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[发明专利]非对称共因失效条件下系统可靠性建模方法及装置-CN202310252028.3在审
发明人：刘征;涂亮;何振锋;刘昊东;李永杰 -专利权人：广州大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本说明书实施例提供了一种非对称共因失效条件下系统可靠性建模方法及装置，其中，方法包括：对失效原因进行定义，建立失效事件与失效原因之间的关联；针对共因失效对称性确定非对称类型；根据同一个失效原因引发多个元件发生失效，确定共因失效单元组；确定所述共因失效单元组之间耦合强度系数；对失效原因条件概率、失效原因存在时单元发生失效的概率和耦合强度系数进行参数评估；根据失效事件与失效原因之间的关联、非对称类型、共因失效单元组、失效原因条件概率、失效原因存在时单元发生失效的概率和耦合强度系数建立非对称共因失效条件下系统可靠性模型。
对称失效条件下系统可靠性建模方法装置

[发明专利]一种引调水工程运行过程的风险识别方法-CN201911239778.7有效
发明人：尚毅梓;李晓飞;臧聪敏;尚领;王双银;冶运涛;王玉川;蒋云钟;甘治国;马鑫;白云岗;卢振林;龚家国;胡连兴 -专利权人：中国水利水电科学研究院
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了本发明通过分析目标引调水工程可能发生的失效模式，全面识别出影响其供水水量和水质的失效原因与形成失效原因的因素；然后，创新构建了失效原因与形成失效原因的因素、失效原因与失效原因间的关联矩阵，利用该矩阵结合当前的环境因素可对即将到来的风险进行预警当目标引调水工程出现故障时，也可以通过该矩阵和具体故障快速定位引起故障的原因，便于快速解决故障问题。
一种调水工程运行过程风险识别方法

[发明专利]一种电容失效分析检测方法-CN201811437172.X在审
发明人：刘超伟;刘超勇;戈统;宋国飞 -专利权人：苏州天标检测技术有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容失效分析检测方法，包括如下步骤：外观检查；内视检测，通过探伤检测设备对失效电容进行失效点定位，并确定失效点位置；初步确认失效原因，根据失效点位置列出可能的失效原因；模拟试验，根据失效原因对良品电容进行针对性的通电模拟，验证可能的失效原因，并将良品电容在失效损毁后的失效点情况与失效电容的失效点位置进行比对，确定失效原因；金相检测，将失效电容制成失效点位置的金相切片并在金相显微镜下观察确认，再使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行扫面分析，验证确定电容失效损毁原因并给出分析结论。本发明能够快速、高效地确认电容失效的根本原因，通过电容失效分析实现对于电子系统的工作可靠性的提高。
电容失效原因失效点位置失效分析失效点切片良品损毁检测验证工作可靠性金相显微镜能谱分析仪电子系统根本原因金相检测模拟试验扫描电镜探伤检测外观检查再使用比对分析通电观察

[发明专利]一种汽车车窗开关失效的检测分析方法-CN201110178398.4无效
发明人：李红高 -专利权人：上海华碧检测技术有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明属于电子产品失效分析领域。本发明提供了一种汽车车窗开关失效的检测分析方法，包括以下步骤：A、对失效的汽车车窗开关样品进行失效定位，通过外观检查和电学测试，寻找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析与排查失效原因：对步骤B中的可能原因依次进行验证，以确定出具体的车窗开关失效原因；D、模拟重现失效现象，验证失效机理。本发明方法步骤简单清晰，能有效找出电子产品失效的多种原因；本发明方法中使用了“穷举法”使得引起电子产品失效的原因尽可能多地被查找出来；本发明方法中通过模拟重现失效现象以提高失效原因的真实性和可靠性，极大地减少了分析出错
一种汽车车窗开关失效检测分析方法

[发明专利]软件失效原因生成方法、装置及设备-CN201810860283.5有效
发明人：王航 -专利权人：百度在线网络技术（北京）有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F16/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种软件失效原因生成方法、装置及设备，其中，方法包括：获取多个软件失效文本；对多个软件失效文本进行分词，以生成多个软件失效文本分别对应的多个分词集合；根据多个分词集合对多个软件失效文本进行聚类以生成多个失效类；以及提取多个失效类的类簇标签，并根据失效类的类簇标签生成失效类的失效原因。由此，实现了自动生成失效类的失效原因，提高软件失效原因生成的效率和准确性，减少人工成本。
软件失效原因生成方法装置设备

[发明专利]一种排查带制动器电机的温度传感器失效原因的方法-CN202310569804.2在审
发明人：丁李宁;刘平;徐星 -专利权人：株洲齿轮有限责任公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01K15/00 文献下载
摘要：一种排查带制动器电机的温度传感器失效原因的方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤S1，拆解电机端盖令温度传感器裸露，观察温度传感器外观，判断温度传感器是否因过热损毁失效，如是则进入步骤S2；步骤S2，排查制动器线圈负极与温度传感器负极是否共地连接利用本专利提供的故障排查方法，能够准确复现温度传感器的故障现象，准确定位故障原因，有效的提高了检修效率，并根据故障原因提出了解决对策，避免了类似故障再次发生。
一种排查制动器电机温度传感器失效原因方法

[发明专利]芯片中模块的失效原因判定方法及晶圆结构-CN201110302425.4有效
发明人：赵志勇;杨兆宇;谢宝强;许宗能 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：芯片中模块的失效原因的判定方法包括以下步骤：在芯片所在的晶圆上设置可定位性测试的测试模块，且测试模块包含的器件类型与芯片中模块包含的器件类型相同；对测试模块进行测试，以此定位测试模块的失效位置；判定测试模块的失效位置的失效原因得出芯片中模块的失效原因晶圆结构，可应用于上述芯片中模块的失效原因的判定方法，它包括若干组芯片框、分布于芯片框内和芯片框之间的切割道；芯片框内设有芯片和测试模块；测试模块包含的器件类型与芯片中模块包含的器件类型相同；测试模块位于晶圆的切割道以外的位置本发明提供的芯片中模块的失效原因的判定方法可解决芯片中模块难以通过测试程序定位失效位置从而无法判定其失效原因的问题。
芯片模块失效原因判定方法结构

[发明专利]瓷外壳功率型电阻器开封分析方法-CN202111460764.5在审
发明人：范士海 -专利权人：航天科工防御技术研究试验中心
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本申请提供一种瓷外壳功率型电阻器开封分析方法，所述方法包括：失效点位置及失效原因分析方法；失效点位置及失效原因分析方法包括：获取电阻器的问题外观图像和问题内部图像；根据问题外观图像和问题内部图像确定疑似失效点位置；对电阻器的外壳进行化学溶解暴露出电阻膜；获取电阻膜的问题图像；结合问题图像和疑似失效点位置确定失效点位置；根据问题图像确定失效点位置的疑似失效原因；对电阻膜进行能谱分析得到能谱分析结果；结合能谱分析结果和疑似失效原因确定失效原因通过结构定位、物理测试和化学腐蚀相结合的方式进行开封分析，解决了瓷外壳功率型电阻器的失效分析问题，具有针对性强，操作简单的特点。
外壳功率电阻器开封分析方法

[发明专利]一种光耦失效分析方法-CN201110236987.3无效
发明人：李红高 -专利权人：上海华碧检测技术有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种光耦失效分析方法，该方法包括以下步骤：A、对失效光耦进行外观检查，查看是否有明显磨损、开裂等现象；B、对比失效光耦和良品光耦的电性测试图，分析可能的失效原因；C、对比失效光耦和良品光耦的X-Ray透射图片，寻找可能的失效原因；D、对失效光耦进行机械开封和化学开封，对开封后的失效光耦进行扫描电子显微镜观察和能谱仪分析；E、综合分析，确定失效光耦的具体失效原因。本发明有如下优点：本发明方法借助有限的分析仪器，在短时间内快速找到光耦失效的原因。
一种失效分析方法

[发明专利]嵌入在FMEA系统中的失效分析方法及装置-CN202110067723.3在审
发明人：曹旭峰;熊竹琴;杨莉萍;赵群峰;钟瑞玉 -专利权人：聪脉（上海）信息技术有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种嵌入在FMEA系统中的失效分析方法及装置，方法包括：采集目标企业的问题数据并存入企业失效问题库，分析企业失效问题库的问题数据以生成经验内容，并基于经验内容生成经验库；利用鱼骨图和产品设计原因图对问题数据分析，得到失效原因，并根据失效原因生成至少一个失效措施；调用经验库的经验内容，生成待分析FMEA项目中的失效模式及失效原因，并将与失效原因对应的至少一个失效措施带入FMEA项目中，经验内容可被横向展开到产品族
嵌入 fmea 系统中的失效分析方法装置

[发明专利]一种石化设备腐蚀失效原因的分析方法和系统-CN202011160756.4在审
发明人：张宏飞;李晓炜;包振宇;于凤昌;王宁;段永锋;李朝法 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中石化炼化工程（集团）股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F16/903 文献下载
摘要：本发明公开了一种石化设备腐蚀失效原因的分析方法和系统，涉及设备管线腐蚀失效技术领域。该分析方法包括：建立腐蚀数据库：腐蚀数据库内包含有以参数形式存储的石化设备的多种腐蚀类型以及每种腐蚀类型的相关信息数据；腐蚀失效原因分析：将采集的实际工况中的腐蚀失效的实时信息输入至腐蚀数据库中进行对比分析；确定腐蚀失效原因。通过该方法及系统可以对炼化企业相关腐蚀失效的设备管线进行腐蚀原因分析，协助设管理人员或腐蚀工程师明晰腐蚀机理和原因，并及时采取相应的防腐措施予以改善，避免同类腐蚀失效的再次发生，降低装置腐蚀失效风险，提高经济及社会效益
一种石化设备腐蚀失效原因分析方法系统

[发明专利]印制线路板翘曲分析方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202211618357.7在审
发明人：宁敏洁;李星星;何骁;周波 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：该方法包括：获取出现翘曲现象的失效印制线路板的基础信息；其中，基础信息包括失效印制线路板的线路分布图、失效印制线路板出现翘曲现象的阶段和翘曲类型、以及失效印制线路板的应用环境中的至少一项；进而基于根据基础信息，对已有翘曲原因进行补充，得到全局翘曲原因；之后根据全局翘曲原因，确定失效印制线路板出现翘曲现象的根本原因。上述方案，通过根据全面的全局翘曲原因，对失效印制线路板进行翘曲分析，可有效查找出印制线路板翘曲的根本原因，进而便于对翘曲进行有效预防。
印制线路板分析方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种油气田管道失效原因的分析方法-CN201810020957.0有效
发明人：陈宏健;唐德志;王晶;邢云颖;付勇;王坤;王修云 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司规划总院;安科工程技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： G01N27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种油气田管道失效原因的分析方法，该分析方法包括如下步骤：步骤1，现场查看并且记录管体信息和管道服役环境信息；步骤2，现场测试管体内部和失效位置相关的数据；步骤3，对油气田管道失效原因进行一级识别，步骤4，对油气田管道失效原因进行二级识别。本发明提供了一种全面、准确、科学且容易被现场技术人员掌握的油气田管道失效原因的分析方法，通过对失效管体和服役环境的现场查看、采样、测试等技术手段，并结合油气田管道失效的特征，达到将油气田管道失效原因进行逐一识别的目的，为提出经济可行的防护措施、降低油气田管道的失效率、确保油气生产作业正常进行提供了重要的数据基础。
一种油气田管道失效原因分析方法

[发明专利]材料失效分析方法-CN201610398677.4有效
发明人：刘鹏鹏;王彩梅;臧雨晨 -专利权人：上汽通用汽车有限公司;泛亚汽车技术中心有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料失效分析方法，其中，包括以下步骤：获取失效零件的失效背景；对失效零件进行外观检查，得到失效零件的失效信息；在材料失效分析数据库中查找与所述失效背景和/或所述失效信息匹配的材料失效数据，得到所述失效零件的预估失效原因；根据预估失效原因，对所述失效零件进行断口观察，得到所述失效零件的失效形式；采用材料分析法对所述失效零件与未失效零件进行对比分析，得到对比结果；根据所述失效形式和所述对比结果，确定所述失效零件的失效原因。利用本发明可提高材料失效分析人员的效率和水平。
材料失效分析方法

[发明专利]一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法-CN202110732566.3有效
发明人：王振宇;李运甲;孙晓华;金吉振;窦伟滔;王毓柱;朱郑允;郭清;刘晔 -专利权人：西安交通大学;浙江大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种判断浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的方法，在电动机驱动器和并网系统等高功率变换器中，SiC功率MOSFET及其体二极管可能会遭受大浪涌电流的冲击，需要研究SiC功率MOSFET的浪涌电流能力和浪涌电流可靠性并判断其失效原因。对于浪涌电流测试中SiC MOSFET失效原因的判断主要借助于器件解封后的失效观察，缺乏与电学性能有关的判断方法。本发明对SiC MOSFET在正栅偏浪涌电流测试中可能存在的失效原因，提出了一种与电学性能相关的判断方法，能够根据浪涌电流测试中浪涌电压波形的变化规律判断SiC MOSFET的失效原因，通过比较最大浪涌电流能力验证器件的失效原因，避免了对器件进行解封观察，减少了工作量，有利于了解器件的失效过程，补充了SiC MOSFET的可靠性研究。
一种判断浪涌电流测试 sic mosfet 失效原因方法

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