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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种抗辐射增强型倒装类封装结构-CN202111554598.5在审
发明人：孟德喜;章国涛;刘书利;王刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/556 文献下载
摘要：本发明公开一种抗辐射增强型倒装类封装结构，属于集成电路封装领域。抗辐射增强型倒装类陶瓷封装结构包括陶瓷管壳、倒装类芯片、盖板和抗辐射增强型涂层；倒装类芯片置于所述陶瓷管壳的内部；盖板通过合金熔封工艺与所述陶瓷管壳组装互联；抗辐射增强型涂层置于所述倒装类芯片的上表面或所述盖板的内表面抗辐射增强型倒装类塑料封装结构包括塑料基板、倒装类芯片、塑封料和抗辐射增强型涂层；倒装类芯片置于所述塑料基板的顶部；塑封料包封所述塑料基板和所述倒装类芯片；抗辐射增强型涂层置于所述倒装类芯片的顶表面或所述塑封料的顶表面
一种辐射增强倒装封装结构

[实用新型]一种倒装芯片支架-CN201620652576.0有效
发明人：黄琦 -专利权人：共青城超群科技股份有限公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种倒装芯片支架，包括倒装芯片和基板固晶区，倒装芯片下端左侧为N型电极，倒装芯片下端右侧设有P型电极，基板固晶区上端设有中间层，中间层对应N型电极和P型电极处设有锡膏柱，倒装芯片两侧设有固定架，倒装芯片上端设有散热片，基板固晶区两端设有外部电连接件。本实用新型，保证了倒装芯片焊接时的水平性，提高了倒装芯片的可靠性，同时也有利于倒装芯片的大规模生产。
一种倒装芯片支架

[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件-CN201110204420.8有效
发明人：高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件。本发明提供一种倒装芯片型半导体背面用膜，其形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，该倒装芯片型半导体背面用膜包含基于倒装芯片型半导体背面用膜的总量在70重量％-95重量％范围内的无机填料。
倒装芯片半导体背面切割集成半导体器件生产方法

[发明专利]倒装芯片型半导体装置的制造方法-CN201380005859.5在审
发明人：志贺豪士;浅井文辉;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其为工序简化的制造方法。一种倒装芯片型半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记，其中，前述工序C的倒装芯片型半导体背面用薄膜是未固化的。
倒装芯片半导体装置制造方法

[发明专利]半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和半导体器件-CN201110217098.2有效
发明人：河本裕介;高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm
半导体背面切割集成用于生产半导体器件方法

[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用条状膜的生产方法和倒装芯片型半导体器件-CN201110212301.7有效
发明人：志贺豪士;高本尚英;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述倒装芯片型半导体背面用膜具有在1到8×103(％/GPa)的范围内的比率A/B，其中A是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的伸长率(％)，和B是倒装芯片型半导体背面用膜在热固化前在23℃下的拉伸贮能模量(GPa)。
倒装芯片半导体背面条状生产方法半导体器件

[实用新型]一种轮毂倒装低弯矩高性能联轴器-CN202121910964.1有效
发明人：张华 -专利权人：浙江海能传动机械股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： F16D1/033 文献下载
摘要：一种轮毂倒装低弯矩高性能联轴器，涉及联轴器领域，包括倒装型轮毂、叠片组件、转接盘、中间节，所述倒装型轮毂和所述转接盘通过所述叠片组件连接，所述倒装型轮毂套入转接盘内，所述中间节通过螺母和螺栓与所述转接盘连接，将两端的轮毂法兰倒装，缩短了重心的位置，使联轴器作用在转子上的附加弯矩变小，提高轴承寿命，提高联轴器的转速，同时轮毂倒装可以防止叠片组螺栓断裂时中间体不会飞出去。
一种轮毂倒装弯矩性能联轴器

[实用新型]一种LED器件和车灯-CN202220616084.1有效
发明人：王国君;杜元宝;张耀华;张庆豪;陈复生 -专利权人：宁波升谱光电股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED器件，包括基板；与基板电连接的多个倒装LED芯片；设于倒装LED芯片周围的白墙，白墙与倒装LED芯片的上表面齐平；设于白墙和倒装LED芯片上表面的荧光胶体，荧光胶体具有预设规则形状本申请倒装LED芯片四周设有白墙，且荧光胶体位于白墙和倒装LED芯片上表面，倒装LED芯片之间的间距可以缩小，改善光型，并且白墙和倒装LED芯片上方设有具有预设规则形状的荧光胶体，荧光胶体边界平整，进一步改善光型，从而使得LED器件具有良好的光型；由于倒装LED芯片周围设有白墙，光只能从正面射出，四周不会出光，使得LED器件的照度增加。
一种 led 器件车灯

[实用新型]一种贴片式白光LED封装体-CN201620009397.5有效
发明人：黄兆武 -专利权人：厦门光莆电子股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种贴片式白光LED封装体，包括：LED支架、倒装型蓝光LED芯片、固晶胶、黄色荧光胶片、封装胶，在LED支架的支架杯的杯壁设有反射层，倒装型蓝光LED芯片通过固晶胶固定在LED支架上，黄色荧光胶片为一凹槽外形，该凹槽的槽体与倒装型蓝光LED芯片的外形相匹配，黄色荧光胶片贴覆在倒装型蓝光LED芯片的出光面，其凹槽的槽底与槽壁分别覆盖该倒装型蓝光LED芯片的出光表面与侧面，封装胶覆盖在该倒装型蓝光LED芯片与黄色荧光胶片上
一种贴片式白光 led 封装

[实用新型]一种具有图案片的新型LED灯珠-CN202021725830.8有效
发明人：樊韩杰 -专利权人：樊韩杰
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种具有图案片的新型LED灯珠，包括：基板、LED倒装芯片和图案片，所述LED倒装芯片设置于基板上，所述图案片覆于LED倒装芯片的衬底上，所述图案片设置有镂空的图案；所述LED倒装芯片包括：设置于基板的两侧的正电极和负电极；正电极上方设置有P型导电区，负电极上方设置有N型导电区，在正电极上方，P型导电区与N型导电区之间形成PN结，所述PN结为发光区；N型导电区覆盖有衬底；或者在负电极上方，P型导电区与N型导电区之间形成PN结，所述PN结为发光区；P型导电区上部覆盖有衬底。本申请采用倒装芯片，在倒装芯片的发光面覆盖一个图案片，出光区呈现图案的形状，可减少LED灯珠的体积，实现微型化。
一种具有图案新型 led 灯珠

[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件-CN201180030498.0有效
发明人：高本尚英;志贺豪士 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-04-18 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量为该膜热固化前总体积的2体积%至30体积%。因为公开的倒装芯片型半导体背面用膜要形成于已倒装芯片连接至物体的半导体元件的背面上，因此该膜用于保护半导体元件。另外，因为倒装芯片型半导体背面用膜由于热固化而引起的收缩量大于或等于该膜热固化前的总体积的2体积%，因此该膜在将半导体元件倒装芯片连接至物体时能够有效地抑制或防止半导体元件翘曲。
倒装芯片半导体背面切割集成半导体器件生产方法

[发明专利]半导体背面用切割带集成膜-CN201510977766.X有效
发明人：高本尚英;志贺豪士;浅井文辉;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述倒装芯片型半导体背面用膜用于保护倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件的背面，所述切割带为在基材上至少设置了粘合剂层的构造，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述粘合剂层上，其中所述粘合剂层为放射线固化型粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的粘合力通过用放射线照射而降低，相对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的所述粘合剂层的粘合力为0.02N/20mm～10N/20mm，形成所述粘合剂层的放射线固化型粘合剂为丙烯酸类粘合剂，所述倒装芯片型半导体背面用膜添加了颜料或染料。
半导体背面切割集成

[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜及其用途-CN201510557774.9有效
发明人：高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜为卷绕成卷形物的形式。
倒装芯片半导体背面及其用途

[发明专利]倒装LED芯片焊接保护结构-CN201310149904.6无效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人：东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及倒装LED芯片，具体涉及其焊接保护结构。本发明的目的是防止倒装LED芯片倒装固晶焊接时P、N之间直接短路或漏电，为此给出倒装LED芯片焊接保护结构，芯片的第一侧壁既有P型层又有N型层，其特征是，第一侧壁被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面。芯片倒装固晶焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有钝化层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型层和N型层就不会短路或漏电了。
倒装 led 芯片焊接保护结构

[实用新型]倒装LED芯片焊接保护结构-CN201320219366.9有效
发明人：王维昀;周爱新;毛明华;李永德;马涤非;吴煊梁 -专利权人：东莞市福地电子材料有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及倒装LED芯片，具体涉及其焊接保护结构。本实用新型创造的目的是防止倒装LED芯片倒装固晶焊接时P、N之间直接短路或漏电，为此给出倒装LED芯片焊接保护结构，芯片的第一侧壁既有P型层又有N型层，其特征是，第一侧壁被绝缘的钝化层从芯片底面覆盖至衬底底面芯片倒装固晶焊接时，即使焊料外溢上爬，也由于有钝化层在芯片的侧壁进行绝缘保护，该侧的P型层和N型层就不会短路或漏电了。
倒装 led 芯片焊接保护结构

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