专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]的法兰接头-CN200920161702.2无效
  • 陈安中 - 陈安中
  • 2009-06-30 - 2010-08-04 - F16L23/032
  • 本实用新型涉及一种的法兰接头,其包括可分别结合在管端的第一环体及第二环体,各环体包括内端面,该二个环体的内端面是相对结合并有密封界面,该界面包括环状沟槽;该法兰接头并包括密封环,该密封环由膨胀系数比该二个环体大的金属制成且配合地收纳在该沟槽内
  • 高阻漏法兰接头
  • [实用新型]的法兰组-CN200920173413.4无效
  • 陈安中 - 陈安中
  • 2009-08-18 - 2010-08-04 - F16L23/18
  • 本实用新型关于一种的法兰组,其包含可个别结合在管端的第一环体及第二环体,各环体包含内端面,该二环体之内端面相对结合并界定密封界面,该密封界面包含断面概呈L型的环状沟槽;该法兰组并包含间隔环及密封圈
  • 高阻漏法兰
  • [实用新型]抽水泵用自动排压、排水防漏装置-CN95218288.2无效
  • 黄煌南 - 黄煌南
  • 1995-08-08 - 1996-06-19 - F04B53/00
  • 为提供一种具有多重防漏结构、防漏效果好、杜绝抽水泵电机进水现象发生的抽水泵用防漏装置,提出本实用新型,它由止套管、水胶环、陶瓷环、碳刷环、耐热水封、耐热油封和吸热介质组成,止套管顶端设有内止口,水胶环安装在止套管顶端内止口中,并与止套管一起安装在抽水泵壳体端面开口上;碳刷环固定安装在电机主轴上;陶瓷环安装在止套管内止口下方的内周上,耐热水封和耐热油封安装在止套管内并空套在抽水泵电机主轴上,耐热水封和耐热水封和耐热油封依次位于陶瓷环下方并构成容置吸热介质的密封腔。
  • 抽水自动排水防漏装置
  • [发明专利]一种内贴式轮胎方法-CN202010854173.5在审
  • 姚志勇 - 姚志勇
  • 2020-08-18 - 2020-11-06 - B60C19/12
  • 本发明属于轮胎领域,特别是涉及一种内贴式轮胎方法,适合所有使用真空轮胎的车辆防扎防漏场所。将真空轮胎的气密层表面处理成光滑面,紧贴气密层设置一层黏胶隔离层,黏胶隔离层材料为一层不与黏胶相亲和的疏胶型涂层,黏胶隔离层涂覆在真空轮胎的气密层的光滑面,黏胶隔离层表面帖附一层层,所述层为平面型柔性伸缩性双面胶,当尖锐物体从轮胎外侧刺入轮胎内部时,尖锐物体首先穿破轮胎气密层和黏胶隔离层,然后将紧贴轮胎黏胶隔离层的层相对应局部顶起,由于层采用柔性黏滞材料且具有较高的伸缩量,尖锐物体只能将层相应部位局部顶起而不能将其刺穿
  • 一种内贴式阻扎阻漏轮胎方法
  • [实用新型]一种内贴式轮胎装置-CN202021784722.8有效
  • 姚志勇 - 姚志勇
  • 2020-08-18 - 2021-05-14 - B60C19/12
  • 本发明属于轮胎领域,特别是涉及一种内贴式轮胎装置,适合所有使用真空轮胎的车辆防扎防漏场所。将真空轮胎的气密层表面处理成光滑面,紧贴气密层设置一层黏胶隔离层,黏胶隔离层材料为一层不与黏胶相亲和的疏胶型涂层,黏胶隔离层涂覆在真空轮胎的气密层的光滑面,黏胶隔离层表面帖附一层层,所述层为平面型柔性伸缩性双面胶,当尖锐物体从轮胎外侧刺入轮胎内部时,尖锐物体首先穿破轮胎气密层和黏胶隔离层,然后将紧贴轮胎黏胶隔离层的层相对应局部顶起,由于层采用柔性黏滞材料且具有较高的伸缩量,尖锐物体只能将层相应部位局部顶起而不能将其刺穿
  • 一种内贴式阻扎阻漏轮胎装置
  • [发明专利]低温度系数多晶硅电阻的制造方法-CN201410604403.7有效
  • 袁苑;陈瑜 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2014-10-30 - 2015-01-28 - H01L21/70
  • 本发明公开了一种低温度系数多晶硅电阻的制造方法,步骤包括:1)硅衬底上生长多晶硅膜;2)P型低浓度掺杂;3)多晶硅的光刻曝光显影,在多晶硅以外区域进行N型掺杂;4)去除光刻胶,沉积氮化硅膜;5)一次刻蚀形成N型多晶硅和多晶硅;6)浅掺杂注入,生长氮化硅,刻蚀掉字线上和多晶硅上的氮化硅;7)对源和部分多晶硅进行P型重掺杂,形成P型源和P型多晶硅。该方法通过互掺杂,在光刻版最少的情况下,在低温度系数多晶硅电阻的制造工艺中实现了多晶硅、低P型多晶硅和N型多晶硅的同时形成。
  • 温度系数多晶电阻制造方法
  • [发明专利]具有氮化镓系层的HEMT及制备方法-CN201410785415.4有效
  • 张烁;马平;郭仕宽;刘波亭;李晋闽;王军喜 - 中国科学院半导体研究所
  • 2014-12-17 - 2015-04-01 - H01L29/778
  • 一种具有氮化镓系层的HEMT,其包括:一衬底;一氮化镓成核层,该氮化镓成核层生长在衬底上;一层,该层生长在氮化镓成核层上;一氮化镓沟道层,该氮化镓沟道层生长在层上;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层生长在氮化镓沟道层上;一势垒层,该势垒层成分为氮化镓铝,生长在氮化铝插入层上;一帽层,其生长在势垒层上;一源极,其制作在帽层上面的一侧;一极,其制作在帽层上面的另一侧;一栅极,其制作在帽层上面,源极和极之间;该源极、极和栅极彼此分开本发明可以实现降低氮空位浓度,降低背景载流子浓度,获得层。
  • 具有氮化镓系高阻层hemt制备方法
  • [发明专利]高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法-CN202110800171.2在审
  • 刘溪;赵春荣 - 沈阳工业大学
  • 2021-07-15 - 2021-11-05 - H01L29/786
  • 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及使用和制造方法,对近源栅电极、近栅电极和漏电极同时正向偏置,低肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和低肖特基势垒区形成通路,该数字芯片处于导通、低状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近栅电极同时反向偏置,对漏电极正向偏置,肖特基势垒源区、无掺杂半导体层和肖特基势垒区形成通路,该数字芯片处于导通、低状态,对源电极输出逻辑1;对近源栅电极、近栅电极其中一个施加正向偏置,另一个施加反向偏置,对漏电极施加正向偏置,该数字芯片处于关断、状态,对源电极输出逻辑0。
  • 高低肖特基势垒无掺杂xnor逻辑数字芯片制造方法

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