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[发明专利]门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块-CN201711322063.9在审
发明人：杨贺雅;罗浩泽;梅烨 -专利权人：臻驱科技（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。
电势区域辅助电势功率半导体模块功率开关杂散功率半导体芯片衬底门极均衡控制回路电连接并联芯片

[发明专利]门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块-CN201710696390.4在审
发明人：杨贺雅;罗浩泽;梅烨 -专利权人：杭州浙阳电气有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。
门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块

[实用新型]一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块-CN201721723460.2有效
发明人：杨贺雅;罗浩泽;梅烨 -专利权人：臻驱科技（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：包括四个功率电势区域和三个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连接到相邻的功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间和第三、第四功率电势区域之间设有第二辅助电势区域，沿第二方向上第一辅助电势区域和第一或者第三功率电势区域之间设有第一辅助电势区域，在第二、第一功率电势区域之间以及第三、第一功率电势区域之间设有第三辅助电势区域，第二、第三辅助电势区域之间电连接。
电势区域辅助电势功率半导体模块功率开关杂散功率半导体芯片本实用新型衬底门极均衡控制回路电连接并联芯片

[发明专利]等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法-CN201510095037.1有效
发明人：左涛涛;倪图强;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体刻蚀设备、聚焦环及其制作方法，本发明在聚焦环的环状主体内部设置一电阻率较小的内置环，整体上降低了聚焦环的电阻率，使得基座在聚焦环上表面耦合的射频功率增强，故集中在基片边缘及侧面的电势强度相对变弱，使得基片上表面边缘及侧壁的电势场与基片中心区域的电势场均衡，调节了基片表面电场分布的均匀性。采用本发明的技术方案可以大大降低研发制作低电阻率聚焦环的成本和周期，同时设置内置环的形状不同可以调节基片上方不同的电场分布。
等离子体刻蚀设备聚焦及其制作方法

[实用新型]一种便携式多通道温度测试装置控制系统-CN201822053104.5有效
发明人：李忠文;童棣;付莉;王航;袁超;傅琳晖 -专利权人：江西洪都航空工业集团有限责任公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种便携式多通道温度测试装置控制系统，主要包括通道设定与控制模块、多通道热电阻热电势信号采集或输出模块、多通道热电偶热电势信号采集或输出模块和热电偶热电势信号发生器模块。采用上述控制系统的多通道温度测试装置，可以提高多通道温度测试效率，从而提供了一种便携式多通道温度测试装置控制系统，使得温度测试装置满足体积小、功耗低、结构简单、使用效率高的要求，提高温度仪表检测效率及节省相关温场测试设备购置费用
多通道温度测试装置控制系统热电势信号输出模块热电偶采集本实用新型发生器模块测试设备控制模块使用效率通道设定温度测试温度仪表热电阻体积小功耗温场检测

[发明专利]充电方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202111354844.2在审
发明人：谢红斌 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：该方法包括：在对电池充电过程中，获取电池参数，根据电池参数和负极电势之间的对应关系，确定电池的当前负极电势，在当前负极电势小于电势阈值时，减小电池的充电电流；在当前负极电势大于电势阈值时，增大电池的充电电流，使得电池的负极电势在电势阈值对应的范围内。本申请通过电池参数和负极电势之间的对应关系，实时获取电池的负极电势，实现了闭环的负极电势实时预测，根据获取到的当前负极电势和电势阈值的大小，对电池的充电电流进行有效控制，实现了闭环的充电电流的动态调整，
充电方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN201710986571.0有效
发明人：陈世杰;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括：半导体衬底；缓冲层，形成于半导体衬底上；电势调节叠层结构，形成于缓冲层上，用于调节半导体衬底表面的电势，电势调节叠层结构包括形成于缓冲层上的第一电势调节层及形成于第一电势调节层上的第二电势调节层，其中，第一电势调节层包括高介电常数材料层，第二电势调节层包括导电材料层或高介电常数材料层。本发明通过在缓冲层上形成包括第一电势调节层及第二电势调节层的电势调节叠层结构，可以实现电势调节叠层结构与半导体衬底之间更大的功函数差，从而改变半导体衬底表面的电势，降低半导体衬底表面暗电流的发生，从而进一步抑制暗电流
半导体器件及其制备方法

[发明专利]用于在压电执行器单元上检测电势差的方法以及用于实施该方法的电路装置-CN200880009935.9无效
发明人： S·富赫斯;M·格拉夫 -专利权人：罗伯特.博世有限公司
申请日： 2008-03-12 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于通过一个待检测的电势差(200)来检测时间上变化的幅度的一种电路装置(100)。其提供了一个第一电势差检测装置(101)和一个第二电势差检测装置(102)，该第一电势差检测装置用于检测至少一个电势差(200)并用于输出一个第一电势差信号(201)，该第二电势差检测装置用于检测至少一个电势差(200)并用于输出一个第二电势差信号(202)。该第一电势差检测装置(101)具有比该第二电势差检测装置(102)更高的时间分辨率，而该第二电势差检测装置(102)具有比该第一电势差检测装置(101)更高的幅度分辨率。
用于压电执行单元检测电势差方法以及实施电路装置

[发明专利]温度检测电路和温度检测方法-CN202010036899.8在审
发明人：冯雪;傅棋琪 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度检测电路和温度检测方法，其中，温度检测电路包括：热电偶；模数转换器，用于将热电偶的热端输出的模拟热端热电势信号转换为数字热端热电势信号；热敏电阻，用于感知热电偶的冷端温度；控制器，用于根据热电偶的冷端温度得到冷端热电势，根据数字热端热电势信号得到热端热电势，根据热端热电势和冷端热电势计算得到目标热电势，根据目标热电势得到热电偶的热端温度。该电路采用逆测温算法，根据热电偶的热端热电势和冷端热电势实现热端热电势补正，进而得到热电偶的热端温度，灵活性好，精度高，且应用范围广。
温度检测电路方法

[发明专利]测量电源的参数的设备-CN200780024899.9有效
发明人：约瑟夫·博森杰克;阿兰·蒂蒙 -专利权人：法雷奥电子及系统联合公司
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：该链路(12)包括第一部件(14)，用于获取由电源电势(VA)与高于该供电电势(VA)的电势(VB)之间的差所定义的电压提供的第一参数。该第一参数是在连接到供电电势(VA)的电路中(20)流动的电流的强度(I)。该链路(12)包括第二部件(24)，用于获取由连接到所述供电电势(VA)的分压桥(28)提供的第二参数。具体而言，所述第二获取部件(24)由地电势(VM)与中间电势(VC)之间的差所定义的电压来供电，所述地电势低于所述供电电势(VA)，所述中间电势(VC)在所述地电势(VM)与所述供电电势(VA)之间。
测量电源参数设备

[发明专利]一种玉米状电催化二氧化碳还原催化剂及其制备方法与应用-CN202210156671.1有效
发明人：杨世和;於俊;邱晨 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明制备获得的玉米状电催化二氧化碳还原催化剂，还原产物选择性好，主产物为甲酸，其中，当还原电势为‑1.0V和‑1.2V vs RHE时，甲酸的产率高达99%；催化剂抑制析氢能力强，还原电势在‑0.8~本发明催化剂稳定性好，在100mA/cm2还原电流的工作状态下，催化剂在稳定工作120h后仍能保持90%的甲酸产率；本发明还原电流大，对比普通氧化铟样品在相同过电势条件下，本发明催化剂电流得到显著提升；本发明催化反应所需起始过电位低，电势为‑0.2V vs RHE时即检测到甲酸的生成，此时甲酸产率为63.2%，在‑0.6V~‑2.0V vs RHE电势范围内，甲酸产率均高于
一种玉米电催化二氧化碳还原催化剂及其制备方法应用

[发明专利]隔离式III-N族半导体装置-CN202310745649.5在审
发明人：纳维恩·蒂皮尔内尼;萨米尔·彭德哈卡 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本描述的实例包含一种半导体装置，其具有：衬底(22)；低缺陷层(32)，其经形成在相对于所述衬底(22)的固定位置中；及势垒层(34)，其包含形成在所述低缺陷层(32)上的III‑N族半导体材料且在所述低缺陷层所述装置还具有：源极接触件(52)；漏极接触件(54)；及栅极接触件(56)，其用于接收电势，所述电势用于调整所述电子气体中及所述源极接触件与所述漏极接触件之间的导电路径。
隔离 iii 半导体装置

[发明专利]用于电驱动车辆的驱动单元-CN202180038736.6在审
发明人： M·维萨;A·郑 -专利权人： ZF腓特烈斯哈芬股份公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02K11/40 文献下载
摘要：此外，驱动单元(12)在轴(24)和逆变器模块(22)之间具有低阻抗的接地电连接，以便在轴(24)和逆变器模块(22)之间出现电势差时产生短路，其中，在轴(24)和相关联的壳体(18a)之间设有低阻抗的电势平衡装置在此规定，轴(24)是转子轴(24)或传动装置轴(36)，其中，轴承组件(50)具有轴向彼此间隔开的两个轴承(50a、50b)，并且其中，电势平衡装置(42)轴向地形成在两个轴承(50a、50b)之间。
用于驱动车辆单元

[发明专利]一种检测晶圆表面金属污染的装置及方法-CN202310015181.4在审
发明人：贾晓峰;陈献龙;庄琼阳;卢金德 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01Q60/40 文献下载
摘要：本发明提供一种检测晶圆表面金属污染的装置及方法，所述方法包括：在工艺前后测量待测晶圆与导电探针之间的接触电势差，得到接触电势差变化量，判断待测晶圆是否受到污染。本发明通过测量待测晶圆与导电探针之间的接触电势差在工艺前后的变化量判断晶圆表面是否受到金属污染，在对晶圆不产生损伤的情况下迅速简便地得到检测结果，成本低且检测限低，可用于对痕量金属污染的定性检测；同时利用多次测量同一晶圆的不同位置或多个晶圆相同位置的功函数
一种检测表面金属污染装置方法

[发明专利]一种基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构-CN201710149961.2有效
发明人：刘继芝;钱玲莉;刘志伟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于集成电路的静电放电保护领域，具体提供一种用于ESD保护的基于浮空阱触发的低触发电压SCR结构，用以进一步降低LVTSCR器件的触发电压。本发明通过内部结构设计，在器件内部引入一个浮空阱结构；该浮空阱结构等效成一个二极管的结构，其阳极与PMOS的多晶硅栅极相连，阴极与SCR的阳极相连；当ESD脉冲到来时，浮空阱的电势相对于SCR器件的阳极电势要低，当两者之间的电势差足够使PMOS开启；P沟道MOSFET开启后，触发SCR器件内部的寄生NPN晶体管开启，进而触发寄生PNP晶体管开启，最后SCR器件开启泄放ESD电流。
一种基于浮空阱触发电压 scr 结构

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