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[发明专利]二极管的仿真方法-CN200810043905.1有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-11-04 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管的仿真方法，包括以下步骤：步骤一.确定二极管等效电路模型，所述二极管等效电路模型由第一二极管、第二二极管两只二极管并联组成；步骤二.在模拟实际二极管交流特性时，利用所述两只二极管的两组交流模型参数，完成模型对实际二极管电容与电压特性的拟合；在模拟实际二极管直流特性时，关断其中一只二极管，用另一只二极管的直流模型参数完成对实际二极管直流特性的拟合。采用该方法能精确地模拟二极管的特性。
二极管仿真方法

[发明专利]一种测量发光二极管热特性的方法及其装置-CN201410146466.2有效
发明人：钱可元;高亚楠 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量发光二极管热特性的方法及其装置，测量发光二极管热特性的方法包括动态定标阶段和静态测量阶段，动态定标阶段将发光二极管多次分别置于不同的环境温度下通入电流脉冲，测得不同的温度下发光二极管的电压电流特性曲线，静态测量阶段将发光二极管通入工作电流，测得发光二极管的电压与电流值，再结合不同的温度下发光二极管的电压电流特性曲线求得发光二极管的温升曲线；测量发光二极管热特性的装置包括脉冲恒流控制电路、数据采集器和控温单元本发明所提供的测量发光二极管热特性的方法结合采用动态定标和静态测量，提高了温升曲线的准确性，同时缩短了测量的时间。
一种测量发光二极管特性方法及其装置

[发明专利]有机发光二极管显示装置及其驱动方法-CN201510982945.2有效
发明人：金兑穹;金廷炫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示装置及其驱动方法，该有机发光二极管显示装置包括像素，像素中的每一个被配置成具有有机发光二极管，和用来控制流过有机发光二极管的电流的驱动开关。在补偿驱动开关的特性之后，有机发光二极管显示装置对有机发光二极管的劣化特性进行补偿。因此，有机发光二极管的劣化特性可以最大程度地反映到感测数据上。因此，可以精确地补偿有机发光二极管的劣化特性。
有机发光二极管显示装置及其驱动方法

[实用新型]一种能够实现智能评测的二极管应用电路实验装置-CN201921927173.2有效
发明人：程春雨;商云晶;吴雅楠;马驰 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种二极管应用电路实验装置，一种能够实现智能评测的二极管应用电路实验装置，包括通信接口并与其分别相连的二极管工作特性测试电路、稳压二极管工作特性测试电路、相同测试条件下不同二极管工作特性比较电路、稳压二极管输出带载能力测试电路及多路数据采集装置，另外，它还包括直流电源用于给装置中各部分电路供电。本实用新型可以帮助学生快速学习并掌握二极管的伏安特性及其应用、稳压二极管的伏安特性及其应用、相同测试条件下不同二极管导通特性比较、稳压二极管输出带载能力的计算和评估等模拟电路基本原理和基础知识及实践技能
一种能够实现智能评测二极管应用电路实验装置

[发明专利]使用量子点涂覆修复发光二极管的方法和设备-CN201080051518.8无效
发明人：金原南 -专利权人：塔工程有限公司
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及发光二极管修复方法和装置，其用于通过测量所制造的发光二极管的发射特性值并且在被选为缺陷产品的发光二极管上形成量子点层，来提高产量并且将被选为缺陷产品的发光二极管修复为发射颜色或者亮度提高的高质量发光二极管根据本发明的一方面，发光二极管的修复方法包括以下步骤：测量发光二极管的发射特性值；确定所测量的发射特性值在目标范围之外的相应发光二极管为缺陷发光二极管；以及在缺陷发光二极管的顶层上形成量子点层。
使用量子点涂覆修复发光二极管方法设备

[发明专利]发射调谐方法和利用方法制造的器件-CN200980121201.4有效
发明人： A·奇特尼斯;J·埃德蒙;J·C·布里特;B·P·克勒;D·T·埃默森;M·J·伯格曼;J·S·凯巴卢 -专利权人：克里公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种用于制造发光二极管(LED)芯片的方法，包括典型地在晶圆上提供多个发光二极管，并用转换材料涂敷所述发光二极管，以使至少一些来自所述发光二极管的光穿过所述转换材料并被转换。来自发光二极管芯片的光发射包括来自转换材料的光，典型性地与发光二极管的光相组合。至少一些发光二极管芯片的发射特性被测量，并且发光二极管上的至少一些转换材料被移除，以改变发光二极管芯片的发射特性。本发明特别地可应用于在晶圆上制造发光二极管芯片，其中发光二极管芯片具有在目标发射特性的范围内的光发射特性。该目标范围可落入CIE曲线上的发射区域内，以减少对来自晶圆的发光二极管的装仓的需求。通过对发光二极管上的转换材料微加工，晶圆中的发光二极管芯片的发射特性可被调谐至期望的范围。
发射调谐方法利用制造器件

[发明专利]一种采用二极管做传感器的温度测试电路-CN201510500207.X在审
发明人：姜迪蛟 -专利权人：成都易思科科技有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用二极管做传感器的温度测试电路，包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路，所述恒流源电路与二极管电路连接，所述的二极管电路包括硅二极管组，且硅二极管组的负极与恒流源电路连接，硅二极管组的正极与供电电源连接；利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路，用于对温度进行测试，整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
一种采用二极管传感器温度测试电路

[实用新型]一种采用二极管做传感器的温度测试电路-CN201520614155.4有效
发明人：姜迪蛟 -专利权人：成都易思科科技有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用二极管做传感器的温度测试电路，包括恒流源电路及用于作为温度传感器使用的二极管电路，所述恒流源电路与二极管电路连接，所述的二极管电路包括硅二极管组，且硅二极管组的负极与恒流源电路连接，硅二极管组的正极与供电电源连接；利用硅二极管的温度特性制成的传感器电路，用于对温度进行测试，整个电路具有设计简单、科学合理等特性。
一种采用二极管传感器温度测试电路

[实用新型]一种投影系统-CN201720247754.6有效
发明人：张保峰;姜訢;朱伟华 -专利权人：北京一数科技有限公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：一种投影系统，包括热传感器，控制器，激光二极管驱动器，和多个激光二极管，所述热传感器与控制器连接，控制器与激光二极管驱动器连接，激光二极管驱动器与系统中所有激光二极管连接，其特征在于所述多个激光二极管包括发射第一波长光的第一激光二极管、发射第二波长光的第二激光二极管和多个发射第三波长光的第三激光二极管。本实用新型在特定场合使用单色模式，结合光源的特性获得尽可能高的能耗比，使投出最佳显示效果，同时拥有最为经济的能耗消耗，同时结合人眼的敏感特性给出最为合适的眼睛感受特性。
一种投影系统

[发明专利]发光二极管晶粒测试装置及其测试方法-CN201210147116.9无效
发明人：曾国峰 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种发光二极管晶粒测试装置及其测试方法，用于测试一个发光二极管晶粒，该发光二极管晶粒测试方法包括以下步骤：承载该发光二极管晶粒；设定输出电源功率值；根据该输出电源功率值向该发光二极管晶粒提供输入电源以使发光二极管晶粒发光；测量该发光二极管晶粒发出的光的波长；根据该输出电源功率值、测量到的该发光二极管晶粒的发出的光的波长判断该发光二极管晶粒的光电特性是否满足该预定的光电特性，从而判断该发光二极管晶粒是否合格。
发光二极管晶粒测试装置及其方法

[发明专利]整流二极管装置及制造方法-CN200610019844.6有效
发明人：陈文彬 -专利权人：矽莱克电子股份有限公司
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种整流二极管装置及制造方法，该二极管装置的塑封体内包覆有多个连接端子与框架，该框架上设有电气特性相异的多个二极管晶体，且框架与多个连接端子依照二极管晶体的电气特性设置有粗细相异的输出/输入端，且输出/输入端延伸外露于塑封体外部；各二极管晶体依据本身的电气特性与各连接端子间设有对应的导通部；在使用时，可依照各二极管的电气特性与电路板连接；当相异的非均流电流或电压通过二极管装置时，各二极管晶体间将不会互相干扰，同时导通部依照各二极管晶体的电气特性设置，故不会发生烧毁的状况，本发明可提升电源供应器使用效率、提高电路布局的空间使用能力，并降低电源供应器的成本。
整流二极管装置制造方法

[发明专利]SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法-CN202010733221.5在审
发明人：游海龙;李文臻;曲程 -专利权人：西安电子科技大学;西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC JBS器件的高温高湿反偏应力损伤表征方法，包括：测量第一SiC JBS二极管的初始电学特性参数、初始噪声特性参数；对第一SiC JBS二极管在预设温度、预设湿度、预设反向偏压条件下暴露预设时间得到第二SiC JBS二极管；测量第二SiC JBS二极管的电学特性参数、噪声特性参数；得到电学特性参数漂移程度；得到噪声特性参数漂移程度。本发明可以更加敏感且全面地反映经过高温高湿反偏应力环境下应力后SiC JBS二极管的损伤程度。
sic jbs 器件高温高湿反偏应力损伤表征方法

[发明专利]一种N-P互补肖特基二极管结构-CN201010121451.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：一种N-P互补肖特基二极管结构，包括位于同一半导体衬底上的N型肖特基二极管和P型肖特基二极管，其中，N型肖特基二极管结构中包括与轻掺杂阱区直接接触的金属硅化物，而P型肖特基二极管不包括金属硅化物层。本发明提供的N-P互补肖特基二极管结构与传统的N、P肖特基二极管均包括金属硅化物层或均不包括金属硅化物层的N-P互补肖特基二极管相比，克服了金属材料氧化对N型肖特基结特性的影响，同时克服了金属硅化物对P型肖特基结特性的影响，实现了低功耗的技术指标，使得N、P肖特基二极管均具有优良的正向和反向特性，提高了N-P互补肖特基二极管的性能。
一种互补肖特基二极管结构

[发明专利]肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法-CN200710094241.7有效
发明人：周天舒 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管等效电路模型，不仅包括肖特基二极管的单体部分模型，同时包括和肖特基二极管的单体部分串联的寄生电阻和寄生电感部分。在模型的二个端口部分，分别并联了寄生PN结结构以及寄生的硅衬底结构。该模型完整地包括了涉及肖特基二极管物理结构的各个部分对肖特基二极管直流及高频电学特性的影响，因此可直接用于肖特基二极管直流及高频的电路仿真，可方便地用来模拟肖特基二极管直流及高频的电学特性。本发明还提出了基于上述模型的测试流程和参数提取方法，可较大地提高肖特基二极管等效电路电学模型参数的提取效率和模型对器件电学特性的拟合效果。
肖特基二极管等效电路模型及其参数提取方法

[发明专利]二极管-CN201510063849.8有效
发明人：木山诚;松浦尚;岛津充 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V_阻断²的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V_阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V_阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
二极管

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