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[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202010299869.6有效
发明人：福井章洋;杉村敏正;大西谦司;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法-CN201810726671.4有效
发明人：靍泽俊浩;小坂尚史;三木香;木村雄大;高本尚英;大西谦司;杉村敏正;赤泽光治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[实用新型]复合型密封组件-CN202222526080.7有效
发明人： 杉村敏正;佐藤敬介 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本实用新型提供一种复合型密封组件。所述复合型密封组件包括从上到下层叠的垫圈材料和过程材料，所述垫圈材料至少包括层叠的离型层和粘着层，所述过程材料至少包括基材层，俯视所述复合型密封组件时，所述过程材料的横截面积大于或等于所述垫圈材料的横截面积。本实用新型的复合型密封组件能够减少传统的密封组件存在的由运输、加工精度、设备污染、异物等导致的成品率降低等问题，并且该复合型密封组件的粘结力不会随着时间的推移而显著下降，从而确保其的密封性能以及电池的效率和寿命不受影响。
复合型密封组件

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202210403242.X在审
发明人：角野雅俊;杉村敏正;福井章洋;木村雄大;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及以使前述粘合剂层的一部分露出的状态层叠在前述粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述芯片接合层包含芳香族化合物，使通过将针对前述粘合剂层的露出部分、以及前述粘合剂层的与前述芯片接合层的层叠部分实施FT‑IR分析而得到的多个参数加以组合而导出的参数满足规定的数值范围。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202210404186.1在审
发明人： 杉村敏正;角野雅俊;福井章洋;中浦宏;吉田直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述粘合剂层包含丙烯酸系聚合物，前述丙烯酸系聚合物包含15摩尔％以上的、具有碳数9以上的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元，温度‑15℃下的前述粘合剂层的剪切储能模量为10MPa以下，使用FOX式算出的前述丙烯酸系聚合物的玻璃化转变温度为‑47℃以上且5℃以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法-CN202210534957.9在审
发明人：福井章洋;杉村敏正;角野雅俊;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。
粘合切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN202210534982.7在审
发明人：福井章洋;杉村敏正;角野雅俊;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。该切割芯片接合薄膜具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；及重叠于该切割带的芯片接合片，该粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，该丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，该丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳‑碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于该(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份包含该含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳‑碳双键。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜-CN202111420045.0在审
发明人：中浦宏;宍户雄一郎;杉村敏正;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C08L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的半导体晶圆搭载用基材在‑15℃下的断裂伸长率为300％以上、并且在‑15℃下的断裂强度为20N以上。
半导体搭载基材切割芯片接合薄膜

[发明专利]层叠薄膜以及半导体装置的制造方法-CN202111355278.7在审
发明人：木村雄大;吉田直子;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及层叠薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明的层叠薄膜层叠有间隔用粘接薄膜和切割带，所述间隔用粘接薄膜层叠有间隔层和粘接剂层，前述间隔层由树脂薄膜构成，该间隔层在温度260℃下的拉伸储能模量为100MPa以上。
层叠薄膜以及半导体装置制造方法

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111339140.8在审
发明人：吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：层叠片，其具有用于粘接于被粘物的粘接层和重叠于该粘接层的间隔层；以及切割带，其与前述层叠片的前述粘接层重叠且用于保持前述层叠片，前述层叠片在室温下的弯曲刚度为0.05N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜-CN202111331477.4在审
发明人：吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。
间隔切割薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810482239.5有效
发明人：大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]芯片接合片及切割芯片接合薄膜-CN202011494006.0在审
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;中浦宏;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：提供芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供相对于聚酰亚胺树脂面的剥离力为0.1N/50mm以上的芯片接合片。另外，提供一种切割芯片接合薄膜，其具备：所述芯片接合片、和贴合于该芯片接合片的切割带。
芯片接合切割薄膜

[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜-CN202010563428.2在审
发明人：宍户雄一郎;杉村敏正;畠山义治;吉田直子;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种切割带和切割芯片接合薄膜。提供切割带等，其中，关于通过动态粘弹性测定而测得的储能模量E’与损耗模量E”之比(E”/E’)、即Tanδ，‑15℃下的Tanδ的值(A)相对于‑5℃下的Tanδ的值(B)的比(A/B)为0.75以上。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202010299872.8在审
发明人： 杉村敏正;福井章洋;大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供在冷扩展时及常温扩展时、以及之后在粘接剂层与粘合剂层之间不易发生浮起的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及粘接剂层，以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层，前述粘合剂层中，前述粘接剂层密合侧的表面的水接触角为110°以下、算术平均表面粗糙度Ra为1.0μm以下。
切割芯片接合薄膜

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