“介孔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4278517个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]介孔丝光沸石的合成方法-CN201010116302.7有效
发明人：祁晓岚;陈雪梅;孔德金 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C01B39/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔丝光沸石的合成方法，主要解决以往技术中存在的制备介孔沸石需要价格昂贵的材料作为介孔模板，合成过程复杂、成本高的问题。本发明通过采用将硅源、铝源、有机胺结构导向剂SDA、高分子介孔模板剂R和水混合，混合物中硅源、铝源、有机胺结构导向剂SDA和水的摩尔比组成为：SiO2/Al2O3＝8～500，H2O/SiO2＝5～100，SDA/SiO2＝0～0.5，高分子介孔模板剂R与SiO2的重量比为R/SiO2＝0.05～3；将混合物在100～200℃，晶化1～10天得结晶产物，结晶产物经洗涤、干燥、焙烧得所述介孔丝光沸石，其中，高分子介孔模板剂R选自淀粉、糊精、纤维素、聚乙二醇、聚乙烯醇、聚醚、聚乙烯醇缩甲醛或聚乙烯醇缩丁醛中的至少一种的技术方案较好地解决了该问题。本发明合成的介孔丝光沸石具有微孔-介孔复合孔结构，沸石合成过程简单，可以低成本合成具有复合孔结构的介孔丝光沸石，取得了较好的技术效果，可用于介孔丝光沸石的工业生产中。
丝光合成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210269912.3在审
发明人：林俊宏;蔡高财;刘重显;郭子豪;朱彦瑞 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在第一主动区、第二主动区及第三主动区之上形成第一介电层。在第一介电层中形成图案化区域，图案化区域包括空腔区及围绕介电区的介电区，且介电区对应于第二主动区。在空腔区中形成填充层。在第一介电层上形成盖层。在盖层之上形成第二介电层。形成贯穿第二介电层、盖层与第一介电层的多个第一接触孔与至少一第二接触孔。每个第一接触孔暴露对应的第一主动区的一部分，第二接触孔取代介电区并暴露第二主动区的一部分。在第一接触孔与第二接触孔中填入金属层。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]介孔硅载药体系及制备方法和介孔硅载药-CN202210409398.9有效
发明人：董会;陆骊工;代毅;潘金龙;黄姝珂;占美晓 -专利权人：中国工程物理研究院机械制造工艺研究所;珠海市人民医院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： A61K47/04 文献下载
摘要：本发明公开了介孔硅载药体系及制备方法和介孔硅载药，介孔硅载药体系，以介孔二氧化硅作为载体，所述介孔二氧化硅的表面通过表面氨基化处理后连接肉桂醛，以β‑环糊精包覆的金纳米颗粒作为介孔二氧化硅的堵孔剂。本发明通过环糊精与肉桂醛之间的超分子主客体作用快速组装，完成载体的构建；载药体系遇到酸性环境时，亚胺触发断裂，金颗粒离开介孔二氧化硅，药物得以释放；同时，载体构建与解体前后整个体系都是无毒、生物相容度高且可生物降解的，即介孔硅载药能够快速构建载药载体且能在酸性环境下响应触发释放药物，可以快速递送药物到特定部位，为药效时间短的药物的靶向输送提供可能，具有广阔的应用前景。
介孔硅载药体系制备方法

[发明专利]一种可重构电磁超材料-CN202010783100.1有效
发明人：王启东;万伟康 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可重构电磁超材料，包括多个电磁超材料单元，每个电磁超材料单元包括沿预设方向依次设置的：第一介质板、第二介质板、金属反射地板、第三介质板、气压开关，其中，第二介质板内部设置有阶梯式空槽和垂直通孔，阶梯式空槽的底部与垂直通孔连通；第三介质板内部设置有液态金属储液槽，液态金属储液槽与第二介质板中的垂直通孔连通；金属反射地板，由带孔的金属贴片组成，中心设置有开孔，与垂直通孔连通；气压开关设置在第三介质板的底部，并与第三介质板中液态金属储液槽连通。
一种可重构电磁材料

[发明专利]一种电磁超表面-CN202010786025.4有效
发明人：万伟康;王启东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电磁超表面，包括多个编码子模块，每个编码子模块包括沿预设方向依次设置的：第一介质板、第二介质板、金属反射地板、第三介质板、气压开关，其中，第二介质板内部设置有基本单元空槽和垂直通孔，基本单元空槽的底部与垂直通孔连通；第三介质板内部设置有液态金属储液槽，液态金属储液槽与第二介质板中的垂直通孔连通；金属反射地板，由带孔的金属贴片组成，中心设置有开孔，与垂直通孔连通；气压开关设置在第三介质板的底部，并与第三介质板中液态金属储液槽连通
一种电磁表面

[发明专利]一种含介孔/大孔的氧化铝载体及其制备方法-CN201611228490.6有效
发明人：董静;王廷海;李福崇;宋同江;鲁鸿;张华强;崔英;龚光碧;郑聚成;李晶;梁滔;丛日新 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B01J21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种含介孔/大孔的氧化铝载体，孔径分布10～200nm，总孔容0.8～2.2ml/g，孔径呈双峰分布，其中10～50nm的介孔孔容占总孔容的10％～50％，50～200nm的大孔孔容占总孔容的含介孔/大孔的氧化铝载体具有孔径大小可调节，介孔/大孔比例可以有效控制的特点。本发明还涉及一种含介孔/大孔的氧化铝载体的制备方法。
一种含介孔氧化铝载体及其制备方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201611191301.2有效
发明人：吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底中形成开口；在开口中形成低k介电块；在低k介电块中形成至少一个通孔；以及在通孔中形成导体。该互连结构包括衬底、介电块和导体。衬底具有位于其中的开口。介电块位于衬底的开口中。介电块具有位于其中的至少一个通孔。介电块的介电常数小于衬底的介电常数。导体位于介电块的通孔中。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体存储器及其制备方法-CN201910917038.8在审
发明人：赵哲 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器制备方法，包括：在半导体基底上形成有第一介质层，第一介质层内部形成有位线；开设依次贯穿第一介质层和位线的接触孔，接触孔的内壁和第一介质层的表面形成有第二介质层，接触孔底部的第二介质层与源区接触；利用第一刻蚀剂对第二介质层进行第一步刻蚀，去除位于接触孔底部和第一介质层上表面的第二介质层，保留接触孔侧壁的第二介质层；利用第二刻蚀剂对源区进行第二步刻蚀，通过接触孔刻蚀掉部分源区，第二刻蚀剂对源区和第二介质层的刻蚀选择比大于通过两步不同的刻蚀，保留侧壁第二介质层的完整且增大源区开口，降低第一导电层与源区的接触电阻。
半导体存储器及其制备方法

[实用新型]介质移相器介质结构-CN201721355880.X有效
发明人：何建华;欧世晓;褚庆臣;魏国勇;钟剑贞;吴哲才;梁嘉驹;陈章福;孔庆泉;李泓霖;张理栋 -专利权人：广东通宇通讯股份有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种介质移相器介质结构，包括：第一介质板、第二介质板以及夹设于第一介质板与第二介质板之间的PCB板；第一介质板一端设置有卡扣、另一端设置有卡槽；第二介质板相应在一端设置有与第一介质板的卡扣适配的卡槽、另一端设置有与第一介质板的卡槽适配的卡扣；PCB板上开设有直线型且延伸方向相同的第一导向孔和第二导向孔；第一介质板的卡扣穿过第一导向孔与另一介质板的卡槽扣合并能在第一导向孔内滑动，第二介质板的卡扣穿过第二导向孔与第一介质板的卡槽扣合并能在第二导向孔内滑动
介质移相器结构

[发明专利]通过脱硅法合成介孔纳米尺寸β沸石的方法及其用途-CN202310016094.0在审
发明人： L·丁;萨米尔·阿勒-加姆迪 -专利权人：沙特阿拉伯石油公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：纳米尺寸介孔沸石β组合物和合成方法以及所述纳米尺寸介孔沸石β的用途。在不添加结构导向剂(SDA)的情况下，使用脱硅法合成纳米尺寸介孔沸石β。还提供了使用纳米尺寸介孔沸石β对烃原料进行加氢裂化的方法。
通过脱硅法合成纳米尺寸方法及其用途

[发明专利]微-介孔柱撑蒙脱土载钴催化剂及其制备方法和应用-CN201310617058.6有效
发明人：刘忠文;郝青青;马跃龙;张圣鹏;刘昭铁;姚晓强;肖克勤;赵永华 -专利权人：中国华电集团科学技术研究总院有限公司;陕西师范大学
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：发明公开了一种微-介孔柱撑蒙脱土载钴催化剂及其制备方法和应用。该催化剂的载体是Al2O3-微-介孔柱撑蒙脱土、SiO2-微-介孔柱撑蒙脱土或ZrO2-微-介孔柱撑蒙脱土，活性组分是金属Co，微-介孔柱撑蒙脱土的比表面积为200～500m2/g，微孔孔容为0.03～0.09cm3/g，介孔孔容为0.20～0.50cm3/g，金属Co的负载量为15%～30%。本发明先通过表面活性剂对柱撑蒙脱土进行改性，制备成微-介孔柱撑蒙脱土，再采用等体积浸渍法制备成微-介孔柱撑蒙脱土负载钴催化剂，该催化剂可用于费-托合成反应并高选择性的合成C20+的烃类产物。
介孔柱撑蒙脱土载钴催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种超高比表面积介孔炭纳米球及其制备方法和应用-CN201611189355.5有效
发明人：吴丁财;唐志伟;符若文;刘绍鸿;郑冰娜 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高比表面积介孔炭纳米球及其制备方法和应用。其中，所述超高比表面积介孔炭纳米球由苯胺、吡咯和嵌段共聚物通过共聚诱导自组装法制备的介孔炭纳米球前驱体高温炭化制得。所述超高比表面积介孔炭纳米球具有介孔/微孔壳层结构，直径为200～800nm，介孔大小为6～20nm，比表面积为372～2520m²/g，总孔容为0.24～1.43cm^{3所述的超高比表面积介孔炭纳米球结合了多孔炭材料与介孔材料的独特优势，具有较大的比表面积和孔容，良好的导电性和离子传输性能，适量的氮掺杂以及骨架壁上的可修饰性，使其在能源、催化、吸附、生物医学等诸多领域具有广泛的应用前景}
一种超高表面积介孔炭纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种介孔碳的制备方法-CN201710450812.X在审
发明人：杜艳;王春宇;陈日志 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种介孔碳的制备方法，属于吸附技术领域。所述介孔碳是以ZIF‑8为前驱体，采用缓慢程序升温碳化的方法将ZIF‑8煅烧，并控制初始氧气的浓度，生成介孔碳材料。此发明的优点在于，在ZIF‑8碳化过程中添加微量氧气，提高了碳化材料的介孔率，制备的介孔碳在亚甲基蓝吸附实验中展现出优异的吸附性能。
一种介孔碳制备方法

[发明专利]一种石墨烯层间嵌入有序介孔碳的材料、其制备方法及用途-CN202310380214.5在审
发明人：杨继;汤丹瑜;杨乾栩;刘泽;刘春波;唐石云;朱瑞芝;李振杰;蒋薇;司晓喜;张凤梅;刘志华;李萌;朱洲海;彭琪媛;徐艳群;朱志杨;苏钟璧 -专利权人：云南中烟工业有限责任公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯层间嵌入有序介孔碳的材料，所述材料为单层石墨烯与单层有序介孔碳层的有序交替堆叠而成，所述石墨烯与有序介孔碳的质量比为(1.0‑2.0)∶1；所述有序介孔碳为面心立方结构。本发明还公开了所述石墨烯层间嵌入有序介孔碳的材料的制备方法及用于用于电极材料、催化材料的用途。
一种石墨烯层间嵌入有序介孔碳材料制备方法用途

[发明专利]用于检测敌敌畏的基于CsPbBr3-CN201910814721.9有效
发明人：梁勇;张立国;黄宁 -专利权人：中山良创印迹材料科技有限公司;华南师范大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于检测敌敌畏的基于CsPbBr3量子点的分子印迹介孔材料的制备方法，其包括以下步骤：合成介孔；原位制备钙钛矿量子点；制备基于CsPbBr3量子点的分子印迹介孔材料。本发明的方法成功制备了具有规则孔道介孔结构的分子印迹介孔材料，其对敌敌畏响应特异性高，检测快速灵敏，回收率高。
用于检测敌敌畏基于 cspbbr base sub