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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]集成电路结构及其形成方法-CN202210152098.7在审
发明人：潘谊纹;柯忠祁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包含基板、晶体管、第一介电质层、金属接触、第一低k介电质层、第二介电质层、第一金属特征。晶体管位于基板上方。第一介电质层位于晶体管上方。金属接触位于第一介电质层内并与晶体管电连接。第一低k介电质层位于第一介电质层上方。第二介电质层位于第一低k介电质层且第二介电质层的一介电常数高于第一低k介电质层的一介电常数。第一金属特征延伸穿越第二介电质层和第一低k介电质层至金属接触。
集成电路结构及其形成方法

[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法-CN200910224858.5有效
发明人：葛大成;金大原;徐源哲;芮暻熙;李柱雄 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括：彼此分开的多个发光单元；第一介电层，覆盖发光单元；导线，形成在第一介电层上，并将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造，改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性，从而防止湿气进入发光二极管。本发明还公开了该发光二极管的制造方法。
具有发光单元发光二极管及其制造方法

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN201910885457.8在审
发明人：钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特;蔡家铭;陈明德;林士琦;张景舜;余典卫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种晶体管结构制造方法，包括：在衬底上形成鳍；在鳍上形成栅极介电堆叠件，栅极介电堆叠件包括设置在界面介电层上的高k介电层；将高k介电层浸在氟基气体中；以及在高k介电层上沉积覆盖层。一种晶体管结构，包括：衬底；鳍，位于衬底上；栅极介电堆叠件，位于鳍上，栅极介电堆叠件包括：界面介电层；及高k介电层，位于界面介电层上，高k介电层的氟浓度介于约0.01原子％和约35原子％间；以及一个或多个功函层，位于栅极介电堆叠件上。从而改善晶体管性能。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法-CN200410074191.2无效
发明人：宋伟民;孙庆仁;王化民;宋恩兆 -专利权人：中冶京诚工程技术有限公司
申请日： 2004-09-01 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： C01B13/11 文献下载
摘要：本发明是关于一种臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法，其首先将待处理的介电管进行清洗、干燥，尔后将清洗和干燥后的介电管套入真空镀膜装置上，经过密封处理和检漏后，开启真空系统进入镀膜过程，并在升华状态下进行镀膜本发明特殊的臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法，使介电管与其内壁的导电层结合更加紧密，并防止了火花放电现象的发生；同时，本发明制备的介电管内壁的导电层降低了电阻值和维修率，而且介电管的运行效率更高，减少了介电管的消耗和维护费。
臭氧发生器用镀膜导电层介电管制备方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410776215.2在审
发明人：郭瑞旻;罗俊元;许家荣;孙文堂 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：半导体元件包括衬底、存储元件以及选择晶体管。存储元件位于衬底上。选择晶体管位于衬底上且与存储元件电连接。选择晶体管包括选择栅极、第一介电层以及第二介电层。选择栅极位于衬底上。第一介电层与第二介电层相邻，且位于选择栅极与衬底之间。第一介电层比第二介电层邻近存储元件，且第一介电层的厚度大于第二介电层厚度。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]一种臭氧发生装置-CN201020290922.8无效
发明人：史金阳 -专利权人：史金阳
申请日： 2010-08-13 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： C01B13/11 文献下载
摘要：一种臭氧发生装置，主要解决了现有技术中的臭氧介电体与散热片之间为硬性衔接，易松动、易破损的问题。它包括散热器，散热器内制有弧形凹槽，与弧形凹槽相匹配设有介电管。所述介电管其外包覆有柔性材料层，其内装有导流内芯，导流内芯上设有螺旋高压电极，高压电极的一端固定有螺栓并穿过密封帽而与密封固定端头A固定连接。介电管的另一端插入制有出气口的密封固定端头B，其间设有密封帽。本产品结构合理，解决了介电管的轴向移动，转动及密封问题。特别是介电管外采用了柔性材料层，便于调整介电管与散热器间的间隙，避免了介电管由于散热器固定的过紧所造成的介电管的损坏，同时使介电管与散热器之间结合的更加紧密，增加了散热效果，提高了臭氧产生效率。
一种臭氧发生装置

[发明专利]单介电准分子灯系统和方法-CN202110698238.6在审
发明人： A·E·小布洛克施密特;K·S·卡拉汉 -专利权人：波音公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：本发明涉及单介电准分子灯系统和方法。一种准分子灯，该准分子灯包括：介电管、端盖、导电中空管以及电极栅。介电管具有封闭端和开口端，并且限定了腔室。端盖密封地覆盖开口端。导电中空管穿过端盖并进入介电管的腔室中，并且在导电中空管的外表面与介电管的内表面之间限定了容积。该容积被配置成保持气体。在介电管的外表面上设置电极栅。
单介电准分子系统方法

[发明专利]用于处理前级真空管线中废气的设备-CN201380021125.6有效
发明人：迈克尔·S·考克斯;科林·约翰·迪金森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：在一些实施方式中，一种用于处理在基板处理系统的前级真空管线中的废气的设备，所述设备可包括介电管，所述介电管经配置以耦接至基板处理系统的前级真空管线，以允许废气从前级真空管线流动通过介电管；射频线圈，所述射频线圈围绕介电管的外表面卷绕，所述射频线圈具有第一端以提供射频输入至射频线圈，射频线圈的第一端靠近介电管的第一端，且射频线圈的第二端靠近介电管的第二端；分接头，所述分接头耦接至射频线圈以提供射频回程路径，所述分接头位于介电管的第一端与介电管的中央部分之间
介电管射频线圈真空管线第一端分接头前级基板处理系统废气耦接回程路径射频输入卷绕射频配置流动

[发明专利]晶体管结构及晶体管结构的制造方法-CN202210624636.8在审
发明人：卢超群;郭明宏;陆君南 -专利权人：发明与合作实验室有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了晶体管结构及晶体管结构的制造方法。此晶体管结构包括栅极导电区、栅极介电区、通道区和漏极区。栅极导电区位于基材的初始表面之下。栅极介电区围绕栅极导电区。通道区围绕栅极介电区。其中，栅极介电区包括第一介电部分和第二介电部分，第一介电部分位于栅极导电区与重掺杂区之间，第二介电部分位于栅极导电区与通道区之间。其中，第一介电部分的水平厚度大于第二介电部分的水平厚度。
晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201711063342.8在审
发明人：杨仁盛;朱文定;张至扬;杨晋杰;涂国基;石昇弘;廖钰文;陈侠威;陈奕静 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属‑绝缘体‑金属(metal‑insulator‑metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属‑绝缘体‑金属结构分离。
金属间介电层介电层晶体管绝缘体半导体装置记忆单元顶表面金属金属介电层储存单元金属结构延伸

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN202210386850.4在审
发明人：蔡明桦;张维轩;郭晋佳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管结构及其制造方法。上述晶体管结构包括基底、第一栅极、第二栅极、第一栅介电层与第二栅介电层。第一栅极与第二栅极位于基底上。第一栅介电层位于第一栅极与基底之间。第一栅介电层具有单一厚度。第二栅介电层位于第二栅极与基底之间。第二栅介电层具有多种厚度。第一栅介电层的最大厚度相同于第二栅介电层的最大厚度。上述晶体管结构可降低工艺复杂度。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]具有改进调谐范围的铁电变容管-CN200780039652.4无效
发明人：达尼埃尔·贝朗;马雷克·克莱;克劳斯·雷曼;威廉默斯·C·科尔;鲁迪格·毛佐克 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2007-10-19 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电变容管(400)，其包括电极(406，410)之间的介电叠层(408)。介电叠层包括具有至少三个介电层的交替层序列。介电叠层的至少两个非单晶第一介电层由具有第一介电常数的第一介电材料制成，介电叠层的至少一个非单晶第二介电层由具有第二介电常数的第二介电材料制成，并且第一介电常数不等于第二介电常数。第一介电材料和第二介电材料之一呈现出较弱的铁电滞后。具有较弱的铁电滞后的介电材料占介电叠层的总体积的百分比大于20％。本发明的铁电变容管实现了介电叠层中的高相对介电常数、高击穿电压、低压下的大调谐范围、以及小介电损失。
具有改进调谐范围铁电变容管

[实用新型]一种用于消解样品的介电质阻挡放电装置-CN201921902825.7有效
发明人：袁潇;徐进勇;刘宏;陈代伟;梁恒兴;叶一 -专利权人：成都市食品药品检验研究院;成都理工大学
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01N1/44 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于消解样品的介电质阻挡放电装置，包括介电质管、样品管，介电质管为封闭管体，介电质管内充满惰性气体，介电质管内设置电场组件，电场组件包括第一电极、第二电极、电源，第一电极和第二电极均电连接电源，第一电极和第二电极分别位于介电质管的两端，样品管贯穿介电质管和电场组件，样品管进口端通过泵连通样品瓶，样品管出口端连通接样杯。
一种用于消解样品介电质阻挡放电装置

[实用新型]臭氧发生管-CN201420568266.1有效
发明人：陈红 -专利权人：杭州恒力科技实业有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C01B13/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种臭氧发生管，包括外电极管、介电质管、内电极片，所述外电极管为金属管，介电质管设置于外电极管内侧，所述外电极管内壁与介电质管外壁之间设有放电间隙，介电质管内侧设置有内电极片，外电极管与介电质管的两端分别通过端盖连接固定，端盖上设置有大软质弹性圈和小软质弹性圈，大软质弹性圈的圆周外侧与外电极管内壁紧密接触，小软质弹性圈的圆周外侧与介电质管内壁紧密接触，本实用新型不仅能够提高臭氧发生管的效率，而且使臭氧发生管的可靠性提高
臭氧发生

[发明专利]快闪存储器及其制作方法-CN200910199993.9有效
发明人：许丹;李若加 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅介电层；在所述栅介电层上依次形成浮栅层、栅间介电层以及控制栅层的堆叠结构；将所述堆叠结构图形化，形成分立的存储晶体管和选择晶体管的栅极堆叠结构，所述存储晶体管的栅极堆叠结构包括：栅介电层、浮栅、栅间介电层以及控制栅，所述选择晶体管的栅极堆叠结构包括：栅介电层、下栅极、伪栅间介电层以及选择栅；离子注入形成存储晶体管的源区与漏区以及选择晶体管的源区与漏区；部分刻蚀选择晶体管栅极堆叠结构的选择栅与伪栅间介电层，形成开口，所述开口暴露出选择晶体管的下栅极；采用通孔材料填充所述开口，形成插塞，使选择晶体管的下栅极与选择栅电连接。
闪存及其制作方法

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