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[发明专利]一种在线式UPS三相输入分立整流与电池接入电路-CN202210079628.X在审
发明人：徐培宏;刘新华;田正德 -专利权人：武汉洲际电讯科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种在线式UPS三相输入分立整流与电池接入电路，包括输入滤波电路、三相输入分立整流与电池接入电路、晶闸管控制电路和主控制器，三相交流电接入输入滤波电路，输入滤波电路与三相输入分立整流与电池接入电路电连接，三相输入分立整流与电池接入电路与UPS升压储能电路电连接，电池与三相输入分立整流与电池接入电路电连接，晶闸管控制电路分别与主控制器和三相输入分立整流与电池接入电路电连接。三相交流电经过输入滤波电路滤波后，由三相输入分立整流与电池接入电路对每一相分别独立全波整流后输出至UPS升压储能电路，这样三相交流电每相工作状态互相不影响，使后端大功率升压储能更加可靠，有利于各个UPS
一种在线 ups 三相输入分立整流电池接入电路

[实用新型]一种可控半导体功率分立器件-CN202221527022.X有效
发明人：朱文锋 -专利权人：深圳市三联盛科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可控半导体功率分立器件，包括分立器件本体，所述分立器件本体前端左部和前端右部均开有槽口，所述分立器件本体外表面穿插活动连接有支撑装置，所述分立器件本体下端左部、下端中部和下端右部均固定连接有引线，三个所述引线等距离分布，三个所述引线共同穿插活动连接有连接壳体，所述连接壳体下端固定连接有三个防护壳体，通过将三个引线插入三个防护壳体内，再将连接壳体上的二号防滑条与分立器件本体外表面贴合，通过防护壳体将引线包裹本实用新型所述的一种可控半导体功率分立器件，安装效率高，使用效果好，稳定性高，适合半导体行业的使用。
一种可控半导体功率分立器件

[发明专利]处理层状结构的方法-CN202080020839.5在审
发明人： O.克拉克;L.特纳;B.E.海登;T.里斯布里杰;T.福利;S.阿格达伊 -专利权人：伊利卡科技有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：一种处理叠层以提供一叠分立层元件的方法，包括步骤：提供一叠层，该叠层包括：由第一材料提供的第一层(20)；由固体电解质提供的第三层(16)；和位于第一和第三层之间的第二层(18)，第二层具有至少500nm的厚度并由包含至少95原子％非晶硅的第二材料提供；移除第一层(20)的贯穿厚度部分以形成由第一材料提供的第一分立层元件(20a)；去除第二层(18)的贯穿厚度部分以形成由第二材料提供的第二分立层元件(18a)，第二分立层元件位于第一分立层元件(20a)和固体电解质之间；和使用第二分立层元件(18a)作为蚀刻掩模蚀刻第三层(16)，以形成由固体电解质提供的第三分立层元件(16a)；其中第一、第二和第三分立层元件提供该一叠分立层元件
处理层状结构方法

[发明专利]IGBT三分立交错式PFC型电源装置及其控制方法-CN202211286625.X有效
发明人：刘震;黄大强 -专利权人：深圳市安和威电力科技股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本发明公开一种IGBT三分立交错式PFC型电源装置及其控制方法，包括中心处理器、三相全波整流模块及三个分立交错PFC升压电路，三相全波整流模块包括三个整流单元，三个整流单元的输入端分别一一对应与三相交流市电电连接，三个整流单元的输出端分别对应与三个分立交错PFC升压电路电连接，三个分立交错PFC升压电路分别与中心处理器电连接，三个分立交错PFC升压电路的输入端还分别与外部的直流电源电连接。本发明通过设置三个整流单元及三个分立交错PFC升压电路，可以将三相交流电源拆分成三个单相交流电源，并对三个单相交流电源单独进行PWM脉宽调制，再经过升压电感、滤波电容滤波后输出成低纹波大功率稳定的直流电压
igbt 分立交错 pfc 电源装置及其控制方法

[实用新型]汽车氙气灯数字电子镇流器-CN200820033758.5无效
发明人：秦传宝;汪劲松;毛明权 -专利权人：巢湖凯达照明技术有限公司
申请日： 2008-04-03 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H05B41/285 文献下载
摘要：其技术要点是：构成全桥驱动电路的第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管的栅极，分别由与其相对应的第一分立电路、第二分立电路、第三分立电路和第四分立电路的输出端连接；第一分立电路、第二分立电路、第三分立电路和第四分立电路的控制电压由控制电路控制。由于采用分立电路作为全桥驱动控制电路，避免其在使用过程中发生击穿现象；同时，可以降低整个汽车氙气灯数字电子镇流器的价格；还可以提高整个汽车氙气灯数字电子镇流器的抗干扰能力。
汽车氙气数字电子镇流器

[实用新型]高导热表面贴装分立器件封装结构-CN202222056274.5有效
发明人：朱文锋 -专利权人：深圳市三联盛科技股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了高导热表面贴装分立器件封装结构，包括壳体，壳体的左右两内壁均开设有三个滑槽，且同侧的三个滑槽呈纵向等距离分布，壳体的左右两端均贯穿开设有三个第一插槽，同侧的三个第一插槽呈纵向等距离分布，两个对应的滑槽共同可拆卸安装有放置组件，三个放置组件的上端均固定安装有分立器件，三个分立器件的上端均活动安装有夹持组件，且夹持组件与放置组件的面积尺寸相等，通过设置放置组件，达到及时散热、提高分立器件的使用寿命的目的；通过设置夹持组件，达到快速安装与拆除分立器件的目的。
导热表面分立器件封装结构

[发明专利]一种半导体分立器件测试工装-CN202210218225.9在审
发明人：丁加梅 -专利权人：丁加梅
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体分立器件测试工装，涉及半导体立器件领域。半导体分立器件测试工装包括：基座组件、容置工位组件、驱动组件、供料组件和测试组件。解除旋紧螺母对压盖板的压紧，第一固定杆在第一滑槽内滑动，通过该种方式，使不同内径的第一工位槽、第二工位槽和第三工位槽依次和容置槽对应，使不同规格的半导体分立器件穿过容置槽后落入与半导体分立器件相对应的第一工位槽、第二工位槽或者第三工位槽内，进而使该半导体分立器件测试工装可调节工位容纳槽直径，以此容纳不同直径的半导体分立器件，提高半导体分立器件和工位的契合度，减少效果半导体分立器件在工位内的位移，提高测试机构检测的准确性
一种半导体分立器件测试工装

[实用新型]一种分立器件驱动放大电路-CN202222499783.5有效
发明人：习建平 -专利权人：新干晶芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03F3/183 文献下载
摘要：本实用新型属于分立器件领域，尤其是一种分立器件驱动放大电路，针对现有分立器件驱动放大电路的输出端的功放管的耐压值BVceo不够高，便可能会将管子的集电极‑发射极击穿，可能会损坏分立器件的问题，现提出如下方案，其包括三极管BG1、三极管BG2、电阻R1和电阻R2，所述三极管BG1和三极管BG2并排设置，且三极管BG1和三极管BG2的一端引脚均与电阻R1相连接，三极管BG1和三极管BG2的另一端引脚分别连接有电阻本实用新型的分立器件驱动放大电路的输出端的功放管的耐压值稳定，可有效避免管子的集电极‑发射极击穿，并能避免造成分立器件的损坏。
一种分立器件驱动放大电路

[实用新型]一种用于分立器件表贴类转直插类的检测工装夹具-CN202223511925.1有效
发明人：杨剑群;贺强;李兴冀 -专利权人：哈尔滨工业大学重庆研究院;重庆华创星际科技有限责任公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及夹具领域，公开了一种用于分立器件表贴类转直插类的检测工装夹具，包括底座、上盖板和转换电路板，上盖板铰接在底座的上侧并能够盖合在底座上，底座上设有第一凹槽，上盖板上设有第二凹槽，当上盖板盖合在底座上时，第一凹槽和第二凹槽共同组成容纳并固定分立器件的安装槽，转换电路板固定在底座的下侧，电路板上固定有三根用于连接检测设备夹具的PIN针，底座的第一凹槽内设有三个用于贴合分立器件三个电极的金属垫片，三个金属垫片分别与转换电路板上的三个本实用新型将表贴类分立器件转换为直插类，然后连接检测设备，不仅能够实现表贴类分立器件检测的可重新性和结果一致性，还能够降低分立器件的电极被磨损的风险。
一种用于分立器件表贴类转直插类检测工装夹具

[发明专利]高分立体模型优化方法、系统、电子设备及可读存储介质-CN202011406641.9有效
发明人：潘红播;周平;邹思远 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06T7/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高程数据的高分立体模型优化方法、系统、电子设备及可读存储介质，包括如下步骤：S1：获取高分立体影像对及其定位模型RPC，以及获取高程数据；S2：生成高分立体影像对相对应的DSM三维点云；S3：将所述DSM三维点云与所述高程数据进行配准得到配准参数，再利用配准参数优化定位模型RPC。其中，本发明通过生成高分立体影像对相对应的DSM三维点云，将高分立体影像的二维图像与三维点云的数据配准问题转换成三维点云之间的配准问题，进而有效地解决了高精度高程数据和高分卫星影像的配准问题。
高分立体模型优化方法系统电子设备可读存储介质

[发明专利]自组织锗硅纳米线量子点芯片及其制备方法-CN201811638245.1在审
发明人：李海欧;徐刚;王柯;曹刚;郭光灿;郭国平 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：呈条状顶层棚状团簇；以及盖帽层，覆盖所述缓冲层及纳米线上；源漏电极，位于所述异质结基片上，包括源电极及漏电极；所述源电极及漏电极对应设置于所述纳米线的两端的上方；绝缘层，覆盖所述源电极、漏电极以及盖帽层上；以及顶层分立栅极，包括第一分立栅极、第二分立栅极、第三分立栅极，以及分别与所述第一分立栅极、第二分立栅极以及第三分立栅极一端相连的外接大电极，通过分立电极的线宽和间距以及施加在电极电压的大小能够很好地控制量子点的大小和空穴载流子的密度
分立纳米线缓冲层量子点漏电极异质结源电极盖帽层自组织顶层衬底锗硅制备绝缘层芯片空穴载流子电极电压分立电极源漏电极大电极非掺杂覆盖棚状团簇外接施加

[发明专利]基于第三方接入的接口鉴权方法及相关设备-CN201910344191.6有效
发明人：熊新平;陈玉静 -专利权人：平安科技（深圳）有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本申请涉及信息安全领域，本申请公开了一种基于第三方接入的接口鉴权方法及相关设备，所述方法包括：创建第三方白名单列表；接收第三方的接口调用请求，检测所述第三方是否在所述第三方白名单列表中，并检测所述接口调用请求对应的接口是否为鉴权接口，查询本地缓存中是否存在与所述第三方对应的鉴权成功信息，当查询到本地缓存中不存在与所述第三方对应的鉴权成功信息时，则对所述第三方进行鉴权，并在鉴权成功后将与所述第三方对应的鉴权成功信息存储在本地缓存中。本申请通过鉴权成功时缓存与页面关联的鉴权成功信息以及与域名关联的鉴权成功信息，可以减少鉴权次数，提高鉴权效率。
基于第三接入接口方法相关设备

[发明专利]测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法-CN201210147751.7有效
发明人：王新潮;冯东明;叶新民;乐海波;孙岩;陈晓伦 -专利权人：江阴新顺微电子有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种测试分立器件三极管芯片正向与饱和压降的方法，其特征在于在三极管芯片（1）下面的金属承片台盘（4）上连接测试仪的集电极输入电流线（41），在三极管芯片（1）外围的划片槽（5）扎一根集电极反馈电压探针（51），所述集电极反馈电压探针（51）连接测试仪的集电极反馈电压线（52），打开测试仪对分立器件三极管芯片正向与饱和压降进行测试。本发明三极管芯片背面集电极的输入电流线与反馈电压线分开，从而使得分立器件三极管芯片可以实现全方位开尔文测试，保证分立器件三极管芯片的正向与饱和压降的精确测试的方法。
测试分立器件三极管芯片正向饱和方法

[发明专利]一种物品鉴权方法及装置-CN201910141104.7在审
发明人：马明歌 -专利权人：河北泊松信息科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06Q30/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种物品鉴权方法及装置，所述方法包括：获取待鉴权物品的三维数据信息；从预设数据库中获取与所述待鉴权物品对应的正版物品的三维数据信息；其中，所述预设数据库中预先存储有与所述待鉴权物品对应的正版物品的三维数据信息；将所述待鉴权物品的三维数据信息与所述正版物品的三维数据信息进行对比，以实现所述待鉴权物品的物品鉴权。本发明实施例根据待鉴权物品的三维数据信息实现物品鉴权，从而使得鉴权效率高、成本低且鉴别结果客观可信。
鉴权三维数据信息预设数据库鉴别结果预先存储可信

[实用新型]一种分立器件圆胞排布结构-CN201520542021.6有效
发明人：陆怀谷 -专利权人：深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分立器件圆胞排布结构，减小所述分立器件圆胞排布结构的接触孔Contact与源区N+的接触面积，所述分立器件的器件类型是VDMOS或IGBT。所述分立器件的Poly结构是平面结构或者沟槽结构。本实用新型可以显著降低寄生三极管的体电阻,改善雪崩冲击和短路能力。
一种分立器件排布结构