  • 张迅;阳威;欧阳小园;易伟华 - 江西沃格光电股份有限公司
  • 2014-02-26 - 2017-01-11 - C03C15/00
  • 本发明涉及一种玻璃设备和玻璃方法。玻璃设备包括箱体和设置于箱体中的喷淋装置,箱体中设有依次排列的第一淋洗槽、第一刻蚀槽、第二刻蚀槽、第三刻蚀槽、第二淋洗槽、第三淋洗槽、第四淋洗槽和干燥槽,喷淋装置包括分别位于第一淋洗槽、第一刻蚀槽、使用上述玻璃设备进行在不同的槽中进行喷淋洗涤和刻蚀的方法能够避免浸泡式法中的反应产物粘附于玻璃上的问题,并且依次经过第一刻蚀槽、第二刻蚀槽和第三刻蚀槽的三次刻蚀,避免浸泡式刻蚀不均匀的问题。
  • 玻璃设备方法
  • [发明专利]一种晶圆背面方法-CN202211030849.4在审
  • 张洁;刘子泽;刘东栋 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-08-26 - 2022-11-11 - H01L21/02
  • 本申请提供了一种晶圆背面方法,包括提供晶圆,在晶圆的边缘包括一与晶圆的110晶向垂直的平边,在晶圆的正面粘贴研磨保护膜,随后将晶圆固定在机台的晶圆支撑盘上,对晶圆的背面进行打磨,得到晶圆薄片,最后再去除晶圆薄片正面的研磨保护膜。通过将晶圆的平边设置在与晶圆的110晶向相垂直的方向上,以使晶圆在过程中,平边出现缺口时产生的微裂纹仅在沿平行于平边的方向扩展,而不会扩展至晶圆的中心,避免了在晶圆过程中产生裂片,提高了晶圆背面的良率
  • 一种背面方法
  • [发明专利]键合晶圆双面对准的方法-CN202011560302.6在审
  • 李盈 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2020-12-25 - 2022-07-01 - H01L21/68
  • 本发明公开了一种键合晶圆双面对准的方法。其包括提供键合晶圆,所述键合晶圆的第一面上包含有第一组标记;所述键合晶圆的第二面;以所述第一组标记为对准标记在所述第二面上制作第二组标记;所述第一面;以所述第二组标记为对准标记将后的所述键合晶圆和光罩对准本发明的键合晶圆双面对准的方法采用先减键合晶圆的一面,然后在的面上做对准标记,再键合晶圆的另一面的方式,实现键合晶圆的双面及和光罩的对准,避免了采用红外透射的方式对准而产生的对准精度不高和遇到有金属层情况红外线穿透能力不足的问题
  • 键合晶圆双面对准方法

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