专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种燃料电池膜电极催化的制备方法-CN202010613278.1有效
  • 高艳;汤浩;乔泽敏;殷聪;李凯 - 电子科技大学
  • 2020-06-30 - 2021-07-06 - H01M4/88
  • 本发明提供一种燃料电池膜电极催化的制备方法,燃料电池膜电极催化包括制备于基底两侧的阴极催化和阳极催化,阴极催化和阳极催化均为将催化浆料涂覆于基底表面,经干燥、催化后处理得到,阴极催化的催化浆料包括含有铁磁性元素的催化剂,并在阴极催化的催化后处理过程中施加磁场,使得含有铁磁性元素的催化剂在阴极催化中移动,实现阴极催化孔结构的原位调控,提高催化孔隙率,促进反应气体在催化中的传质;此外,磁场调节过程的可控参数多,工艺简单,不会造成催化的污染,并且在商业应用中只需在现有产线上多配置一个磁场调节装置即可实现,对现有工艺体系改动小,易于进行推广。
  • 一种燃料电池电极催化制备方法
  • [发明专利]一种三维存储器的制造方法-CN201811634603.1有效
  • 胡斌;肖莉红 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-12-29 - 2020-09-01 - H01L21/18
  • 上述三维存储器的制造方法,包括:提供第一晶圆,第一晶圆上形成有三维存储器的阵列;提供第二晶圆,第二晶圆上形成有三维存储器的外围器件;提供粘结,粘结中形成有互连阵列后段金属的第一互连;键合第一晶圆、第二晶圆和粘结以使粘结在三维存储器的高度方向上连接阵列和外围器件;其中粘结的第一粘结表面与阵列粘结,粘结的第二粘结表面与外围器件粘结,阵列与外围器件通过粘结电连接。
  • 一种三维存储器制造方法
  • [发明专利]一种大功率紫外LED的外延生长方法-CN202110163226.3有效
  • 王晓波 - 西安瑞芯光通信息科技有限公司
  • 2021-02-05 - 2022-02-08 - H01L33/00
  • 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域,具体为一种大功率紫外LED的外延生长方法,采用蓝宝石作为生长基底,进行异质外延生长,运用MOCVD技术来完成整个外延过程,在蓝宝石上生长一低温AlN,继续生长一高温AlN,接着生长一低温BAlN,再生长一高温BAlN,然后再生长几个周期BAlN/BAlGaN超晶格结构,继续生长一n型掺杂的AlGaN,接着生长一AlGaN/BAlN量子阱结构有源区,接着生长一p型BAlGaN,再生长一p型BAlN,继续生长一超薄的p型BN,生长一p型BAlN,继续生长一超薄的p型BN,有效提高了发光效率、降低了制备成本和难度,提高了成品率。
  • 一种大功率紫外led外延生长方法
  • [发明专利]发光元件的制作方法-CN201910870352.5有效
  • 何金原;吴宗典;刘竹育 - 友达光电股份有限公司
  • 2019-09-16 - 2021-02-26 - H01L33/00
  • 于生长基板上依序形成第一半导体、发光及第二半导体。形成牺牲于第二半导体上。于牺牲形成开口以暴露出第二半导体的一部分,其中开口的侧壁与第二半导体构成倾斜角,且倾斜角的角度范围位于45°至90°之间。形成第一键结且其凸部重叠开口。提供承载基板。形成第二键结并接合第二键结及第一键结。形成第一图案化半导体以及第二图案化半导体。移除牺牲以露出凸部及接触凸部的第一绝缘的部分形成的接合部。接合部接触第二图案化半导体
  • 发光元件制作方法
  • [发明专利]倒装发光元件-CN201910809304.5有效
  • 熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;吴俊毅;王笃祥 - 天津三安光电有限公司
  • 2019-08-29 - 2021-04-16 - H01L33/44
  • 本发明公开一种倒装发光元件,其结构自下而上包含:透明衬底、透明键合、外延、绝缘保护、第一焊接电极、第二焊接电极,所述外延包含p型导电、量子阱、n型导电,其中p型导电与透明键合相接,接触面为粗化面,所述外延边缘被蚀刻,直至透明键合也被蚀刻减薄形成台阶,减薄后的透明键合表面至少低于所述粗化面的最低点,n型导电、量子阱的部分区域被蚀刻,直至露出p型导电,所述绝缘保护覆盖上述结构,第一焊接电极、第二焊接电极通过绝缘保护通孔分别与p型导电、n型导电接触。
  • 倒装发光元件
  • [发明专利]防眩光学膜及其生产方法-CN201910972557.4有效
  • 邵峥 - 宁波盈瑞聚合科技有限公司
  • 2019-10-14 - 2021-08-17 - G02B1/14
  • 本发明公开了一种防眩光学膜及其生产方法,防眩光学膜包括基板以及在基板表面由内向外依次分布的隔离层、防眩光膜、减反射膜、化学加硬膜和物理加硬膜;隔离层为二氧化硅膜;防眩光膜为氧化锌膜,其表面为凹凸不平面;减反射膜为多层减反射膜;化学加硬膜为以乙烯基三乙氧基硅烷和3‑硫醇基丙基三乙氧基硅烷为单体的UV固化膜;物理加硬膜为金刚石膜。减反射膜外具有两保护,化学加硬膜和物理加硬膜用于提高光学膜表面的硬度,防眩光膜可将光线均匀分散,达到防眩的效果。
  • 眩光及其生产方法
  • [发明专利]阵列基板、显示面板、及电性测试方法-CN201911342489.X有效
  • 安喜锋;潘鹏鹏 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2019-12-23 - 2021-05-07 - G09G3/00
  • 一种阵列基板、显示面板、及电性测试方法,所述阵列基板包括:基板,包括显示区及电性测试区;薄膜晶体管,设于所述基板上,所述薄膜晶体管包括设于所述电性测试区的测试薄膜晶体管,其中,所述测试薄膜晶体管包括有源、栅极、及电极,所述有源的一端与所述电极的第一电极相连,所述有源的另一端悬空设置;平坦化,设于所述薄膜晶体管的电极上,其中,所述平坦化对应所述电极的第一电极处设有第一过孔;公共电极,设在所述平坦化远离所述电极的一侧,所述公共电极通过所述第一过孔与所述电极的第一电极连接。
  • 阵列显示面板测试方法
  • [发明专利]显示面板及显示面板的制备方法-CN201911303413.6有效
  • 谭伟 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-12-17 - 2020-12-25 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种显示面板及显示面板的制备方法,所述显示面板包括:基板;像素定义,设置在所述基板上,所述像素定义包括间隔设置的辅助电极和像素电极;电子传输,设置在所述像素定义上;阴极设置在所述电子传输上;有机,设置在所述阴极上;OLED发光,设置在所述像素电极上;绝缘柱,设置于所述辅助电极上,及金属,设置于所述绝缘柱的第一侧;其中,所述阴极通过所述金属与所述辅助电极电性连接。本发明通过使所述阴极通过所述金属与所述辅助电极电性连接,从而通过降低了所述阴极的电阻,来实现降低了显示面板的电源电压降,进而改善了所述显示面板亮度均一性,提高了生产效率和产品良率。
  • 显示面板制备方法
  • [发明专利]玻璃制造方法、显示玻璃制造方法、显示玻璃及显示幕墙-CN202010005364.4有效
  • 张鹏 - 张鹏
  • 2020-01-03 - 2021-02-23 - B32B17/10
  • 本发明公开了玻璃制造方法、显示玻璃制造方法、显示玻璃及显示幕墙,玻璃包括透明材料以及玻璃,方法包括如下步骤:向透明材料和玻璃之间放置填充棒和粘胶;进行夹胶工艺以将透明材料和玻璃粘合,并形成粘结;将若干填充棒自所述透明材料和所述玻璃之间取出,并形成若干通孔。粘结层位于透明材料和玻璃之间,通过粘结将透明材料和玻璃粘接在一起,待夹胶工艺完成后,将填充棒自所述透明材料和所述玻璃之间取出,在粘结上形成通孔,本实施例的通孔内可直接安装灯带或其它发光发亮的产品
  • 玻璃制造方法显示幕墙
  • [发明专利]铁电记忆体及其制造方法-CN201811489789.6有效
  • 王志耀;李亨元;叶伯淳;林雨德;徐建华 - 财团法人工业技术研究院
  • 2018-12-06 - 2022-02-25 - H01L27/11507
  • 铁电记忆体包括有一基板,并于该基板上形成一或多个沟槽,该沟槽的表面上设置有一第一导电与一第二导电及位于该第一导电与该第二导电间的一铁电薄膜,该第二导电上堆叠有一第一填充材料、一第二填充材料及一第三填充材料,该第二填充材料的热膨胀系数大于第一填充材料与第三填充材料的热膨胀系数;及该铁电薄膜经过热处理形成结晶态时,利用该第一填充材料、该第二填充材料及该第三填充材料遇热处理膨胀特性而对铁电薄膜施加一压缩应力
  • 记忆体及其制造方法
  • [发明专利]一种聚酰胺复合膜及其制备方法-CN202110739882.3有效
  • 彭博;彭军;贺妍博 - 湖南澳维新材料技术有限公司
  • 2021-07-01 - 2022-01-04 - B01D71/56
  • 本发明提供了一种聚酰胺复合膜及其制备方法,所述聚酰胺复合膜包括支撑、改性和聚酰胺;所述改性生长在支撑上;所述聚酰胺生长在改性上;所述聚酰胺采用的原料组分包括多元胺、多元酰氯和空心聚多巴胺微球;所述空心聚多巴胺微球的直径为50‑200nm;所述改性用于调控聚酰胺的厚度和交联度。所述制备方法包括步骤1、制备支撑;步骤2、在所述支撑上生长改性,得到复合;步骤3、在所述复合的改性上生长聚酰胺,得到聚酰胺复合膜。
  • 一种聚酰胺复合及其制备方法

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