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[发明专利]一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器-CN201110388137.5有效
发明人：陈岚;俞思辰;吕志强 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器。所述方法包括：根据所述低噪声放大器的电路结构和信号源建立小信号噪声等效模型；根据所述小信号噪声等效模型，建立所述低噪声放大器的噪声因子公式；根据所述噪声因子公式，计算噪声因子最小时信号源的内阻RS以及第一电感LB所对应的数学解析式；建立所述低噪声放大器的输入电阻公式：联立上述公式、以及数学解析式，得到对应的电容、电感的器件参数值。采用本发明的方法设计的低噪声放大器，在功率约束(即低功耗)的条件下，能够具有低噪声的性能。
一种低噪声放大器元件参数确定方法

[发明专利]基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端-CN201711395012.9在审
发明人：陈波;吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01J1/56 文献下载
摘要：本发明公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和本振输入腔，低噪声放大器输入腔与混频器腔连接，在混频器腔y轴延伸线上还垂直横穿本振输入腔，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔。本发明通过上述结构，将低噪声放大器和混频器在同一个GaAs衬底和腔体内进行加工，设计出的太赫兹接收前端电路可同时实现低噪声放大和混频的功能，可有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。
基于单片集成技术赫兹噪声辐射计前端

[实用新型]基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端-CN201721810263.4有效
发明人：陈波;吴三统 -专利权人：四川众为创通科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G01J1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和本振输入腔，低噪声放大器输入腔与混频器腔连接，在混频器腔y轴延伸线上还垂直横穿本振输入腔，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔。本实用新型通过上述结构，将低噪声放大器和混频器在同一个GaAs衬底和腔体内进行加工，设计出的太赫兹接收前端电路可同时实现低噪声放大和混频的功能，可有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。
低噪声放大器混频器低噪声放大器电路输入腔辐射计单片集成技术分谐波混频器本实用新型本振输入金属腔体低噪声衬底电路体内接收前端电路低噪声放大电路设计内部损耗金属腔延伸线混频横穿加工垂直节约

[发明专利]一种低噪声放大器及射频前端集成电路-CN201810003890.X有效
发明人：戴若凡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声放大器及射频前端集成电路，通过在位于输入端的第一电感两端分别增加接地的第一电容及第二电容，为该低噪声放大器的输入端引入π型匹配网络，使该低噪声放大器的第一电感的电感量缩小为现有技术的1/4，降低了所需输入电感的大小，进而避免了现有技术中由于输入电感过大而导致的难于片上集成、芯片面积大、成本高、Q值下降和影响噪声性能的问题。并且，本低噪声放大器通过采用增益提升技术，提高了低噪声放大器的等效阻抗，进而提高了该该低噪声放大器的电压增益，为该低噪声放大器的多频应用提供了足够的增益。
一种低噪声放大器射频前端集成电路

[实用新型]一种直放站-CN201220168473.9有效
发明人：王大鹏;张俪;许灵军 -专利权人：中国移动通信集团公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H04B7/155 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直放站，所述直放站包括上行低噪声放大器组件、上行功率放大器组件、下行低噪声放大器组件和下行功率放大器组件，其中，所述上行低噪声放大器组件由上行低噪声放大器模块组成，所述下行功率放大器组件由下行预功率放大器模块组成与现有高功率直放站相比，由于本实用新型中所述直放站的上行低噪声放大器组件中不包含上行次级低噪声放大器模块，因此可以降低直放站的上行增益，使得在将所述直放站部署在现有技术中的高功率直放站所处位置时，其上行增益比空间损耗要低，从而降低直放站本身噪声到达宿主基站时的强度，降低宿主基站的上行噪声，达到降低对宿主基站的上行干扰的效果。
一种直放站

[发明专利]TDD模式的大功率双向放大器-CN200810038530.X无效
发明人：陈金春 -专利权人：上海电盈通信技术有限公司
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种TDD模式的大功率双向放大器，包括功率放大器、环行器、低噪声放大器，其特征在于：在低噪声放大器的输入端加接一个单刀双掷开关。当功率放大器工作时隙，单刀双掷开关切换到匹配功率负载，使功率放大器的输出功率通过环行器通到发射天线上去；当低噪声放大器工作时隙，单刀双掷开关切换到低噪声放大器，使天线输入的微弱信号直接通过低噪声放大器放大，这样，既保护了小信号的低噪声放大电路，又不会因开关功率容量的问题导致输出功率引起额外的失真，而且损耗的功率比起直接采用开关切换的电路来说，要小得多。采用高隔离度得单刀双掷开关，避免了功率放大器输出功率泄漏而造成低噪声放大器的损坏。
tdd 模式大功率双向放大器

[实用新型]一种双面集成级联放大电路-CN201521108519.8有效
发明人：彭皞;唐涛;宁国勇;汪旭 -专利权人：成都创吉科技有限责任公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种双面集成级联放大电路。本实用新型针对现有技术存在的问题，提供一种放大电路，通过使用双面集成方式，将两个低噪声放大器焊接在印制板的两面，选用小封装器件，使得整个低噪声放大器体积减小；同时采用四层板，使低噪声放大器的接地良好。射频信号经过介质滤波器进入第一低噪声放大器中，经过过孔，射频信号进入第二级低噪声放大器中，经放大后输出。本实用新型所述前置滤波器一端、第一低噪声放大单元、第二低噪声放大单元依次连接，第二低噪声放大器输出端与馈电网络输入端、馈电网络输出端分别与第一低噪声放大单元电源端、第二低噪声放大单元电源端连接。
一种双面集成级联放大电路

[发明专利]一种高功率防护系统及其制备方法-CN202110483124.X有效
发明人：卢振;周亮;张成瑞;毛军发 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种高功率防护电路及其制备方法，包括PIN限幅器、低噪声放大器、硅基，PIN限幅器的输出端与低噪声放大器的输入端通过接地共面波导相连接；PIN限幅器的输入端与低噪声放大器的输出端通过接地共面波导形成GSG结构，信号经过限幅器进入低噪声放大器；PIN限幅器和低噪声放大器安置在硅基的凹槽内，涂覆一层BCB作为介质，在BCB上制作金属层形成电气连接和输入输出结构。本发明封装后的防护模块尺寸小，信号传输性能优异，能有效提升低噪声放大器对高功率微波的防护能力。采用BCB埋置封装工艺减小了引线长度，降低了防护模块的插损。通过在低噪声放大器输入端放置PIN限幅器，可提升低噪声放大器的损毁阈值。
一种功率防护系统及其制备方法

[发明专利]宽带高增益低噪声放大器-CN201610761641.8在审
发明人：廖云龙;邱义杰;周载理;李云飞;王明清 -专利权人：成都锐新科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽带高增益低噪声放大器，包括输入隔离器和输出隔离器、波导‑微带过渡、一级低噪声放大器、高通滤波器、低通滤波器、衰减器和二级低噪声放大器；所述输入隔离器和输出隔离器、波导‑微带过渡、一级低噪声放大器、高通滤波器、低通滤波器、衰减器和二级低噪声放大器依次电连接。通过上述方式，本发明实施例的宽带高增益低噪声放大器保证了放大器的工作效果，能够很好的适应Ka频段小型化的发展要求，具有高增益、宽频带、高工作效率、小体积、方便调整的特点。
宽带增益低噪声放大器

[实用新型]一种数字对讲系统的前级放大器装置-CN201520682709.4有效
发明人：刘长源;杨帆;肖顺进 -专利权人：福建联拓科技有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及通信系统，提供一种数字对讲系统的前级放大器装置，包括RS485通信接口、MCU、电源、数模转换器、前级低噪声放大器、ALC控制电路、声表滤波器、温度补偿电路、二级低噪声放大器、数控衰减器、三级低噪声放大器、功率检测器和温度检测器，前级低噪声放大器接收射频输入信号后经ALC控制电路输出至声表滤波器，声表滤波器经温度补偿电路输出至二级低噪声放大器，二级低噪声放大器经数控衰减器输出至三级低噪声放大器，MCU经数模转换器连接并控制ALC控制电路和温度补偿电路，MCU连接并控制数控衰减器，功率检测器和温度检测器均与MCU输入端相连接，功率检测器输入端与三级低噪声放大器的输出端相连接。
一种数字对讲系统放大器装置

[发明专利]低噪声放大器和相关的低噪声放大器模块及接收器-CN201610651485.X有效
发明人：吕盈苍 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：该接收器包括低噪声放大器模块，包括多个低噪声放大器，其中所述多个低噪声放大器被设置为从多个输入端口分别接收多个输入信号，以及所述多个低噪声放大器每一者在所述低噪声放大器模块的多个输出端子产生并输出多个噪声消除信号
低噪声放大器相关模块接收器

[发明专利]一种低噪声放大器、无线信号接收装置和无线终端-CN201610387183.6有效
发明人：项勇;曾隆月 -专利权人：深圳骏通微集成电路设计有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种低噪声放大器、无线信号接收装置和无线终端，所述低噪声放大器包括输出节点，所述低噪声放大器还包括第一反向放大电路、第二反向放大电路、反馈电路以及稳压电路。低噪声放大器和无线信号接收装置除了具备低成本小面积等优点之外，在同等电流消耗的情况下，具有更好的线性度、增益效果和噪声消除功能。
一种低噪声放大器无线信号接收装置终端

[实用新型]带高增益反馈环路的宽带低噪声放大系统-CN201920864633.5有效
发明人：李振彪 -专利权人：智汇芯联(厦门)微电子有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G06F16/30 文献下载
摘要：一种带高增益反馈环路的宽带低噪声放大系统，包括：信号低噪声放大器；反馈放大器，所述反馈放大器的输入端连接所述信号低噪声放大器的输出端，所述反馈放大器的输出端连接在反馈电阻的一端，所述反馈电阻的另一端连接所述信号低噪声放大器的输入端所述系统能够在实现宽带输入匹配的同时，保持放大系统的低噪声系数水平。
增益反馈环路宽带噪声放大系统

[发明专利]可调整增益的低噪声放大器-CN201210512834.1有效
发明人：李强;周思宁 -专利权人：晨星软件研发（深圳）有限公司;晨星半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种可调整增益的低噪声放大器与射频(RF)接收器。根据本发明构想的较佳实施例，透过一个具有主要放大模块与辅助放大模块的低噪声放大器，而对射频信号进行处理。当一选择代表该低噪声放大器运作于一高增益模式时，该主要放大器模块与该辅助放大器模块以并联方式耦接。当该选择代表该低噪声放大器运作于一低增益模式时，该主要放大器模块与该辅助放大器模块彼此以交互方式耦接。当该选择代表该低噪声放大器运作于一中度增益模式时，该主要放大器模块与该辅助放大器模块彼此独立运作。
可调整增益低噪声放大器

[实用新型]一种无损耗负反馈低噪声放大器电路-CN201921892348.0有效
发明人：顾伟 -专利权人：航天科工微系统技术有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无损耗负反馈低噪声放大器电路，包括用于信号放大的低噪声放大管、连接在低噪声放大管上的负反馈电路，所述负反馈电路为用于阻抗变换的巴伦，所述低噪声放大器的电源端连接有静态偏置电路。静态偏置电路为低噪声放大器提供静态偏置电流，使低噪声放大器的电源恒流。通过采用低噪声放大管、巴伦的反馈式结构，在接收机前端电路里实现整机的灵敏度和高线性度，解决了低噪声放大器在噪声系数、增益、端口阻抗、灵敏度、线性度指标之间高要求不易兼顾的难题，直接提高了接收机的性能。
一种损耗负反馈低噪声放大器电路