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[发明专利]热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法-CN201710279850.3在审
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;杨文超;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用热压烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，消除了大部分晶界和界面非晶相，进而为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，并且共晶颗粒粒度分布在4～25μm且大于共晶层片间距，因此共晶颗粒有效保留了共晶结构，实现了高熔点、接近全致密、内部保留了接近全共晶结构尤其是具有较大尺寸的块体共晶复合陶瓷材料的制备
热压烧结氧化铝基共晶复合陶瓷材料方法

[发明专利]Adagrasib的固体形式及其制备方法-CN202110704066.9在审
发明人：蔡志刚;彭欢;张凤杰;张良 -专利权人：上海希迈医药科技有限公司;上海创诺医药集团有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种2‑[(2S)‑4‑[7‑(8‑氯‑1‑萘基)‑2‑[[(2R)‑1‑甲基吡咯烷‑2‑基]甲氧基]‑6,8‑二氢‑5H‑吡啶并[3,4‑d]嘧啶‑4‑基]‑1‑(2‑氟丙‑2‑烯酰基)哌嗪‑2‑基]乙腈(式I)的固体形式及其制备方法。所述的固体形式为式(I)化合物或其药学上可接受的盐的多晶型物或共晶，包括盐晶型或共晶XM‑1、盐晶型或共晶XM‑2、盐晶型或共晶XM‑3、盐晶型或共晶XM‑4或盐晶型或共晶XM‑5。
adagrasib 固体形式及其制备方法

[发明专利]放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法-CN201710279867.9有效
发明人：苏海军;任俊飞;张军;刘林;黄太文;郭敏;傅恒志 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：一种放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料的方法，利用激光悬浮区熔定向凝固技术制备了组织细小均匀的棒状共晶试样；通过粉碎过筛获得内部包含有共晶结构的共晶粉末；采用放电等离子烧结制备内部保留有共晶结构的氧化铝基共晶陶瓷复合材料本发明制备的烧结共晶复合材料保留了初始共晶试样当中的共晶结构，并且消除了大部分晶界和界面非晶相，为大尺寸氧化铝基共晶陶瓷复合材料的制备提供了一种新思路。本发明得到的组织呈典型的“象形文字”共晶形貌，共晶颗粒粒度分布在4～12μm且大于共晶层片间距，颗粒内部能有效保留初始共晶试样当中的共晶结构。由于烧结时间短，有效抑制烧结过程中的组织长大，有利于获得均匀细小组织的共晶陶瓷。
放电等离子烧结氧化铝基共晶陶瓷复合材料方法

[发明专利]铝基共晶电解液及其制备方法和二次铝离子电池-CN202211054329.7在审
发明人：付超鹏;蒙鹏宇;张佼 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01M10/0563 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝基共晶电解液及其制备方法和二次铝离子电池，具体涉及电化学储能技术领域。该铝基共晶电解液，包括铝盐、氢键配体和稀释剂；粘度低于40mPa/s。本发明提供的铝基共晶电解液，铝盐和氢键配体混合形成共晶溶剂，提高了电池的电导率。稀释剂的加入降低了共晶溶剂的粘度，提高铝基共晶电解液的流动性，提高离子传导速度；粘度降低也提高了共晶溶剂对隔膜的浸润性，降低离子传输路径，有利于铝离子在正负极之间的移动，降低铝离子电池的界面电阻。本发明提供的铝基共晶电解液，不易与常用金属发生反应，腐蚀性很小，保证了电池的使用寿命和安全。
铝基共晶电解液及其制备方法二次离子电池

[发明专利]颗粒表面有稳定金属晶格的锡基共晶合金粉末制备方法-CN202111036528.0在审
发明人：王思远;刘硕;徐朴 -专利权人：深圳市福英达工业技术有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B22F9/10 文献下载
摘要：颗粒表面有稳定金属晶格的锡基共晶合金粉末制备方法，包括步骤A：在锡基共晶合金熔液凝固成锡基共晶合金粉末过程中，控制凝固过程中的温度降低速度，使温度降低速度1℃/S；或包括退火步骤B：将锡基共晶合金粉末放置到合金熔点温度的0.6~0.9倍的温度氛围中0.5~72小时；该氛围中，真空脱氧或氧含量100ppm；或包括施加电场作用的步骤C：将锡基共晶合金粉末置于一直流电场中，电场电压1~36伏，时间1~48小时。采用外能量输入促进表面金属晶格快速迁移聚合，形成稳定的表面金属结构，减少两种金属之间的晶格界面裂隙；采用该类锡基共晶合金粉末制得的锡基共晶合金锡膏锡胶焊料的粘度稳定性好。
颗粒表面稳定金属晶格锡基共晶合金粉末制备方法

[发明专利]一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基二元共晶自生复合陶瓷的方法-CN201510890832.X有效
发明人：欧阳家虎;王志刚;王玉金;马永辉;刘占国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基二元共晶自生复合陶瓷的方法，涉及一种制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法。本发明是为了解决现有氧化铝基共晶自生复合陶瓷的制备方法难以制备大尺寸形状复杂共晶陶瓷、共晶陶瓷组织粗大各向异性以及生产效率低的技术问题。本发明应用于制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷。
制备复合陶瓷共晶脉冲放电等离子体氧化铝基熔凝氧化铝基二元共晶机械合金化尺寸形状冷压成型生产效率陶瓷组织预热处理陶瓷应用

[发明专利]一种高能氧乙炔火焰束流改性氧化铝基陶瓷大尺寸构件表面局部纳米共晶强韧化的方法-CN201711011639.X有效
发明人：欧阳家虎;王志刚;王玉金;刘占国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：一种高能氧乙炔火焰束流改性氧化铝基陶瓷大尺寸构件表面局部纳米共晶强韧化的方法，它涉及一种改性氧化铝基陶瓷大尺寸构件表面局部纳米共晶强韧化的方法。本发明是为了解决目前高熔点氧化铝基共晶陶瓷难以制备大尺寸构件的技术问题。本发明：一、氧化铝基共晶陶瓷粉体分步复合制备；二、脉冲放电等离子体烧结致密化；三、高能氧乙炔火焰束流表面纳米共晶强韧化处理。利用本发明方法在大尺寸氧化铝基复相陶瓷表面实现高能氧乙炔火焰束流局部纳米共晶强韧化，获得微观组织尺度在5nm‑100nm、厚度在100μm～2000μm内调控的纳米共晶强韧化层，本复合技术达到兼顾共晶陶瓷高温特性和大尺寸复相陶瓷成型性能的目的
一种高能乙炔火焰改性氧化铝陶瓷尺寸构件表面局部纳米强韧方法

[发明专利]一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基三元共晶自生复合陶瓷的方法-CN201510890849.5有效
发明人：欧阳家虎;王志刚;王玉金;马永辉;刘占国 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基三元共晶自生复合陶瓷的方法，涉及一种制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法。本发明是为了解决现有氧化铝基共晶自生复合陶瓷的制备方法难以制备大尺寸复杂形状共晶陶瓷、共晶陶瓷组织粗大各向异性以及生产效率低的技术问题。本发明应用于制备大尺寸复杂形状氧化铝基三元共晶自生复合陶瓷。
一种脉冲放电等离子体辅助处理制备氧化铝三元自生复合陶瓷方法

[发明专利]一种具有上转换发光可调的9-乙酰基蒽共晶材料及其制备方法-CN201510648804.7有效
发明人：闫东鹏;李树珍;宋明 -专利权人：闫东鹏;李树珍;宋明
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了属于固态发光材料领域的一种具有上转换发光可调的9-乙酰基蒽共晶材料及其制备方法。通过选取含卤素，羧酸，羟基和氰基取代的萘基或苯基化合物作为共晶单元，采用机械研磨法，与9-乙酰基蒽以卤素键、氢键、π-π作用力、电荷转移作用力形成新的共晶化合物。该系列共晶产物具有上转换发射特性，同时，不同共晶材料的上转换发光颜色和强度可调。其中，与氰基苯形成的共晶材料的发光寿命及量子产率较单纯的-乙酰基蒽具有数倍提高。
一种具有转换发光可调乙酰基蒽共晶材料及其制备方法

[发明专利]2‑(5‑溴‑4‑(4‑环丙基萘‑1‑基)‑4H‑1，2，4‑三唑‑3‑基硫基)乙酸的共晶及其制备方法-CN201410783346.3有效
发明人：陈敏华;张炎锋;杨朝惠;张晓宇;王鹏;李丕旭 -专利权人：苏州晶云药物科技有限公司;苏州鹏旭医药科技有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： C07D249/12 文献下载
摘要：本发明涉及化合物2‑(5‑溴‑4‑(4‑环丙基萘‑1‑基)‑4H‑1，2，4‑三唑‑3‑基硫基)乙酸的两种共晶型，分别涉及2‑(5‑溴‑4‑(4‑环丙基萘‑1‑基)‑4H‑1，2，4‑三唑‑3‑基硫基)乙酸‑脯氨酸的共晶型A和2‑(5‑溴‑4‑(4‑环丙基萘‑1‑基)‑4H‑1，2，4‑三唑‑3‑基硫基)乙酸‑乙醇酸的共晶型B。本发明的药物共晶，理化性质稳定，能长期稳定贮存，并且制备方法简单，重复性好，具有极强的现实应用价值。
丙基基硫基乙酸及其制备方法

[发明专利]一种同时制备高纯硅化物和共晶硅基材料的方法-CN201910664196.7在审
发明人：雷云;王超;马文会;邱鹏;秦博;李绍元;魏奎先 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G06F16/23 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时制备高纯硅化物和共晶硅基材料的方法，属于材料制备技术领域。将硅物料与金属物料混合后得到混合物料，利用定向凝固炉的加热器将混合物料加热至熔融状态形成硅基熔体；将硅基熔体进行定向凝固分离和提纯，定向凝固分离结束后，硅基合金根据相图析晶顺序依次被分离成金属硅化合物、高纯共晶硅基合金和杂质富集区；机械切割得到高纯金属硅化物材料和高纯共晶硅基合金材料。本发明可达到同时制备金属硅化物和共晶硅基合金材料的目的。
共晶硅高纯基合金制备定向凝固混合物料硅化物基材料硅基熔体材料制备技术金属硅化合物加热器定向凝固炉硅化物材料金属硅化物高纯金属硅基合金机械切割金属物料熔融状态杂质富集硅物料提纯析晶加热

[发明专利]一种硅基倒装LED芯片及其制作方法-CN201811406150.7在审
发明人：张秀敏;黄慧诗;华斌;闫晓密;王书宇;郑宝玉 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种硅基倒装LED芯片，其中，所述硅基倒装LED芯片包括：硅基衬底、发光外延层、共晶键合层和电极，所述电极通过所述共晶键合层与所述硅基衬底连接，所述发光外延层设置在所述电极背离所述共晶键合层的一侧，所述硅基衬底上设置有硅通孔，所述硅通孔内填充有通孔金属，所述通孔金属与所述共晶键合层连接，所述硅基衬底与所述共晶键合层之间设置第一石墨烯层，所述发光外延层能够发出光线。本发明还公开了一种硅基倒装LED芯片的制作方法。本发明提供的硅基倒装LED芯片能够有效增强芯片的散热性能。
倒装LED芯片共晶键合硅基硅基衬发光外延层电极硅通孔通孔芯片制作技术金属散热性能石墨烯层填充制作背离芯片

[发明专利]一种低熔点的镓基共晶液态合金及其制备方法-CN202211145355.0有效
发明人：冯士东;马永瑞;王利民;刘日平 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C22C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低熔点的镓基共晶液态合金及其制备方法。该镓基共晶液态合金，以原子分数计，包括以下组分：(100‑m)％(Ga74.2In13.9Sn7.1Zn4.8)+m％X；其中，X选自①Cd；②Cd和Mg；中的任意一种；m＝1～10；该镓基共晶液态合金的熔点为6.3～6.9℃。本发明在母体合金的基础上结合共晶相图选取添加元素并确认元素的含量以降低镓基液态合金的熔点，在经典三元共晶合金Ga77.2In14.4Sn7.1Zn4.8(at％)，并进一步得到五元共晶合金和六元共晶合金。
一种熔点镓基共晶液态合金及其制备方法

[发明专利](1R,3S)-3-(5-氰基-4-苯基-1,3-噻唑-2-基氨基甲酰基)环戊烷羧酸的共晶-CN202180021708.3在审
发明人： J·C·帕洛米诺拉里亚;J·卡马乔戈麦斯 -专利权人：帕罗生物制药有限公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C07D277/56 文献下载
摘要：本发明涉及(1R,3S)‑3‑(5‑氰基‑4‑苯基‑1,3‑噻唑‑2‑基氨基甲酰基)环戊烷羧酸的共晶、获得所述共晶的方法、包含所述共晶的组合产品和药物组合物及其医学用途，特别是用于治疗或预防已知通过A<
氰基苯基噻唑氨基甲酰基戊烷羧酸

[发明专利]利用Au-12Ge共晶钎料钎焊非晶合金的方法-CN201310750916.4有效
发明人：寇宏超;李金山;王军;管恒;唐斌;胡锐;张铁邦;杨劼人;薛祥义 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： B23K1/08 文献下载
摘要：一种利用Au-12Ge共晶钎料钎焊非晶合金的方法，对待钎焊母材的连接表面处理，采用真空钎焊的方法，通过Au-12Ge共晶钎料实施所述非晶合金之间、所述非晶合金与黄铜和紫铜之间的钎焊。所述非晶合金为Zr基或Ti基非晶合金。本发明实现了同种Zr基非晶合金、同种Ti基非晶合金、Zr基非晶合金与Ti基非晶合金、Zr基非晶合金与紫铜以及Zr基非晶合金与黄铜之间的钎焊连接，钎焊接头无孔洞和缝隙存在，界面结合良好，同时非晶合金仍然保持非晶态
利用 au 12 ge 共晶钎料钎焊合金方法

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