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[发明专利]纳米二硫化钼润滑油及其制备方法-CN201811014596.5有效
发明人：易美荣;张晨辉;王岩;雒建斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C10M125/22 文献下载
摘要：本发明提出了纳米二硫化钼润滑油及其制备方法。该制备纳米二硫化钼润滑油的方法包括：(1)配制反应液，其中，反应液包括含钼化合物、含硫化合物和有机胺；(2)对反应液进行加热反应，以获得二维纳米片状二硫化钼；(3)通过超声分散，将二维纳米片状二硫化钼分散在基础油中，以获得纳米二硫化钼润滑油。本发明所提出的制备方法，在制备二维纳米片状二硫化钼时采用有机胺作为反应溶剂，不仅能制备出超薄层状的二维纳米片状二硫化钼，并且，还能使二维纳米片状二硫化钼的表面修饰有油胺分子，从而增加其在润滑油中的分散稳定性，进而提高纳米二硫化钼润滑油的减摩和抗磨性能。
纳米二硫化钼润滑油及其制备方法

[发明专利]基于二硫化钼网络结构的纳米材料及其制备方法、应用-CN202310424628.3有效
发明人：杨文府;汪雯雯;张文凯;郭绍辉;郝晓阳;马玉龙;郭祺;李佳芳;姜姝芬;殷亮;冯婧;张丽芳 -专利权人：山西省煤炭地质物探测绘院有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于二硫化钼网络结构的纳米材料及其制备方法，该方法为：将半胱氨酸的水溶液和无水钼酸钠的水溶液混合，然后进行超声处理，得到二硫化钼前驱体溶液；将二硫化钼前驱体溶液进行水热反应，反应结束后，进行清洗离心，得到二硫化钼纳米球材料；将二硫化钼纳米球材料加入甲苯溶液中，超声后进行离心清洗，得到具有二硫化钼纳米球网络结构的纳米材料。上述基于二硫化钼网络结构的纳米材料用于去除甲醛。本发明中采用二硫化钼，二硫化钼是新型二维材料，吸收范围为紫外光区域到可见光区域，在其边缘有良好的催化活性位点，可以有效地吸附和降解甲醛。
基于二硫化钼网络结构纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种利用超临界流体辅助剥离制备二硫化钼纳米片层的新方法-CN201510124176.2在审
发明人：赵健;殷耀禹;莫志超 -专利权人：青岛科技大学;赵健;殷耀禹
申请日： 2015-03-21 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用超临界技术,将二硫化钼在超临界流体中剥离成二硫化钼的新方法.包括以下步骤:步骤一、将二硫化钼与水合肼混合，高温反应。然后过滤、干燥得预处理二硫化钼。步骤二、预处理二硫化钼与溶剂混合，将温度升至溶剂超临界温度，反应一段时间。步骤三、反应结束，将反应器迅速降温。步骤四、过滤，干燥得二硫化钼纳米片层。该方法操作简单，所得二硫化钼纳米片层缺陷少，片层大。
一种利用临界流体辅助剥离制备二硫化钼纳米新方法

[发明专利]二硫化钼量子点、改性二硫化钼量子点及二者的制备方法和应用-CN202210052903.9有效
发明人：姚二冬;李源;许航;李伯钧;周福建;余果林;左洁;杨凯 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硫化钼量子点、改性二硫化钼量子点及二者的制备方法和应用。该硫化钼量子点的制备方法包括：将钼源和硫源加入第一溶剂中，预搅拌后进行水热反应，从而得到所述二硫化钼量子点；其中，所述钼源和硫源的摩尔比为2‑10:1。本发明降低通过二硫化钼量子点尺寸，并强化二硫化钼量子点与改性剂之间的作用，使改性后的二硫化钼量子点具有良好的稳定性和驱油能力。
二硫化钼量子改性二者制备方法应用

[发明专利]一种超声辅助化学插层制备二硫化钼纳米片的方法-CN201410512418.0在审
发明人：宇文力辉;汪联辉;于欢;张琦;张玉倩 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超声辅助化学插层的制备二硫化钼纳米片的方法，属于二硫化钼纳米片制备领域。本发明方法包括如下步骤：将二硫化钼粉末和正丁基锂在高纯氩气的保护下，室温下超声反应，得到锂插层的二硫化钼。向反应物中加入超纯水，将二硫化钼块体材料进行化学剥离，得到单层的二硫化钼纳米片，加入无水乙醇清洗，通过超纯水分散，高速离心分离后，得到可在水中分散的单层二硫化钼纳米片材料。本发明提供的二硫化钼纳米片制备方法，相对于传统的通过化学插层制备二硫化钼纳米片的方法，具有反应速度快、反应产率高、剥离效果好、操作简单、反应条件温和、易于大规模生产的特点。
一种超声辅助化学制备二硫化钼纳米方法

[发明专利]一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器及其制造方法-CN201510886867.6在审
发明人：徐志娟;林时胜;李晓强 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/半导体异质结光电探测器该二硫化钼/半导体异质结光电探测器自下而上依次有背电极层、半导体衬底层、二硫化钼层,在二硫化钼层上设有彼此分隔的两块表面电极，在两块表面电极之间的二硫化钼层上还具有量子点层其制造步骤包括：先在半导体衬底背面制作背面电极层，然后将二硫化钼转移至半导体衬底层上，之后在二硫化钼层上制作表面电极，并在二硫化钼层上制作量子点层。本发明的二硫化钼/半导体异质结光电探测器通过增设量子点层辅助增强器件的光吸收，获得的光电探测器光响应灵敏，探测能力高，能够自驱动，应用领域广泛。
一种二硫化钼半导体异质结光电探测器及其制造方法

[发明专利]一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼的方法-CN201610964523.7有效
发明人：胡平;王快社;陈震宇;周宇航;常恬;杨帆;胡卜亮;李秦伟;邓洁;刘晓平 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种蛋白类物质还原制备类石墨烯二硫化钼的方法，将二硫化钼粉末加入到插层溶液中进行插层反应，反应完成后过滤、烘干，得到插层二硫化钼粉末；将步骤一制得的插层二硫化钼粉末与蛋白类物质和水混合并搅拌均匀，干燥、研磨，得到前驱体粉末；前驱体粉末在保护气体下进行还原反应，反应完全后冷却，取出反应产物，研磨后即得到类石墨烯二硫化钼。本发明利用蛋白类有机碳源与二硫化钼混合形成前驱体，使得有机碳源插入二硫化钼粉末层间增大其层间距离，减弱二硫化钼层间范德华力作用，结合蛋白类有机碳源加热碳化促使实现二硫化钼的还原与剥离。
一种蛋白物质还原制备石墨二硫化钼方法

[发明专利]一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用-CN201710414257.5在审
发明人：江潮;董骥;王嘉玮;刘风景 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用。在所述层状二硫化钼场效应晶体管中，在所述层状二硫化钼表面覆盖F4‑TCNQ分子层。本发明将有机小分子F4‑TCNQ覆盖于二硫化钼上，二硫化钼由硫空位自掺杂的电子将自发注入到F4‑TCNQ中，降低二硫化钼中的电子浓度，达到降低二硫化钼场效应晶体管的开启电压的目的。使用本发明的二硫化钼场效应晶体管可以实现低栅压下NH3传感器的功能。
一种层状二硫化钼场效应晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法-CN202211172491.9在审
发明人：佟瑞庭;李士林;王静岩;强宝宝 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法，首先通过开源软件LAMMPS构建无缺陷单层二硫化钼分子动力学模型，得到原子坐标；其次，通过分析六种点缺陷二硫化钼的原子缺陷形式得到其缺陷原子间的坐标关系，通过原子间的坐标关系进行编程，得到处理六种点缺陷二硫化钼原子坐标程序，最后，将无缺陷单层二硫化钼原子坐标导入程序中进行操作，得到特定缺陷与特定缺陷浓度的单层二硫化钼分子动力学模型，为在纳米尺度研究单层缺陷二硫化钼各项性能中点缺陷二硫化钼建模提供了参考
一种点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法

[发明专利]一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法-CN202111028757.8在审
发明人：胡忠强;赵亚楠;朱媛媛;刘明;胡天存;王新波;张毅;崔万照 -专利权人：西安交通大学;西安空间无线电技术研究所
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种原子层数可控的二硫化钼薄膜及其制备方法，包括基片和抑制二次电子发射层；抑制二次电子发射层设置在基片上；抑制二次电子发射层包括若干层单原子二硫化钼层，若干层单原子二硫化钼层叠加设置。利用磁控溅射技术生长厚度可控的二硫化钼薄膜，首次实现了使用磁控溅射技术生长单层及多层的层数可通过溅射时间控制的二硫化钼薄膜，二硫化钼薄膜相对于同样是二维材料的石墨烯，通过层数调节的费米能级，且对于石墨烯的零带隙，二硫化钼薄膜具有带隙，其中二硫化钼具有直接带隙，介于二硫化钼的优点，以及其本身较低的二次电子发射系数，首次将磁控溅射制备的二硫化钼薄膜应用于对二次电子发射的抑制中，有效的降低了器件的二次电子发射系数。
一种原子层数可控二硫化钼薄膜及其制备方法

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010057982.3在审
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用-CN202010716602.2有效
发明人：蒲吉斌;曾春;王海新;王立平;薛群基 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。本发明的二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求
二硫化钼硫化多层薄膜及其制备方法应用

[发明专利]铜-二硫化钼自润滑导电涂层及其制备方法-CN201210190235.2有效
发明人：梁波;温银堂;甄文柱;王文魁 -专利权人：燕山大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明公开一种铜-二硫化钼自润滑导电涂层及其制备方法。该涂层以铜和二硫化钼粉末为原料，采用烧结破碎法制备铜-二硫化钼复合粉末，利用大气等离子喷涂技术制备铜-二硫化钼复合涂层。本发明所制得铜-二硫化钼复合涂层的组分含量为铜:二硫化钼:余量=(75~90):(8~22):(2~3)，厚度约为150~300μm。所得铜-二硫化钼复合涂层显著改善了真空下铜的摩擦磨损性能，是一种优良的固体导电自润滑涂层。
二硫化钼润滑导电涂层及其制备方法

[发明专利]一种氨基蒽醌敏化二硫化钼复合光催化抗菌材料及其制备方法-CN202111339510.8有效
发明人：陈鹏鹏;许晓庆;周艺峰;聂王焰;徐颖;曾少华 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： A01N59/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种氨基蒽醌敏化二硫化钼复合光催化抗菌材料及其制备方法，是首先通过锂离子插层法将块状二硫化钼剥离成片层状二硫化钼，然后通过超声作用将氨基蒽醌修饰到片层状二硫化钼上，即获得目标产物。本发明的方法可以显著提高二硫化钼的可见光吸收能力，从而提高二硫化钼的抗菌性能。
一种氨基蒽醌敏化二硫化钼复合光催化抗菌材料及其制备方法

[发明专利]一种可控间距的二硫化钼基调光玻璃及电化学制备方法-CN201811305347.1有效
发明人：李炫华;杨琳;辛旭;郭绍晖;宋亚茹 -专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种可控间距的二硫化钼基调光玻璃及电化学制备方法，通过在普通玻璃表面蒸镀三氧化钼，然后硫化，得到二硫化钼材料；再进行电化学插层，实现二硫化钼层间距的可控调节，改变二硫化钼薄膜对于可见光吸收范围调控在二硫化钼基调光玻璃制备中，通过改变电化学插层的电压和反应时间，调控二硫化钼的层间距，来改变二硫化钼薄膜对于可见光的吸收范围，达到实现玻璃调控可见光透过的目的。并且此二硫化钼薄膜直接生长于玻璃上，具有良好的稳定性。这种二硫化钼基调光玻璃的电化学制备进一步推进调光玻璃制备技术的发展及应用。
一种可控间距二硫化钼基调玻璃电化学制备方法