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[发明专利]显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子装置-CN200910009986.8有效
发明人：山本哲郎;内野胜秀 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：，在所述扫描线和所述信号线相互交叉的地方、在行和列中布置的多个像素，以及与所述扫描线平行布置的多条馈送线；所述驱动部分包括用于以水平时段的相位差、连续提供控制信号给所述扫描线的扫描器，用于提供具有信号电势的图像信号的选择器，所述信号电势在每个水平时段内在参考电势和信号电势之间转变，以及用于为所述馈送线共同提供电源电压的电源，所述电源电压在每个水平时段内在高电势和低电势之间转变。
显示装置用于驱动方法电子装置

[发明专利]测距装置和测距传感器的驱动方法-CN202080086233.1在审
发明人：岛田明洋;间瀬光人;平光纯 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01S17/36 文献下载
摘要：控制部，在第一期间，以第一溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷产生区域的电势低的方式，对第一溢出栅极电极施加电位，在第二期间，以第二溢出栅极电极正下方的区域的电势比电荷0产生区域的电势低的方式，对第二溢出栅极电极施加电位
测距装置传感器驱动方法

[发明专利]一种用于内离子源质谱仪的电子传输方法和装置-CN201110461708.3有效
发明人：俞建成;邓丰涛;闻路红;刘立鹏;李晓旭;吴先伟 -专利权人：聚光科技(杭州)股份有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：在电子源的一侧依次设置电极a、电极b，电极a、电极b上设有便于电子源产生的电子流通过的通孔，各个电极间相互隔离；电源分别为所述电子源、电极a、电极b供电；在分析阶段，所述电源为电极a施加方波电压信号，高电势V1∈[50V，250V]，低电势V3∈[-250V，-50V]；所述电源为电极b施加方波电压信号，高电势V2大于20V，低电势V4∈[-10V，10V]。
一种用于离子源质谱仪电子传输方法装置

[发明专利]旋转电机控制装置-CN201610024014.6有效
发明人：铃木崇志 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H02P29/028 文献下载
摘要：公开了一种旋转电机控制装置，该装置包括：在旋转电机(10)的每个绕组集(11，12)中的逆变器(21，22)，该逆变器具有与每个相对应的高电势侧开关元件和低电势侧开关元件(211至216，221至226该控制器具有：用于接通和关断高电势侧开关元件和低电势侧开关元件的控制信号的信号生成器(48)；干扰电压估计装置(62，71，72)，该干扰电压估计装置基于在发生短路故障时故障系统中流动的电流来计算正常系统中生成的干扰电压的干扰电压估计值
旋转电机控制装置

[发明专利]显示装置-CN201811494524.5有效
发明人：林京男;郑裕澔;金东瑛 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10K59/131 文献下载
摘要：由于高电势供给线路和低电势供给线路在由无机绝缘材料形成的保护膜插置在二者间的情况下彼此交叠，所以可以防止高电势供给线路和低电势供给线路的短路。
显示装置

[发明专利]双激励电磁流量计-CN200510028473.3无效
发明人：李斌;曹金亮;詹鹏飞 -专利权人：上海大学
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G01F1/60 文献下载
摘要：包括一个传感器、一个差分放大器和一个信号处理单元，所述的传感器两电极输出感应电势与所述的差分放大器两输入端的连接回路中串接一个由可控激励电势输出的激励电势，对应的差分放大器的输出连接至所述的信号处理单元本发明增加了由激励电势与流体内阻以及差分放大器内阻形成的内阻比测量方程，对电磁流量计测量关系受流体低电导率影响进行了动态修正，同时得出流体的动态内阻值。使电磁流量计对低电导率流体流量的测量精度有了技术上的保证。
激励电磁流量计

[发明专利]用于从或向至少一个音频部件流传输PDM数据的系统和方法-CN201280053400.8无效
发明人： C·E·弗斯特;G·博加松;M·德吕京斯基 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H04R1/04 文献下载
摘要：该电子电路包括用于接收VDD电势的VDD连接件、用于接收数值低于VDD电势的电势的GND连接件、用于接收具有高部分和低部分的时钟信号的CLK连接件、用于向或从主机和/或另一个这种电子电路传递PDM数据的DATA连接件、用于接收指定是否与时钟信号的高部分或低部分基本同步传递的DC电势的L/R连接件。
用于至少一个音频部件流传 pdm 数据系统方法

[发明专利]一种智能热工检定系统-CN201110398395.1无效
发明人：麻树波 -专利权人：飞秒光电科技（西安）有限公司
申请日： 2011-12-04 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能热工检定系统，包括被检定单元、计算机、与被检定单元相接的低电势扫描器/控制器、对被检定单元的功率进行调节的固态调压模块、将低电势扫描器/控制器输出的模拟信号进行测量并转换为数字信号的测量转换单元、以及与计算机相接的打印机；固态调压模块分别与被检定单元和计算机相接，测量转换单元分别与低电势扫描器/控制器和计算机相接，低电势扫描器/控制器与计算机相接；被检定单元包括多个用于放置被检定热电偶和热电阻的检定炉
一种智能检定系统

[发明专利]一种低电场光电子成像仪-CN201610597107.8有效
发明人：刘玉柱;肖韶荣;夏俊荣;苏静;敖旷 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电场光电子成像仪。所述低电场光电子成像仪包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器，所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板，相邻两个所述极板之间形成有电势差，且在所述激光作用区内，所述电势差的方向相同。本发明的有益效果在于所述低电场光电子成像仪在极板总电势差相同配置下实现了仪器测量过程保持低电场，使得在研究光与物质作用的测量过程中，极大降低测量仪器本身所带电场造成待测物质性质的改变。
一种电场光电子成像

[实用新型]一种低电场光电子成像仪-CN201620794118.0有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01J49/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低电场光电子成像仪。所述低电场光电子成像仪包括沿带电粒子运动方向依次设置的激光作用区、自由飞行管和探测器，所述激光作用区包括沿带电粒子运动方向依次相对平行间隔设置的至少四个极板，相邻两个所述极板之间形成有电势差，且在所述激光作用区内，所述电势差的方向相同。本实用新型的有益效果在于：所述低电场光电子成像仪在极板总电势差相同配置下实现了仪器测量过程保持低电场，使得在研究光与物质作用的测量过程中，极大降低测量仪器本身所带电场造成待测物质性质的改变。
一种电场光电子成像

[发明专利]器件加工方法、MEMS器件及其加工方法以及MEMS麦克风-CN202111460727.4有效
发明人：徐希锐 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过形成与导电膜层电性连接的低电势结构，使得湿法刻蚀过程中，可将原电池反应的消耗区域引导至该低电势结构，避免导电膜层的功能区域基于原电池反应而产生损耗，有利于提高所形成的器件的性能。
器件加工方法 mems 及其以及麦克风

[发明专利]差分驱动电路和包括该差分驱动电路的电子设备-CN200580005053.1无效
发明人：三浦贤;冈村淳一;小泽诚一 -专利权人：哉英电子股份有限公司
申请日： 2005-04-28 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：该电路包括：开关电路，其包括MOS晶体管，向该开关电路输入差分信号，并且该开关电路输出电流信号；输出电路，该输出电路包括NMOS晶体管，该NMOS晶体管一端连接到高电势侧上的电源电势并且另一端连接到开关电路中的一个节点，并操作为源跟随器，并且该输出电路包括PMOS晶体管，该PMOS晶体管一端连接到低电势侧上的电源电势并且另一端连接到开关电路中的另一节点，并操作为源跟随器；以及参考电势生成电路，其分别向PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极提供参考电势；其中该参考电势生成电路包括电势可变装置，该电势可变装置用于改变差分电势，同时补偿电势保持恒定。
驱动电路包括电子设备

[发明专利]具有优化的拓扑结构的多级变流器-CN202110926506.5在审
发明人：延斯·施门格;卢茨·纳米斯洛 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：在基板的上侧面布置有第一电开关元件，借助其能使在相位端上存在的交流电势接通至在第一电势端上存在的高直流电势并接通至在第二电势端上存在的低直流电势。借助第二电开关元件能使交流电势接通至在第三电势端上存在的中直流电势。基板以到第一电路板的间距布置在第一电路板的下侧面之下，以使基板的上侧面朝向第一电路板。基板与第一电路板电连接。
具有优化拓扑结构多级变流器

[发明专利]用于单线多开关收发器的两级冲击保护器-CN200880010204.6无效
发明人：修林成;约翰·J·菲茨帕特里克 -专利权人：汤姆森特许公司
申请日： 2008-03-26 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：根据示范实施例，该装置包括：传输线和第一参考电势之间的第一信号通路，其包括高阻抗负冲击通路；以及传输线和第一参考电势之间的第二信号通路，其包括高阻抗正冲击通路、低电感冲击通路和DC阻断电路，其中所述高阻抗正冲击通路被配置为与所述低电感冲击通路和所述DC阻断电路串联，其中所述低电感冲击通路和所述DC阻断电路中的每个被耦接在所述高阻抗正冲击通路和所述参考电势源之间。
用于单线开关收发两级冲击保护

[发明专利]一种具有周期性的表面电势梯度的材料的制备方法-CN201810354253.7在审
发明人：周玉莹;汪颖;闫隆;胡钧 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明设计一种具有周期性的表面电势梯度的材料的制备方法，用于在半导体材料表面形成电势梯度，包括如下步骤：S1，提供一种在离子束辐照下电势会发生变化的半导体材料；S2，提供一种掩模；S3，将掩模固定于半导体材料的顶表面上形成样品；S4，利用离子束辐照样品，以使未被掩模覆盖的半导体材料的顶表面的电势升高或降低。本发明首次将离子束辐照技术应用于制备具有周期性的表面电势梯度的材料，实现了具有周期性的表面电势梯度的材料的大面积制备，过程简单、速度快，成本低廉，具有良好的应用前景；此外，本发明的制备方法仅仅通过改变掩模的形状就可以得到具有任意分布的表面电势梯度的材料，使得该方法复杂性低。
表面电势制备半导体材料离子束辐照掩模顶表面电势半导体材料表面电势梯度技术应用掩模覆盖升高应用