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[发明专利]一种加工硅通孔互连结构的工艺方法-CN200910060750.7有效
发明人：刘胜;高鸣源;胡程志;吴一明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种加工硅通孔互连结构的工艺方法，步骤为：①在基板上刻蚀盲孔；②在基板上沉积一层图案化介电质层；③刻蚀图案化介电质层，刻蚀掉盲孔底部的介电材料，保留盲孔侧壁的介电材料，在基板上形成介电质孔；④在介电质孔上沉积一层导电材料，形成导电孔；⑤在导电层上再沉积一层图案化介电质层，填充导电孔；⑥刻蚀板背面，暴露出导电层，在导电层上形成焊料微凸点。图案化介电质层的材料优选聚对二甲苯。本发明简化了工艺步骤，减少工艺时间并降低了费用；使用二层图案化介电质层，降低了寄生电容，提升了互连电性能，适用于高速和RF的三维互连结构；缓解了导电材料和硅之间的热失配，在很大程度上减少了热机械应力。
一种加工硅通孔互连结构工艺方法

[发明专利]一种含有停止层的集成电路介电层结构-CN201010579276.1无效
发明人：任丙振;张进刚 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种含有停止层的集成电路介电层结构，包括第一介电层、金属层和第二介电层；第一介电层上设置有第一金属导孔，第二介电层上设置有第二金属导孔，第一金属导孔和第二金属导孔形成堆叠金属导孔，其中，金属层与第二介电层之间设置有停止层，该停止层的材质不同于金属层和第二介电层的材质；或者，第二介电层内部设置有停止层，该停止层的材质不同于第二介电层中的其它材质。本发明设置有材质不同的停止层，利用其相同蚀刻工艺不同蚀刻速率的差异，来调节蚀刻深度，因此，本发明能够在保证金属导孔有足够过蚀刻量的前提下，有效减少金属导孔蚀刻的贯通量，进而能够避免后续溶剂清除过程中金属导孔钨栓塞被侵蚀
一种含有停止集成电路介电层结构

[发明专利]一种含介孔/大孔的氧化铝载体及其制备方法-CN201611227146.5有效
发明人：董静;王廷海;高阳光;李福崇;宋同江;鲁鸿;张华强;崔英;龚光碧;郑聚成;李晶;梁滔;丛日新 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B01J32/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种含介孔/大孔的氧化铝载体，孔径分布10～800nm，总孔容0.8～2.2ml/g，孔径呈双峰分布，其中10～50nm的介孔孔容占总孔容的5％～20％，50～800nm的大孔孔容占总孔容的80含介孔/大孔的氧化铝载体具有孔径大小可调节，介孔/大孔比例可以有效控制的特点。本发明还涉及一种含介孔/大孔的氧化铝载体的制备方法。
一种含介孔氧化铝载体及其制备方法

[发明专利]一种微乳液制备介孔Ag2-CN201711294537.3在审
发明人：武全福 -专利权人：合肥华福土工合成材料有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： B01J23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种微乳液制备介孔Ag2O/TiO2复合材料的方法，利用合成的聚苯乙烯微乳液为模板、钛酸四丁酯和硝酸银为无机源，在酸性条件下制备了的Ag/TiO2介孔复合材料。利用N2吸附‑脱附曲线、HRTEM对制备的介孔复合材料进行表征，结果表明制备的Ag/TiO2介孔复合材料具有蠕虫状孔结构，孔径在8nm左右，Ag的掺杂降低了介孔复合材料的比表面积以合成的介孔复合体材料对污水中的污染物尤其是大分子污染物进行吸附、催化、光降解实验，实现对污染物的无害化处理。结果表明，掺杂了Ag原子的介孔氧化钛很好地保持了介孔结构的稳定性，介孔复合体材料的孔径达7nm，且对甲基橙具有良好的光催化降解效果。
一种乳液制备 ag base sub

[发明专利]一种接触孔形成方法-CN202211128859.1在审
发明人：许鹏凯;乔夫龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔形成方法，包括：提供形成有栅极结构、漏极区域、源极区域和外围区的衬底；形成第一介质层于衬底上；对第一介质层进行刻蚀，以在第一介质层上对应源极区域和外围区的位置形成凹槽结构；形成刻蚀缓冲层于凹槽结构中；形成第二介质层于第一介质层上；形成依次贯穿第二介质层、刻蚀缓冲层以及第一介质层的源极接触孔或外围区接触孔和依次贯穿第二介质层以及第一介质层的漏极接触孔，其中源极接触孔和外围区接触孔的宽度均大于漏极接触孔的宽度本发明可改善不同宽度的接触孔刻蚀过程中负载效应的影响，使不同宽度的接触孔的刻蚀结果保持一致，从而解决了较宽的接触孔因过刻蚀引起的底部衬底损耗严重的问题。
一种接触形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210901255.X在审
发明人：胡致嘉;王驭熊;陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：实施例是形成半导体结构的方法，包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，第一互连结构包括介电层和位于介电层中的金属化图案，在第一互连结构上方形成再分布通孔，再分布通孔电耦接至第一互连结构的金属化图案中的至少一个，在再分布通孔上方形成再分布焊盘，再分布焊盘电耦接至再分布通孔，在再分布焊盘上方形成第一介电层，以及在第一介电层上方形成第二介电层。该方法还包括图案化第一介电层和第二介电层，在再分布焊盘上方和第一介电层中形成接合通孔，接合通孔电耦接至再分布焊盘，接合通孔与再分布通孔重叠，以及在接合通孔上方和第二介电层中形成第一接合焊盘，第一接合焊盘电耦接至接合通孔
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010552736.5在审
发明人：杨岱宜;朱韦臻;王永智;吴佳典;陈欣苹;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含导线、接触导线的导电通孔、第一介电材料及第二介电材料。第一介电材料接触导电通孔的第一侧壁表面，第二介电材料接触导电通孔的第二侧壁表面。第一介电材料包含第一材料组合物，且第二介电材料包含与第一材料组合物不同的第二材料组合物。
半导体装置

[发明专利]一种介孔二氧化硅可降解支架及其制备方法-CN201610182388.0在审
发明人：陶忠 -专利权人：柏为（武汉）医疗科技有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： A61F2/82 文献下载
摘要：本发明提供一种介孔二氧化硅可降解支架，包括可降解支架主体和装载了医用的金属镁以及抗炎药物的介孔二氧化硅，所述装载了医用的金属镁以及抗炎药物的介孔二氧化硅均匀分散在所述可降解支架主体中。本发明还提供了一种介孔二氧化硅可降解支架的制备方法。本发明的介孔二氧化硅可降解支架由于使用了介孔二氧化硅主要解决了目前可降解支架体积过大和置入后期支撑力不足的问题。另外，本发明的介孔二氧化硅可降解支架制备方法简单，成本低。
一种二氧化硅降解支架及其制备方法

[发明专利]一种介孔氧化铟的制备方法-CN201710424449.4在审
发明人：吴兴旺;王维 -专利权人：常州欧康铭化工有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔氧化铟的制备方法，属介孔材料领域。本发明首先以石英砂为原料制备二氧化硅，再与碱反应得到硅酸钠溶液，接着以花粉为模板，将花粉浸渍硅酸钠溶液中，再将内部具有硅酸钠溶液的花粉进行煅烧，得到介孔二氧化硅，再以介孔二氧化硅为模板浸渍硝酸铟溶液中，再煅烧后，用碱将二氧化硅溶出，即可得到介孔氧化铟，最后用水蒸气和二氧化碳对介孔氧化铟进行活化改性，增大其比表面积。本发明制备的介孔氧化铟孔径大小均一，制备过程中孔径大小易控制。
一种氧化制备方法

[发明专利]一种高稳定性一价铜改性介孔氧化物材料的制备及应用-CN201910641476.6在审
发明人：孙林兵;李玉霞;刘晓勤 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性一价铜改性介孔氧化物材料的制备及应用，包括一种高稳定性一价铜改性介孔氧化物材料，其包括，疏水涂层和一价铜改性介孔氧化物；其中，所述疏水涂层和所述一价铜改性介孔氧化物质量比为(0.02～0.5)∶1；以及一种一价铜改性介孔氧化物材料的制备方法，其为将疏水涂层涂覆到一价铜改性介孔氧化物表面。该高稳定性一价铜改性介孔氧化物材料的稳定性和抗湿性高，可以在燃料油脱硫、烯烃烷烃分离和一氧化碳回收中的应用。
介孔氧化物一价铜改性高稳定性疏水涂层制备应用一氧化碳回收燃料油脱硫抗湿性铜改性质量比涂覆烷烃烯烃

[发明专利]介孔碳包覆硅负极材料的制备及产品和应用-CN201811593267.0在审
发明人：何丹农;卢玉英;张芳;吴晓燕;张道明;王亚坤;金彩虹 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种介孔碳包覆硅负极材料的制备及产品和应用，纳米硅粉超声分散后，加入正硅酸乙酯和十八烷基三甲氧基硅烷，室温搅拌，离心，烧制，得到表面包覆介孔硅的纳米硅。以介孔硅包覆纳米硅为模板，加入碳源和有机溶剂，混合，煅烧，使其碳化，得到介孔碳包覆硅的复合粉体。将复合粉体在氟化氢溶液中洗涤，除去介孔硅和硅氧化物，干燥得到介孔碳包覆硅负极材料。本发明方法得到的介孔碳包覆硅负极材料的粒径为50‑80nm，将其组装成扣式电池，测试具有高的可逆容量，优良的倍率性能，高的循环稳定性。
介孔碳包覆硅负极材料介孔复合粉体纳米硅制备十八烷基三甲氧基硅烷氟化氢溶液循环稳定性正硅酸乙酯倍率性能表面包覆超声分散硅氧化物可逆容量扣式电池纳米硅粉室温搅拌有机溶剂硅包粒径碳化煅烧烧制洗涤应用组装测试

[发明专利]一种介孔二氧化硅纳米肥料的制备方法及其产品-CN202010433299.5在审
发明人：孙德权;谢江辉;陆新华;李普旺;胡会刚 -专利权人：中国热带农业科学院南亚热带作物研究所
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C05G3/40 文献下载
摘要：一种介孔二氧化硅纳米肥料的制备方法及其产品，制备方法包括制备介孔二氧化硅纳米(MSNs)材料，制备巯基修饰的纳米介孔二氧化硅，用于包载尿素，然后用1‑癸硫醇对巯基修饰的二氧化硅纳米介孔进行封堵，从而制备出介孔二氧化硅纳米肥料同时，利用合适的门控分子覆盖介孔入口，将肥料封闭在介孔内，以防止其早期泄露。以谷胱甘肽作为激发因子与门控分子相互反应，调节并控制肥料的释放速度。
一种二氧化硅纳米肥料制备方法及其产品

[发明专利]一种介孔煤系高岭石储能相变材料及其制备方法-CN202110787361.5在审
发明人：程宏飞;张蒙;张浩;艾博;徐培杰;赵炳新 -专利权人：中国矿业大学（北京）
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体地说，涉及一种介孔煤系高岭石储能相变材料及其制备方法。所述的介孔煤系高岭石储能相变材料包括如下组分：介孔煤系高岭石33～60wt％和石蜡40～67wt％。制备方法为：先采用二甲基亚砜对煤系高岭石进行有机改性得到有机改性的煤系高岭石，再将有机改性的煤系高岭石进行煅烧、碱活化和酸刻蚀得到介孔煤系高岭石；然后将所得的介孔煤系高岭石和石蜡进行真空浸渍复合，即得。本发明首先制得了一种大比表面积的介孔煤系高岭石，进而制备出石蜡/介孔煤系高岭石复合储能相变材料，提升了煤系高岭石对于石蜡的吸附能力，从而大幅提升了复合相变材料的储热性能。
一种煤系高岭石储能相变材料及其制备方法

[发明专利]一种基于静电纺丝技术的锆掺杂介孔分子筛纤维制备方法-CN202210184888.3在审
发明人：郭贵锋;喻金江;曹七;季小三 -专利权人：南通惠尔船舶科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B01J20/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于静电纺丝技术的锆掺杂介孔分子筛纤维制备方法，制备锆掺杂介孔分子筛的材料包括介孔分子筛SBA‑15、金属锆盐、铵盐以及溶剂无水乙醇，将SBA‑15、金属锆盐、铵盐以及溶剂无水乙醇按照一步水热法进行制备，最终得到锆掺杂介孔分子筛纤维。一种基于静电纺丝技术的锆掺杂介孔分子筛纤维制备方法，具有较好吸附‑脱附性能，材料基于静电纺丝技术进行制备，通过在介孔分子筛SBA‑15引入金属离子，提高锆掺杂介孔分子筛纤维材料对CO2吸附能力，且可重复使用
一种基于静电纺丝技术掺杂分子筛纤维制备方法

[发明专利]一种微环境响应型脂质介孔硅核壳纳米递送载体及其制备方法与应用-CN202210786301.6在审
发明人：杨硕晔;张梦玮;杨珂莹;史亚莉;杨亚南;张倍倍;崔兰 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： A61K47/69 文献下载
摘要：本发明公开了一种微环境响应型脂质介孔硅核壳纳米递送载体及其制备方法，包括以下具体：(1)将介孔二氧化硅纳米粒依次进行氨化、羧基化后，制备含有二硫键的介孔硅；(2)将所述含有二硫键的介孔硅和脂质体混合后处理得到脂质体包覆的脂质‑介孔硅复合纳米粒；(3)分别采用TPGS和HA对所述脂质‑介孔硅复合纳米粒进行修饰，即得一种微环境响应型脂质介孔硅核壳纳米递送载体。
一种环境响应型脂质介孔硅核壳纳米递送载体及其制备方法应用