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[发明专利]一种高纯度单晶硅棒拉晶炉-CN202310663902.2在审
发明人：刘伟 -专利权人：山西东明光伏科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度单晶硅棒拉晶炉，涉及单晶硅棒加工的技术领域，其包括上炉体和下炉体，上炉体的内部设有提拉线，提拉线的底部设有子晶体，下炉体的内部右外而内依次设有石墨加热器和用于存放熔融硅的坩埚，坩埚的顶部设有防护罩该高纯度单晶硅棒拉晶炉，具有提高子晶体底部结晶的单晶硅棒的纯度的作用。
一种纯度单晶硅棒拉晶炉

[发明专利]制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件-CN200480041710.3无效
发明人：野田优 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底(模板Si衬底)201，在这种单晶硅衬底201上，形成外延牺牲层202。然后，在这个牺牲层202上，用RVD方法快速外延生长单晶硅薄膜203，随后刻蚀掉牺牲层202，由此形成用作太阳能电池光生伏打层的单晶硅薄膜204。
制造薄膜方法以及器件

[发明专利]半导体制冷器件-CN201010180493.3无效
发明人：吴荣钢 -专利权人：上海科伟低压电器厂
申请日： 2010-05-18 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：一种半导体制冷器件，包括单晶硅、碲化钕化合层及矾化铊化合层；单晶硅呈薄片状，单晶硅表面设有一层保护层，通过高纯度的碲化钕的化合物及高纯度的矾化铊的化合物分别在单晶硅的两侧进行二次或多次掺杂，形成碲化钕化合层及矾化铊化合层本发明采用高纯度的碲化钕化合物和高纯度的矾化铊化合物对硅片进行二次或多次掺杂，半导体制冷材料的优值系数达到98％以上，制成的半导体制冷器件单片达到几十伏的工作电压和在风冷状态下达到数百瓦的制冷功率，同时可以极大的提高
半导体制冷器件

[发明专利]掺氮单晶硅棒及其生产方法-CN201710853927.3在审
发明人：刘学;武志军;张全顺;刘伟;张文霞;谷守伟;李建弘;高树良;张雪囡 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掺氮单晶硅棒及其生产方法，包括在等径阶段全程通入氮气，在收尾阶段全程通入氮气。本发明的有益效果是等径状态通入既能保证氮气和单晶硅棒反应，也能保证进入液态硅里的氮化硅杂质较少，以免氮化硅杂质较多，导致单晶断苞，在等径阶段和收尾阶段全程通入氮气，利用低成本的高纯度氮气替代高纯度氩气作为保护气，能有效降低单晶硅棒的生产成本，在反应过程中，晶体的表面和氮气基本不反应，没有氮元素的引入，不影响单晶的晶体质量。
氮气单晶硅棒等径阶段收尾阶段氮化硅掺氮全程高纯度氮气高纯度氩气影响单晶保护气氮元素低成本晶体的液态硅单晶等径生产成本保证生产替代引入

[发明专利]由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置及方法-CN200910080359.3有效
发明人：金亦石;郭春宝;马毅红 -专利权人：金亦石;郭春宝;马毅红
申请日： 2009-03-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C01B33/023 文献下载
摘要：本发明是有关于一种由硅矿产出单晶硅或多晶硅连续纯化反应处理装置及方法。该装置包括：批次进料室；高温熔融炉；高温震荡炉；高温还原炉；长单晶硅炉。该方法包括以下步骤：a、硅矿石制成硅粉原料；b、原料进入批次进料室；c、经第一PLC控制阀进入高温熔融炉；d、控制高温熔融炉的温度，将达纯度要求的二氧化硅送至高温还原炉；e、高温熔融炉经热裂解与气化排出杂质；f、高温熔融炉底部杂质液体流至高温震荡炉，经震动磁化去除；g、高温震荡炉中达纯度要求的二氧化硅送至高温还原炉；h、高温还原炉中经还原反应获得高纯度硅；i、高温还原炉内硅经回火热处理产生多晶硅送至长单晶硅炉；j、长单晶硅炉产出单晶硅棒。
矿产单晶硅多晶连续纯化反应处理装置方法

[发明专利]利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的方法及其装置-CN200910026142.4有效
发明人：黄强 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶晶体硅棒制备技术领域，尤其是一种利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的方法及装置，克服现有技术对含杂硅材料除杂不完全，而且将除杂和拉制分步进行带来生产资源的极大浪费和产品质量不稳定的缺陷，方法是使用直拉法在拉制单晶硅棒的前期和/或同时还具有使用辅助提杂装置对含杂硅溶液表面进行提取杂质的过程，相应的一种利用含杂质硅材料制备高纯度单晶硅棒的装置，具有炉体、炉体炉腔内的石墨坩埚、石墨坩埚下部的坩埚托盘、石墨加热器和石墨坩埚上部的保温上盖，保温上盖中部具有便于硅棒拉出的通孔，在石墨坩埚的上部还设置有至少一个向下伸向石墨坩埚埚内的杂质提取棒。
利用杂质材料制备纯度单晶硅方法及其装置

[发明专利]一种单晶硅片的生产工艺-CN202211111076.2在审
发明人：傅昭林;张超;代刚 -专利权人：成都青洋电子材料有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的生产工艺，属于半导体材料生产技术领域，该单晶硅片的生产工艺包括以下步骤：步骤一：制备单晶硅坯：选取纯度高的工业硅，筛选去除工业硅之间混杂的杂质，再将工业硅与掺杂物放入长晶炉内，关闭长晶炉，并对长晶炉内部进行抽真空处理，抽真空完成后，再向长晶炉内通入高纯度氩气，此时再通过长晶炉内的加热装置加热工业硅，使得工业硅与掺杂物混合熔融形成硅熔体，当硅熔体的温度稳定后，向硅熔体内加入晶种，本发明能够充分提高单晶硅片质的量，使得单晶硅片可满足高精度工程的使用，且能够回收利用切削液，不仅进一步降低了成本的消耗，还降低了环境污染的问题。
一种单晶硅生产工艺

[发明专利]直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂-CN201010292543.7有效
发明人：江国庆 -专利权人：江国庆
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：直拉法生长单晶硅中利用氮-氩混合气体除杂。屈半导体分离技术领域，单晶炉直拉式生产单晶硅棒(碇)过程中会存有多种杂质，其中氧是直拉法生长单晶硅中的主要杂质，由于氧的存在严重影响单晶硅的品质，本发明采用在高纯度的氩气中加入微量的氮气，用它们的混合气体来作保护气体，以去除直拉法生长单晶硅过程中的氧，氮-氩混合气体使炉内保持低压、惰性气氛，促使SiO的蒸发，随着SiO的蒸发量增大而降低硅熔体中的氧含量，加大混合气体的流速，能使反应气体、反应粉末和反应液体迅速排出单晶炉；本发明主要应用于直拉法生长单晶硅中的除杂，它效果好，提高了硅单晶的品质，达到高质量的单晶的生长。
直拉法生长单晶硅利用混合气体

[发明专利]一种高纯度单晶硅及其制备方法-CN201910198427.X有效
发明人：刘剑洪;陈超;陈文沛;杨明;林文忠;欧阳晓平;孙学良;吴奇 -专利权人：深圳市动力创新科技企业（有限合伙）
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度单晶硅及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将天然硅石粉碎后进行第一次酸洗，得到硅石粉；将石墨烯粉碎后与硅石粉混匀，然后在保护气体气氛或提纯气体气氛下进行第一次烧结，然后将第一次烧结产物进行第二次酸洗然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第三次烧结，然后将第三次烧结产物进行第三次酸性，再在氧化气体气氛下进行第四次烧结，得到中间产物B；将中间产物A与中间产物B混匀，然后在保护气体气氛或提纯气氛下进行第五次烧结，即得到高纯度单晶硅本发明解决了现有技术中高纯度单晶硅制备工艺复杂、成本过高的问题。
一种纯度单晶硅及其制备方法

[发明专利]一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法-CN201210539425.0有效
发明人：李明飞;刘志伟;闫志瑞;陈海滨;付斌;黄龙辉 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，电阻率可达4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：将籽晶和多晶硅对中，抽真空，通氩气，预热，熔接，缩细颈，放肩及放肩至等径，收尾工序，其中：所用的多晶料为高纯度REC多晶硅料，所用多晶料的直径大于拉制获得的单晶，多晶料与单晶直径比控制为3∶2。本发明的优点是本工艺方法简单，实用，可满足人们对高电阻率区熔单晶硅的需求。
一种拉制直径 80 mm 电阻率单晶硅工艺方法

[发明专利]直拉硅单晶炉装置及硅单晶拉制方法-CN201010166018.0有效
发明人：周俭 -专利权人：内蒙古晟纳吉光伏材料有限公司;周俭
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶硅纯度的直拉单晶硅炉装置以及单晶硅拉制方法，该单晶炉装置的特征在于，在炉腔(16)中硅熔体(14)的上方设置一个两端开口长筒形的罩体(5)，所述罩体(5)的上端设置于炉腔的上部，开口正对着副室，或设置于副室(1)内，罩体(5)与硅熔体(14)液面接近的一端与硅熔体(14)液面具有一间距。在单晶硅拉制过程中，将惰性气体从副室(1)流向罩体(5)，再沿着罩体(5)从其下端流出，最终经排气口(12)排出。利用带有罩体的单晶炉装置以及拉制方法所得的单晶硅的纯度比现有技术的方法所得单晶的纯度提高了10倍以上，并且单晶硅棒各部分的纯度偏差也较小。
直拉硅单晶炉装置硅单晶拉制方法

[发明专利]一种气体回用控制方法及气体回用控制设备-CN201910176716.X在审
发明人：贾祯;金雪;冉瑞应;杨东 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种气体回用控制方法和一种气体回用控制设备，所述气体回用控制方法包括：净化单晶硅生产设备产生的气体，得到第一回用气体；检测所述第一回用气体的第一纯度；在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下，将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备；在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度；在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下，将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。本发明实施例中，可以避免将不符合使用要求的回用气体通入所述单晶硅生产设备，提高所述单晶硅生产设备生产的单晶硅的品质。
回用单晶硅生产设备控制设备预设条件单晶硅入气口检测净化生产

[发明专利]多晶硅棒的制造方法-CN200910132968.9有效
发明人：水野亨彦;黑谷伸一;祢津茂义;小黑晓二 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为<100>的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。
多晶制造方法

[发明专利]一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法-CN202210537360.X有效
发明人：孙建;王建明;舒华富;章康平;刘勇 -专利权人：一道新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说，涉及一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。其包括以下步骤：取用6‑10重量份的碳、12‑15重量份的氯化氢、6‑10重量份的二氧化硅、1‑2重量份的扩散剂、6‑8重量份的硼、氮和磷混合料；加热二氧化硅并投入碳，使得硅被还原得到粗硅，投入氯化氢，对粗硅提纯得到精硅；对精硅沉积得到单质硅，使得单质硅熔融，投入扩散剂改变透光性，并投入硼、氮和磷，使得单质硅冷却凝固形成含有硼、氮和磷杂质的高纯度单晶硅；对单晶硅进行切片，将单晶硅切割成多个方片，并将多个方片叠加排版本发明提出一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。
一种单晶硅基底太阳能电池及其制作方法

[发明专利]高纯度石英砂的制备方法及系统-CN202211193577.X在审
发明人：杜俊平;张鹏远;万烨;高磊;刘见华;赵雄;朱少强;常欣 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯度石英砂的制备方法及系统。高纯度石英砂的制备方法包括：步骤S1，将含硅化合物和水混合，进行水解反应，得到糊状产物；步骤S2，将糊状产物进行提纯，得到石英砂前驱体；步骤S3，将石英砂前驱体进行烧结，得到高纯度石英砂；其中，含硅化合物包括四氯硅烷或正硅酸乙酯中的至少一种本申请提供的高纯度石英砂的制备方法，采用含硅化合物和水为原料合成糊状产物，将糊状产物提纯后烧结得到高纯度石英砂，原料低廉易得，工艺简单，得到的高纯度石英砂的纯度≥99.998％，能够有效满足国内光伏单晶硅片
纯度石英砂制备方法系统

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