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[实用新型]一种K波段低噪声放大器电路-CN202022810647.4有效
发明人：白吟蕊;陈晓聪;邓道聃;许堂明 -专利权人：重庆两江卫星移动通信有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种K波段低噪声放大器电路，其特征在于，包括依次相连的第一平行耦合线、一级低噪声放大器、二级低噪声放大器、第一衰减器、第四平行耦合线和第五平行耦合线；一级低噪声放大器的输入端采用最低噪声匹配，输出端采用共轭匹配；二级低噪声放大器的输入端采用最大增益匹配，输出端采用共轭阻抗匹配；第四平行耦合线和第五平行耦合线相互平行。所述一级低噪声放大器和二级低噪声放大器之间还连接有第二平行耦合线，二级低噪声放大器和第一衰减器之间还连接有第三平行耦合线，第一衰减器和第四平行耦合线之间还依次连接有三级低噪声放大器和第二衰减器。
一种波段低噪声放大器电路

[发明专利]基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器-CN201010186662.4有效
发明人：黄沫 -专利权人：广州市广晟微电子有限公司
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器，本发明的方法是将两个过失真场效应管的栅极，分别通过隔直电容与各自对应的低噪声放大器输入管的漏极连接，从矢量角度分析，产生了可与低噪声放大器的放大电路的三阶交调系数矢量抵消的三阶交调系数矢量，实现了通过过失真方式提高所述低噪声放大器线性度的目的，更重要的是：该方法有效降低了过失真方法中在低噪声放大器输入管上形成的栅源寄生电容和栅漏寄生电容，从而减小了寄生电容降低放大器增益的的影响，保证了低噪声放大器噪声性能；同时，由于所述寄生电容的减少，其输入阻抗的变化不大，从而给所述低噪声放大器片外匹配电路的阻抗匹配带来方便。
基于低噪声放大器失真方法

[发明专利]一种通信基站天线低噪声放大器-CN202210064575.4在审
发明人：边波 -专利权人：边波
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信基站天线低噪声放大器，涉及通信技术领域。该通信基站天线低噪声放大器，包括放大器本体，所述放大器本体的外表面开设有通孔，所述通孔的内侧设置有活动机构，所述放大器本体的外表面设置有导流机构，所述活动机构包括弹性条、活动杆和活动件，所述弹性条固定安装在通孔的开口外侧该通信基站天线低噪声放大器，设置活动机构和导流机构，在低噪声放大器外侧空气流动时，将低噪声放大器内侧的热量快速排出，避免了热量在低噪声放大器的内侧堆积，对低噪声放大器的工作效率产生影响。
一种通信基站天线低噪声放大器

[发明专利]一种开关低噪声放大器-CN202010493522.5在审
发明人：史晓飞;高保宁;徐建辉;孙岩 -专利权人：西安博瑞集信电子科技有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种开关低噪声放大器，该开关低噪声放大器包括：低噪声放大器、与该低噪声放大器连接的第一开关、与该第一开关连接的旁路开关电路和与该旁路开关电路、该低噪声放大器连接的第二开关。其中，低噪声放大器的第一端与第一开关的第一端相连接，该第一开关的第二端与该旁路开关电路的第一端相连接，该旁路开关电路的第二端与该第二开关的第二端相连接，该第二开关的第一端与该低噪声放大器的第二端相连接；本申请实施例提供的一种开关低噪声放大器，可以解决开关低噪声放大器进行放大处理的性能较差的问题。
一种开关低噪声放大器

[实用新型]一种用于户外授时天线的低噪声放大器-CN201620386407.7有效
发明人：王群;周凯淦 -专利权人：深圳市阿瑞仕科技有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H02H9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于户外授时天线的低噪声放大器，其中，所述低噪声放大器包括：低噪声放大器模块以及设置在所述低噪声放大器模块的输入端的抗浪涌模块，所述抗浪涌模块由依次连接的第一级衰减保护电路、第二级衰减保护电路、第三级衰减保护电路以及第四级衰减保护电路组成；浪涌电压经所述四级衰减保护电路，逐步衰减至所述低噪声放大器模块的工作电压；与低噪声放大器模块输入端连接的第四级衰减保护电路为耦合元件；所述抗浪涌模块集成于所述低噪声放大器内其设置了包含有多级衰减保护电路的抗浪涌模块，浪涌电压通过多级衰减保护电路逐步衰减，直至符合低噪声放大器的工作电压范围。
一种用于户外授时天线低噪声放大器

[实用新型]一种高线性度的2G带宽的砷化镓低噪声放大器-CN202021394022.8有效
发明人：邢利敏 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本实用新型公开的属于低噪声放大器技术领域，具体为一种高线性度的2G带宽的砷化镓低噪声放大器，包括壳体，所述壳体底部固定连接有支柱，所述支柱底部固定连接有底板，所述底板外侧开设有固定孔，所述壳体左右两侧分别安装有RFin接口和RFout接口，所述壳体内部安装有输入隔离器、第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第三低噪声放大器、高线性度G带宽电路模块、带通滤波器、检波器和输出隔离器，所述RFin接口与输入隔离器连接，所述输入隔离器输出端与第一低噪声放大器输入端连接，所述第一低噪声放大器输出端与第二低噪声放大器输入端连接，通过检波器的设置，实现输出功率的检测，便于后期进行调节。
一种线性带宽砷化镓低噪声放大器

[实用新型]毫米波高增益低噪声放大器-CN201920289850.6有效
发明人：黄聪;韦柳泰 -专利权人：苏州伏波电子科技有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型毫米波高增益低噪声放大器，包括前端接收到的微波信号通过波导微带探针过渡到微带上；过渡后的微波信号通过两个级联设计的低噪声放大器芯片进行放大；两个级联的低噪声放大器之间采用传输结构进行匹配，微波信号通过第一级低噪声放大器芯片放大之后经过传输结构后进入第二级低噪声放大器芯片进行放大
低噪声放大器微波信号毫米波放大传输结构高增益芯片级联本实用新型前端接收微带探针第一级波导微带匹配

[实用新型]多频贴片天线装置-CN200920129719.X在审
发明人：贾延波 -专利权人：深圳市华信天线技术有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01Q5/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多频贴片天线装置，包括贴片天线装置、PCB板、屏蔽罩及低噪声放大电路，其特征在于，所述低噪声放大电路进一步包括低噪声放大器和滤波器，所述滤波器位于所述低噪声放大器之前，还包括与所述低噪声放大器相连接、且依次连接的合路网络和多级合路低噪声放大器；所述低噪声放大器为多级低噪声放大器。本实用新型所述装置在贴片天线下方增加了独特的低噪声放大电路及屏蔽罩，提高了天线的抗干扰的能力，使天线工作更加稳定，测量精度得到进一步的保证；而且在低噪声放大电路中，通过合路网络的妥善设计，降低了功耗，缩小了尺寸
多频贴片天线装置

[发明专利]一种用于毫米波全息成像系统的开关-CN201410766523.7在审
发明人：杨爽;顾建忠;杨明辉;孙晓玮;高兴振;陈敏华 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： G01S13/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于毫米波全息成像系统的开关，包括一个朗格耦合器和至少两个低噪声放大器，每个低噪声放大器均与所述朗格耦合器相连，工作时只有一个低噪声放大器；所述朗格耦合器用于使得每个低噪声放大器输出到朗格耦合器的输出损耗相等，并且隔离低噪声放大器的匹配网络使得低噪声放大器之间的匹配网络互不干扰。
一种用于毫米波全息成像系统开关

[发明专利]一种提高天馈系统前置低噪声放大器抗静电能力的电路-CN201811627967.7在审
发明人：王毅;廖大芬;晋飞;张清献;王小波;石登强;文吉刚;周幼航;施洋;彭丰 -专利权人：成都燎原星光电子有限责任公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高天馈系统前置低噪声放大器抗静电能力的电路，该电路包括产品输入端口、低噪声放大器和一阶高通滤波器，所述低噪声放大器包括输入端口和外围电路；所述一阶高通滤波器串联在所述产品输入端口与所述低噪声放大器的输入端口之间本发明通过在产品输入端口与低噪声放大器的输入端口之间串联一阶高通滤波器，能够有效提高天馈系统前置低噪声放大器抗静电能力。
低噪声放大器前置低噪声放大器抗静电能力产品输入输入端口天馈系统一阶高通滤波器电路串联通滤波器外围电路阶高

[发明专利]射频接收电路、射频信号接收方法、装置和电子设备-CN202011509109.X有效
发明人：陈芳胜;胡建 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：该射频接收电路包括：第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、开关模组、第一天线、第二天线和控制器；控制器与第一低噪声放大器和第二低噪声放大器的第一端连接，开关模组的第一端与第一低噪声放大器和第二低噪声放大器的第二端连接，第二端与第一天线和第二天线连接；开关模组在第一状态下，第一低噪声放大器与第一天线连通，第二低噪声放大器与第二天线连通；开关模组在第二状态下，第二低噪声放大器与第一天线或第二天线连通。本申请的方案用于解决当接收同频或相近频段的信号时，会争抢共用的单刀多掷开关连接的低噪声放大器，造成天线被闲置的问题。
射频接收电路信号方法装置电子设备

[发明专利]一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器-CN201811039176.2在审
发明人：何旭;郑远;汪宁欢;陈新宇;杨磊 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种高增益高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器，包括一个低噪声放大器、串联开关、并联开关、两个控制电路，其中串联开关输入端串接在低噪声放大器输出端，输出端与并联开关输出端并联，并联开关输入端与低噪声放大器输入端并联，一个控制电路与低噪声放大器、串联开关串接，另一个控制电路与低噪声放大器、并联开关串接。优点：1）使用改良的电流复用结构，利用较小的工作电流在工作频段内获得较高的增益与平坦度同时保证器件较低噪声系数。2）采用GaAs E/D pHEMT工艺，提高了器件集成度和模块可靠性。3）在共源管源极串联控制晶体管对低噪声放大器的工作模式进行控制，减小寄生电容，同时防止大射频信号注入时低噪声放大器打开。
低噪声放大器并联开关串联开关控制电路输出端串接旁路功能单片式高线性高增益输入端串联控制晶体管电流复用结构低噪声系数器件集成度输入端并联工作电流工作模式工作频段寄生电容射频信号共源管平坦度并联减小源极改良保证

[发明专利]具有多输入多输出（MIMO）结构的低噪声放大器电路-CN201910042692.9在审
发明人：刘显焕;林锺模;罗裕森;柳贤真;赵亨浚;金裕桓 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：提供具有多输入多输出(MIMO)结构的低噪声放大器电路。低噪声放大器电路包括：第一低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第一频带信号和第二频带信号之中的频带信号；第二低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第三频带信号和第四频带信号之中的频带信号；输出DPDT电路，包括：连接到第一低噪声放大器的第一输入端、连接到第二低噪声放大器的第二输入端、用于选择性地输出通过第一输入端和第二输入端输入的信号的第一输出端和第二输出端；控制电路，响应于预定的通信方案，对第一低噪声放大器和第二低噪声放大器执行放大控制，对输出DPDT电路执行切换控制。
低噪声放大器频带信号输入端低噪声放大器电路共栅极结构多输出共源极输出端并联叠接输出电路放大放大控制控制电路响应通信

[发明专利]具有低噪声与高增益的低噪声放大器-CN200410100332.3有效
发明人：苏炯光;刘慈祥;王是琦 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有低噪声与高增益的低噪声放大器，其包含一差动放大器，一前置放大器以及一阻抗匹配网络。该阻抗匹配网络与该差动放大器和该前置放大器相连，用来匹配该差动放大器的输入阻抗与该前置放大器的输出阻抗。相较于现有的低噪声放大器，本发明的低噪声放大器具有低噪声指数，高放大增益，以及容易设计的优点。
具有噪声增益低噪声放大器

[实用新型]一种导频污染消除装置-CN201120047993.X有效
发明人：梁长松;黄海峰 -专利权人：福建三元达通讯股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H04B1/7113 文献下载
摘要：本实用新型提供一种导频污染消除装置，它包括：施主天线、下行低噪声放大器、导频污染消除数字模块、下行功率放大器、服务天线、上行低噪声放大器、数字选频模块、上行功率放大器、监控单元。所述施主天线通过所述下行低噪声放大器、导频污染消除数字模块、下行功率放大器连接到所述服务天线，所述服务天线通过上行低噪声放大器、数字选频模块、上行功率放大器连接到所述施主天线，所述监控单元与下行低噪声放大器、导频污染消除数字模块、下行功率放大器、上行低噪声放大器、数字选频模块、上行功率放大器分别连接。
一种污染消除装置