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[实用新型]硅太阳能电池双层减反射薄膜-CN200820215100.6有效
发明人：任向东;王敬蕊;左云翔 -专利权人：江阴海润太阳能电力有限公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅太阳能电池双层减反射薄膜，所述薄膜是在硅片衬底(1)正表面沉积一层氮化硅薄膜(2.1)，在氮化硅薄膜(2.1)上面再沉积一层二氧化硅薄膜(2.2)，形成氮化硅/二氧化硅双层反射薄膜(本实用新型薄膜比传统单层减反射薄膜具有更小的折射率，电池效率提高。
太阳能电池双层反射薄膜

[发明专利]一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法-CN202310602701.1在审
发明人：余黎明;刘巍;刘应军;易美军 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法，所属光通信技术领域，包括：第一二氧化硅层、金属层和第二二氧化硅层；通过在二氧化硅膜内部设置一层金属层，形成复合膜结构，金属层能够很好的释放和缓解二氧化硅膜的压应力，起到缓冲作用，从而能低整个膜系的应力，以减少划裂片工艺因二氧化硅应力过大导致二氧化硅薄膜破损的情况发生，提高产品良率。通过在膜系上刻蚀出第一接触口和第二接触口，使电极层能够与第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之间的金属层相连接，使电极层的电势和金属层的电势相同，进而使芯片的寄生电容的两电极间距减小，使得寄生电容增大，以使芯片能承受更大的冲击电压
一种激光器芯片保护膜结构及其制作方法

[发明专利]一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法-CN201110399567.7有效
发明人：赵立波;李支康;蒋庄德;郭鑫;张桂铭;黄恩泽;赵玉龙;苑国英 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01N33/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于痕量生化物质检测的CMUT及其制备方法，CMUT结构自上而下依次包括敏感识别材料层、作为上电极的重掺杂单晶硅层、二氧化硅绝缘层，以及二氧化硅支柱，所述二氧化硅支柱的中间部分形成有空腔，该空腔的下端被作为下电极的重掺杂单晶硅底座密封，所述空腔的周围与二氧化硅支柱相邻，上下两端分别与二氧化硅绝缘层和重掺杂单晶硅底座相邻，所述二氧化硅绝缘层与重掺杂单晶硅层共同形成整个CMUT结构的振动薄膜
一种用于痕量生化物质检测 cmut 及其制备方法

[发明专利]纳米二氧化硅改性沥青与玄武岩复合防水卷及制备方法-CN202210414613.4有效
发明人：肖立;杨小林;徐天勇;黄飞 -专利权人：四川杨氏达防水材料有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C08L95/00 文献下载
摘要：本发明公开了纳米二氧化硅改性沥青与玄武岩复合防水卷及制备方法，一种纳米二氧化硅改性沥青，按照质量百分比包括以下成分：石油沥青35％‑40％，SBS20％‑28％，SIS14％‑18％，纳米二氧化硅3％‑一种纳米二氧化硅改性沥青与玄武岩复合防水卷，包括纳米二氧化硅改性沥青、胎基、PE薄膜与玄武岩。本发明利用利用纳米二氧化硅升入渗透到SBS高分子化合物的π键附近，与有机分子电子云发生重叠，形成空间网状结构，增加改性沥青的低温柔性，提高了耐高温和防水性能。
纳米二氧化硅改性沥青玄武岩复合防水制备方法

[发明专利]核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠及其制备方法-CN201310179775.5有效
发明人：孙立国;吕莉丽;赵冬梅;张艳红;汪成 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠及其制备方法，它涉及一种金纳米粒子微珠及其制备方法。本发明为了解决现有的金属纳米结构拉曼光谱质量差的技术问题。核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠由核层和壳层组成，方法如下：制备二氧化硅纳米小粒子；制备二氧化硅纳米种子；制备核壳结构的二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子溶胶液；制备二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子；制备壳层带有氨基基团的二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子；制备核壳结构的二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子；制备核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠。
结构二氧化硅支持纳米粒子及其制备方法

[发明专利]基于二氧化硅薄膜的悬臂梁式点样针尖的集成制造方法-CN200510028451.7无效
发明人：丁桂甫;姚锦元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于二氧化硅薄膜的悬臂梁式点样针尖的集成制造方法，首先在双面抛光的硅基体表面，通过热氧化生长一层二氧化硅薄膜，然后两次通过光刻胶掩膜反应离子刻蚀工艺，在氧化膜上开出储液槽窗口，形成液体导引通道，并形成悬臂梁和针尖精细结构图案，然后在硅片的背面通过掩膜化学刻蚀开出背刻蚀单晶硅释放悬臂梁的窗口，采用KOH溶液各向异性刻蚀，去掉悬臂梁下面的硅基体，释放已经微加工成型的二氧化硅悬臂梁针尖，形成了透明的二氧化硅悬臂梁点样针尖。本发明以热氧化二氧化硅薄膜取代一般的单晶硅膜，作为结构材料用于制作悬臂梁式点样针尖，不但能够显著提高针尖和流体通道的亲水性，完全没有内应力问题，而且集成制造流程更加方便高效。
基于二氧化硅薄膜悬臂梁式点样针尖集成制造方法

[发明专利]一种绝热片、使用其的电子设备及绝热片的制造方法-CN201810908399.1有效
发明人：及川一摩;丰田庆;冈田伸二;酒谷茂昭 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：绝热片具有第1二氧化硅干凝胶层、第2二氧化硅干凝胶层和复合层。第1二氧化硅干凝胶层包含第1二氧化硅干凝胶，第2二氧化硅干凝胶层包含第2二氧化硅干凝胶。复合层位于第1二氧化硅干凝胶层与第2二氧化硅干凝胶层之间、且含有至少一种无纺布纤维和第3二氧化硅干凝胶。第3二氧化硅干凝胶位于无纺布纤维中的空间体积。
一种绝热使用电子设备制造方法

[发明专利]一种绝热片、使用其的电子设备及绝热片的制造方法-CN201680001196.3有效
发明人：及川一摩;丰田庆;冈田伸二;酒谷茂昭 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B5/24 文献下载
摘要：绝热片具有第1二氧化硅干凝胶层、第2二氧化硅干凝胶层和复合层。第1二氧化硅干凝胶层包含第1二氧化硅干凝胶，第2二氧化硅干凝胶层包含第2二氧化硅干凝胶。复合层位于第1二氧化硅干凝胶层与第2二氧化硅干凝胶层之间、且含有至少一种无纺布纤维和第3二氧化硅干凝胶。第3二氧化硅干凝胶位于无纺布纤维中的空间体积。
一种绝热使用电子设备制造方法

[发明专利]一种侧墙制作方法-CN200510028536.5有效
发明人：周贯宇;陈华伦;钱文生;陈晓波;郭永芳 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙制作方法，包括以下步骤，首先生长二氧化硅薄膜；再生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500－800埃的“D”形状的侧墙。本发明公开了一种侧墙制作方法，在硅片表面生长二氧化硅薄膜之后，重复第二步的在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜，以及第三步的侧墙刻蚀，可以在0.13微米以下的工艺中，可以得到理想的侧墙形貌。
一种制作方法

[发明专利]碳化硅二极管及其制备方法-CN202111458178.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京绿能芯创电子科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅二极管及其制备方法，包括碳化硅衬底、多层外延层、多个P型分压环、多个P型扩散区、肖特基势垒层、欧姆接触层、背面金属电极、正面金属电极、二氧化硅薄膜以及聚酰亚胺层；背面金属电极和碳化硅衬底均设置在欧姆接触层上；多层外延层设置在碳化硅衬底上；多层外延层的两端均设置有二氧化硅薄膜；聚酰亚胺层设置在二氧化硅薄膜上；正面金属电极的两端均设置在二氧化硅薄膜上；肖特基势垒层设置在多层外延层上。
碳化硅二极管及其制备方法

[实用新型]一种超硬魔镜光学玻璃面板-CN202022451646.5有效
发明人：沈江民 -专利权人：河南卓金光电科技股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超硬魔镜光学玻璃面板，包括电子浮法玻璃基片、玻璃基片空气面以及特殊功能膜系，所述电子浮法玻璃基片设置在所述玻璃基片空气面的一侧，所述特殊功能膜系设置在所述玻璃基片空气面的另一侧；该特殊功能膜系共分为十层，依次为第一层二氧化硅薄膜层、第二层三氧化二铌薄膜层、第三层三氧化二铌薄膜层、第四层二氧化硅薄膜层、第五层二氧化硅薄膜层、第六层三氧化二铌薄膜层、第七层三氧化二铌薄膜层、第八层二氧化硅薄膜层、第九层三氧化二铝薄膜层、第十层三氧化二铝薄膜层
一种魔镜光学玻璃面板

[发明专利]一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用-CN202210575773.7有效
发明人：冯宇;汪良君;管封;张文超;殷景华 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以聚酰亚胺为基体的传统复合材料薄膜通常介电常数低，并且掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将五氧化二铌施主掺杂二氧化硅颗粒a加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声，然后向混合溶液b中加入4,4′‑二氨基二苯醚，超声，再将3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐加入到混合溶液c中，搅拌得到混合溶液d；最后将混合溶液d成膜，得到施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜。本发明可获得一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用。
一种施主掺杂二氧化硅聚酰亚胺复合薄膜制备方法应用

[发明专利]制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法-CN200410016497.2无效
发明人：李东升;谢荣国;汪雷;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2004-02-20 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明的制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法是以石英玻璃或硅单晶为衬底，浸入含有单分散的球径相同的二氧化硅小球溶液中，用提拉沉积法在衬底上沉积得蛋白石薄膜，将蛋白石薄膜热处理后，再次浸入到含有与前次球径不同的二氧化硅小球溶液中，沉积另一层蛋白石薄膜并进行热处理，再放入化学汽相沉积装置或化学溶液中，在二氧化硅小球空隙中填入具有高介电率的IV族或IIVI族复合半导体材料。或者在得到第一层蛋白石薄膜后就填充具有高介电率的材料，然后再在其上用提拉法沉积第二层蛋白石结构的二氧化硅薄膜层，之后再次进行填充。最后，将薄膜放入稀释的氢氟酸中溶解掉二氧化硅球。本发明工艺简单，而且带隙可调，制得的光子晶体异质结薄膜，可在光电子器件和全光集成中得到广泛的应用。
制备蛋白石光子晶体异质结薄膜方法

[发明专利]氮化镓结晶的制造方法-CN98106378.0无效
发明人：油利正昭;上田哲三;马场孝明 -专利权人：松下电子工业株式会社
申请日： 1998-04-09 - 公布日： 1998-12-30 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2,然后,在该二氧化硅薄膜2上,形成单晶硅薄膜3,再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。
氮化结晶制造方法

[发明专利]核壳二氧化硅粒子及用于减少恶臭的用途-CN201480068570.2在审
发明人：潘桂生;苏曼·乔普拉 -专利权人：高露洁-棕榄公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及核壳二氧化硅粒子，其中每个核壳二氧化硅粒子包含二氧化硅核，并且所述二氧化硅核的表面被金属硅酸盐蚀刻，所述核壳二氧化硅粒子是通过以下步骤制备：i)将一定量在水中的二氧化硅粒子与一定量的碱混合以产生核壳二氧化硅粒子，其中所述碱包含一价金属离子，每个核壳二氧化硅粒子包含二氧化硅核，并且所述二氧化硅核的表面被一价金属离子的硅酸盐蚀刻；及ii)使在步骤i)中形成的核壳二氧化硅粒子与包含第二金属离子的金属盐反应以形成在二氧化硅核表面上包含第二金属离子硅酸盐的核壳二氧化硅粒子
二氧化硅粒子用于减少恶臭用途