[发明专利]一种黑硅电池的绒面制备方法在审
申请号: | 201711249652.9 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN107946386A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 宫欣欣;张林;张昕宇;金浩;郑晶茗 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请提供了一种黑硅电池的绒面制备方法,包括在硅片表面旋涂光刻胶制作光刻胶面;对所述光刻胶面进行激光曝光;对激光曝光后的光刻胶面进行结构化预处理;在经过结构化预处理的光刻胶面上制作金属层;清洗掉所述光刻胶层;在所述硅片上进行湿法刻蚀,形成黑硅绒面。本申请的制备方法,制备过程简单,得到的黑硅绒面纳米孔结构尺寸可控,提高了纳米绒面制备的可控性,具有可重复性,可以极大改善光的吸收。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种黑硅电池的绒面制备方法,其特征在于,包括:在硅片表面旋涂光刻胶制作光刻胶面;对所述光刻胶面进行激光曝光;对激光曝光后的光刻胶面进行结构化预处理;在经过结构化预处理的光刻胶面上制作金属层;清洗掉所述光刻胶层;在所述硅片上进行湿法刻蚀,形成黑硅绒面。
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- 本实用新型涉及一种太阳能电池,包括柔性衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、高阻层以及窗口层。背电极层设置于柔性衬底表面。吸收层设置于背电极层远离柔性衬底的表面。缓冲层设置于吸收层远离背电极层的表面。高阻层设置于缓冲层远离吸收层的表面。窗口层设置于高阻层远离缓冲层的表面。窗口层包括层叠设置的氧化铟锡(ITO)层和掺铝氧化锌(AZO)层。氧化铟锡层覆盖于高阻层表面。掺铝氧化锌层远离氧化铟锡层的表面具有纳米结构阵列。AZO层表面的纳米结构可以形成陷光结构,从而减少光的反射。在保持开路电压和填充因子不降低的情况下,提升短路电流,提高电池光电转换效率。AZO层与ITO层形成复合型窗口层,可以兼顾高透光性、高导电性和减反效果。
- 一种新型埋栅光伏电池片-201821750291.6
- 赵卫东;赵沁;费春燕;赵雅;赵枫;杨冬琴;朱广和;李向华 - 江苏东鋆光伏科技有限公司
- 2018-10-27 - 2019-07-19 - H01L31/0236
- 本实用新型公开了一种新型埋栅光伏电池片,涉及光伏发电技术领域。本实用新型包括P型硅板,P型硅板上表面设有N++层,N++层上表面设有N+层,N+层上表面设有氧化硅层,氧化硅层上设有选择性发射结层,P型硅板下表面设有背电场,背电场下表面设有背电极,氧化硅层、N+层、N++层和P型硅板上设有开设有沟槽,沟槽是采用激光刻出的槽,沟槽内填充有电镀栅线。本实用新型通过激光进行刻槽,并将金属化的栅线嵌入电池表面的狭窄沟槽内,通过选择性发射结降低电池片串联电阻,通过使用电镀镍、铜和锡的方法制备金属化的栅线,实现了电池的金属化,解决了现有的光伏电池片发电效率较低的问题。
- 一种双面太阳能电池及其制备方法-201910313303.1
- 胡党平;张树德;连维飞;魏青竹;倪志春;苗凤秀;姚悦;王金艺 - 苏州腾晖光伏技术有限公司
- 2019-04-18 - 2019-07-16 - H01L31/0236
- 本申请公开了一种双面太阳能电池,包括P型衬底层;位于P型衬底层第一表面的第一掺杂层,第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区;位于第一掺杂层上表面的第一钝化层;位于第一钝化层上表面的第一电极,且第一电极与第一重掺杂区接触;位于P型衬底层第二表面的第二掺杂层,第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区;位于第二掺杂层下表面的第二钝化层;位于第二钝化层下表面的第二电极;其中,第一表面与第二表面相对。本申请中的双面太阳能电池,在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术,使光电转换效率得到进一步提升。此外,本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。
- 具有防积灰结构的光伏玻璃及光伏组件-201910309320.8
- 车伏龙;刘秤明;赵志刚;张雪芬;覃冬梅;王春阳;黄毅翔;江睿琪;覃武 - 珠海格力电器股份有限公司
- 2019-04-17 - 2019-07-05 - H01L31/0236
- 本发明公开了一种具有防积灰结构的光伏玻璃及光伏组件,其中,光伏玻璃具有相对设置的受光面和增效面,受光面为光滑平面,受光面的至少一个边缘设置有斜面结构,斜面结构沿该边缘的长度方向延伸。本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中的光伏组件下边缘会堆积灰尘、影响发电效率及外观美观度的问题。
- 一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺-201910331455.4
- 周公庆;王璞;王岚 - 通威太阳能(成都)有限公司
- 2019-04-23 - 2019-07-05 - H01L31/0236
- 本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的制绒槽及单晶硅制绒工艺,涉及太阳能电池制备技术领域,本发明用于晶体硅太阳能电池的制绒槽包括上端开口的槽体,槽体为圆筒形,槽体内径为40‑60cm,槽体内底部为往外凸的弧形面,弧形面深度为h,h=4‑6cm,槽体内底部设置有搅拌机构,槽体底部设置有加热元件,单晶硅制绒工艺采用上述用于晶体硅太阳能电池的制绒槽,本发明具有结构简单、可保证制绒液的温度和浓度分布均匀、制得的单晶硅电池制绒绒面的均匀性好的优点。
- 一种可见光的光电转换结构及制作方法-201910275798.3
- 刘卫国;王卓曼;刘欢;白民宇;舒利利;韩军;安妍 - 西安工业大学
- 2019-04-08 - 2019-06-28 - H01L31/0236
- 本发明公开了一种可见光的光电转换结构及制作方法,该光电转换结构包括黑硅基底,以及在黑硅基底表面依次覆盖的下电极、光敏层和上电极三层薄膜,其中上电极透明,下电极为不透明反光薄膜;入射光透过上电极,在黑硅基底表层微结构空间内以下电极为反射面多次反射,多次穿过光敏层发生光电转换,提高了可见光吸收率;同时该探测结构仅利用黑硅表面三维微结构的几何形貌,不将黑硅作为敏感材料,黑硅能带结构等内部物理特性不会影响探测结构性能,避免了传统黑硅光电转换结构中光生载流子大量复合、载流子横向输运能力差以及退火带来的吸收率下降等问题;该结构采用干法刻蚀制作基底,然后制作表面膜层,工艺稳定性高,效率高,成本低,可以实现批量化制造。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的